公开(公告)号：US20100148310A1

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：US12588024

申请日：2009-10-01

申请人： Tae-Hyoung Koo ,  Sam-jong Choi ,  Yeonsook Kim ,  Taesung Kim ,  Heesung Kim ,  KyooChul Cho ,  Joonyoung Choi

发明人： Tae-Hyoung Koo ,  Sam-jong Choi ,  Yeonsook Kim ,  Taesung Kim ,  Heesung Kim ,  KyooChul Cho ,  Joonyoung Choi

IPC分类号： H01L29/32 ,  H01L21/322 ,  H05B1/00 ,  F28F7/00

CPC分类号： H01L21/3225 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1864 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A method of processing a semiconductor wafer includes preheating the wafer to a preheating temperature that is less than a peak temperature, heating the wafer from the preheating temperature to the peak temperature at a first ramp rate that averages about 100° C. per second or more, and, immediately after heating the wafer from the preheating temperature to the peak temperature, cooling the wafer at a second ramp rate that averages about −70° C. per second or more from the peak temperature to the preheating temperature, wherein the peak temperature is about 1,100° C. or more.

摘要翻译： 一种处理半导体晶片的方法包括将晶片预热到小于峰值温度的预热温度，将晶片从预热温度加热至峰值温度，其平均温度为每秒约100℃或更高 并且在将晶片从预热温度加热到峰值温度之后立即以从峰值温度至预热温度平均约-70℃/秒以上的第二斜坡速率冷却晶片，其中峰值温度 约为1100℃以上。

公开(公告)号：US08343853B2

公开(公告)日：2013-01-01

申请号：US12588024

申请日：2009-10-01

申请人： Tae-Hyoung Koo ,  Sam-jong Choi ,  Yeonsook Kim ,  Taesung Kim ,  Heesung Kim ,  KyooChul Cho ,  Joonyoung Choi

发明人： Tae-Hyoung Koo ,  Sam-jong Choi ,  Yeonsook Kim ,  Taesung Kim ,  Heesung Kim ,  KyooChul Cho ,  Joonyoung Choi

IPC分类号： H01L21/322

CPC分类号： H01L21/3225 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1864 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A method of processing a semiconductor wafer includes preheating the wafer to a preheating temperature that is less than a peak temperature, heating the wafer from the preheating temperature to the peak temperature at a first ramp rate that averages about 100° C. per second or more, and, immediately after heating the wafer from the preheating temperature to the peak temperature, cooling the wafer at a second ramp rate that averages about −70° C. per second or more from the peak temperature to the preheating temperature, wherein the peak temperature is about 1,100° C. or more.

摘要翻译： 一种处理半导体晶片的方法包括将晶片预热到小于峰值温度的预热温度，将晶片从预热温度加热至峰值温度，其平均温度为每秒约100℃或更高 并且在将晶片从预热温度加热到峰值温度之后立即以从峰值温度至预热温度平均约-70℃/秒以上的第二斜坡速率冷却晶片，其中峰值温度 约为1100℃以上。

公开(公告)号：US08497570B2

公开(公告)日：2013-07-30

申请号：US13178919

申请日：2011-07-08

申请人： Sun-Ha Hwang ,  Young-Soo Park ,  Sam-Jong Choi ,  Joon-Young Choi ,  Tae-Hyoung Koo

发明人： Sun-Ha Hwang ,  Young-Soo Park ,  Sam-Jong Choi ,  Joon-Young Choi ,  Tae-Hyoung Koo

IPC分类号： H01L29/36

CPC分类号： H01L21/3221 ,  H01L21/223 ,  H01L21/26513 ,  H01L29/78

摘要： A wafer, a fabricating method of the same, and a semiconductor substrate are provided. The wafer includes a first substrate layer formed at a first surface, a second substrate layer formed at a second surface opposite to the first surface, the second substrate layer having a greater oxygen concentration than the first substrate layer, and an oxygen diffusion protecting layer formed between the first substrate layer and the second substrate layer, the oxygen diffusion protecting layer being located closer to the first surface than to the second surface.

摘要翻译： 提供晶片，其制造方法和半导体衬底。 晶片包括形成在第一表面的第一基底层，形成在与第一表面相反的第二表面的第二基底层，第二基底层具有比第一基底层更大的氧浓度，以及形成氧扩散保护层 在第一基板层和第二基板层之间，氧扩散保护层位于比第二表面更靠近第一表面的位置。

公开(公告)号：US20120056304A1

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：US13178919

申请日：2011-07-08

申请人： Sun-Ha Hwang ,  Young-Soo Park ,  Sam-Jong Choi ,  Joon-Young Choi ,  Tae-Hyoung Koo

发明人： Sun-Ha Hwang ,  Young-Soo Park ,  Sam-Jong Choi ,  Joon-Young Choi ,  Tae-Hyoung Koo

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： H01L21/3221 ,  H01L21/223 ,  H01L21/26513 ,  H01L29/78

摘要： A wafer, a fabricating method of the same, and a semiconductor substrate are provided. The wafer includes a first substrate layer formed at a first surface, a second substrate layer formed at a second surface opposite to the first surface, the second substrate layer having a greater oxygen concentration than the first substrate layer, and an oxygen diffusion protecting layer formed between the first substrate layer and the second substrate layer, the oxygen diffusion protecting layer being located closer to the first surface than to the second surface.

摘要翻译： 提供晶片，其制造方法和半导体衬底。 晶片包括形成在第一表面的第一基底层，形成在与第一表面相反的第二表面的第二基底层，第二基底层具有比第一基底层更大的氧浓度，以及形成氧扩散保护层 在第一基板层和第二基板层之间，氧扩散保护层位于比第二表面更靠近第一表面的位置。

公开(公告)号：US09589901B2

公开(公告)日：2017-03-07

申请号：US14519788

申请日：2014-10-21

申请人： Tae-Hyoung Koo ,  Samjong Choi ,  Dongjun Lee ,  Yongsun Ko

发明人： Tae-Hyoung Koo ,  Samjong Choi ,  Dongjun Lee ,  Yongsun Ko

IPC分类号： H01L23/544

CPC分类号： H01L23/544 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54413 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2223/54493 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A wafer can be provided to include a single crystalline semiconductor material with a predetermined crystal orientation. The wafer can include a laser mark at a determined position on a front surface or on a back surface of the wafer, where the determined position is configured to indicate the predetermined crystal orientation of the single crystalline semiconductor material.

摘要翻译： 可以提供晶片以包括具有预定晶体取向的单晶半导体材料。 晶片可以在晶片的前表面或后表面上的确定位置处包括激光标记，其中所确定的位置被配置为指示单晶半导体材料的预定晶体取向。

公开(公告)号：US20150228588A1

公开(公告)日：2015-08-13

申请号：US14519788

申请日：2014-10-21

申请人： Tae-Hyoung Koo ,  Samjong Choi ,  Dongjun Lee ,  Yongsun Ko

发明人： Tae-Hyoung Koo ,  Samjong Choi ,  Dongjun Lee ,  Yongsun Ko

IPC分类号： H01L23/544

CPC分类号： H01L23/544 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54413 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2223/54493 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A wafer can be provided to include a single crystalline semiconductor material with a predetermined crystal orientation. The wafer can include a laser mark at a determined position on a front surface or on a back surface of the wafer, where the determined position is configured to indicate the predetermined crystal orientation of the single crystalline semiconductor material.

摘要翻译： 可以提供晶片以包括具有预定晶体取向的单晶半导体材料。 晶片可以在晶片的前表面或后表面上的确定位置处包括激光标记，其中所确定的位置被配置为指示单晶半导体材料的预定晶体取向。