公开(公告)号：US09337381B2

公开(公告)日：2016-05-10

申请号：US14484456

申请日：2014-09-12

申请人： Jun-youn Kim ,  Young-jo Tak ,  Jae-kyun Kim ,  Joo-sung Kim ,  Young-soo Park ,  Su-hee Chae

发明人： Jun-youn Kim ,  Young-jo Tak ,  Jae-kyun Kim ,  Joo-sung Kim ,  Young-soo Park ,  Su-hee Chae

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L33/00 ,  H01L33/12 ,  H01L21/02 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L33/0025 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

摘要： A semiconductor buffer structure includes a silicon substrate, a nucleation layer formed on the silicon substrate, and a buffer layer formed on the nucleation layer. The buffer layer includes a first layer formed of a nitride semiconductor material having a uniform composition rate, a second layer formed of the same material as the nucleation layer on the first layer, and a third layer formed of the same material with the same composition ratio as the first layer on the second layer.

摘要翻译： 半导体缓冲结构包括硅衬底，形成在硅衬底上的成核层和形成在成核层上的缓冲层。 缓冲层包括由具有均匀组成比的氮化物半导体材料形成的第一层，由与第一层上的成核层相同的材料形成的第二层和由相同组成比的相同材料形成的第三层 作为第二层的第一层。

公开(公告)号：US09257599B2

公开(公告)日：2016-02-09

申请号：US14288824

申请日：2014-05-28

申请人： Jae-kyun Kim ,  Joo-sung Kim ,  Jun-youn Kim ,  Young-soo Park ,  Young-jo Tak

发明人： Jae-kyun Kim ,  Joo-sung Kim ,  Jun-youn Kim ,  Young-soo Park ,  Young-jo Tak

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L29/06 ,  H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32 ,  H01L33/12

CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32

摘要： According to example embodiments, a semiconductor light emitting device includes a first semiconductor layer, a pit enlarging layer on the first semiconductor layer, an active layer on the pit enlarging layer, a hole injection layer, and a second semiconductor layer on the hole injection layer. The first semiconductor layer is doped a first conductive type. An upper surface of the pit enlarging layer and side surfaces of the active layer define pits having sloped surfaces on the dislocations. The pits are reverse pyramidal spaces. The hole injection layer is on a top surface of the active layer and the sloped surfaces of the pits. The second semiconductor layer doped a second conductive type that is different than the first conductive type.

摘要翻译： 根据示例性实施例，半导体发光器件包括第一半导体层，第一半导体层上的凹坑放大层，凹坑放大层上的有源层，空穴注入层和空穴注入层上的第二半导体层 。 第一半导体层掺杂有第一导电类型。 凹坑扩大层的上表面和活性层的侧表面限定了在位错上具有倾斜表面的凹坑。 凹坑是反锥形空间。 空穴注入层位于有源层的顶表面和凹坑的倾斜表面上。 第二半导体层掺杂与第一导电类型不同的第二导电类型。

公开(公告)号：US08928017B2

公开(公告)日：2015-01-06

申请号：US12929149

申请日：2011-01-04

申请人： Su-hee Chae ,  Young-soo Park ,  Bok-ki Min ,  Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong

发明人： Su-hee Chae ,  Young-soo Park ,  Bok-ki Min ,  Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/38 ,  H01L33/22 ,  H01L33/40

CPC分类号： H01L33/0066 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22 ,  H01L33/24 ,  H01L33/382 ,  H01L33/405 ,  H01L2933/0016

摘要： Example embodiments are directed to light-emitting devices (LEDs) and methods of manufacturing the same. The LED includes a first semiconductor layer; a second semiconductor layer; an active layer formed between the first and second semiconductor layers; and an emission pattern layer including a plurality of layers on the first semiconductor layer, the emission pattern including an emission pattern for externally emitting light generated from the active layer.

摘要翻译： 示例性实施例涉及发光器件（LED）及其制造方法。 LED包括第一半导体层; 第二半导体层; 形成在所述第一和第二半导体层之间的有源层; 以及在所述第一半导体层上包括多层的发光图案层，所述发光图案包括用于从所述有源层产生的外部发射光的发射图案。

公开(公告)号：US08724534B2

公开(公告)日：2014-05-13

申请号：US12469008

申请日：2009-05-20

申请人： Young-Soo Park ,  Geun-Ho Lee

发明人： Young-Soo Park ,  Geun-Ho Lee

IPC分类号： H04H20/71 ,  H04W4/00

CPC分类号： H04H20/72 ,  H04H60/15 ,  H04W4/06 ,  H04W76/40

摘要： An information service apparatus and method in a wireless communication system are provided. A method of operating a Radio Access Station (RAS) includes receiving information regarding business offices located in a cell coverage area of the RAS from a network entity of a core service network, classifying the received business office information according to a plurality of items and storing the classified information in a Data Base (DB), allocating a Multicast Connection IDentifier (MCID) for each item, determining a transmission period for each item, obtaining a business office list of a corresponding item from the DB when a Transmit (Tx) time elapses according to the Tx period, generating an advertisement multicast burst including the obtained business office list, and multicasting the generated burst to pre-registered Mobile Stations (MSs).

摘要翻译： 提供了一种无线通信系统中的信息服务装置和方法。 一种操作无线电接入站（RAS）的方法包括从核心业务网络的网络实体接收关于位于RAS的小区覆盖区域内的业务部门的信息，根据多个项目对接收到的业务处信息进行分类，并存储 数据库（DB）中的分类信息，为每个项目分配多播连接标识符（MCID），确定每个项目的传输周期，当发送（Tx）时间时，从DB获得相应项目的营业单列表 根据Tx周期经过，产生包括所获得的商务办公室列表的广播多播突发，以及将生成的突发组播到预注册的移动台（MS）。

公开(公告)号：US08625354B2

公开(公告)日：2014-01-07

申请号：US12982558

申请日：2010-12-30

申请人： Ka Young Cho ,  Young Soo Park

发明人： Ka Young Cho ,  Young Soo Park

IPC分类号： G11C16/10

CPC分类号： G11C16/3459 ,  G11C16/3454

摘要： A semiconductor memory device includes a voltage generator configured to supply a program voltage, a sub-verification voltage, or a target verification voltage to memory cells selected during a program operation, page buffers configured to latch first data according to results from comparing threshold voltages of the selected memory cells with the sub-verification voltage and latch second data according to results from comparing the threshold voltages of the memory cells with the target verification voltage, a sub-pass check circuit configured to output a sub-pass signal in response to the first data outputted from the page buffers, a main pass check circuit configured to output a main pass signal in response to the second data outputted from the page buffers, and a control circuit configured to control whether the voltage generator supplies the sub-verification voltage and the target verification voltage in response to the sub-pass signal and the main pass signal.

摘要翻译： 半导体存储器件包括：电压发生器，被配置为将程序电压，子验证电压或目标验证电压提供给在编程操作期间选择的存储器单元，所述页缓冲器被配置为根据比较阈值电压的结果来锁存第一数据 根据将存储单元的阈值电压与目标验证电压进行比较的结果，将所选择的具有子验证电压的存储单元和锁存第二数据进行锁存;副通路检查电路，被配置为响应于所述目标验证电压输出子通过信号 从页缓冲器输出的第一数据，主通检查电路，配置为响应于从页缓冲器输出的第二数据输出主通道信号;以及控制电路，被配置为控制电压发生器是否提供子验证电压，以及 响应于副通信号和主通道信号的目标验证电压。

公开(公告)号：US20130252395A1

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：US13892881

申请日：2013-05-13

申请人： Sun-ae SEO ,  Young-soo PARK ,  Ran-Ju JUNG ,  Myoung-jae LEE ,  Dong-chul KIM ,  Seung-eon AHN

发明人： Sun-ae SEO ,  Young-soo PARK ,  Ran-Ju JUNG ,  Myoung-jae LEE ,  Dong-chul KIM ,  Seung-eon AHN

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/165 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： Example embodiments relate to a resistive random access memory (RRAM) and a method of manufacturing the RRAM. A RRAM according to example embodiments may include a lower electrode, which may be formed on a lower structure (e.g., substrate). A resistive layer may be formed on the lower electrode, wherein the resistive layer may include a transition metal dopant. An upper electrode may be formed on the resistive layer. Accordingly, the transition metal dopant may form a filament in the resistive layer that operates as a current path.

摘要翻译： 示例实施例涉及电阻随机存取存储器（RRAM）和制造RRAM的方法。 根据示例性实施例的RRAM可以包括下电极，其可以形成在下结构（例如，衬底）上。 电阻层可以形成在下电极上，其中电阻层可以包括过渡金属掺杂剂。 上电极可以形成在电阻层上。 因此，过渡金属掺杂剂可以在作为电流路径工作的电阻层中形成丝。

公开(公告)号：US20130188904A1

公开(公告)日：2013-07-25

申请号：US13614432

申请日：2012-09-13

申请人： Bok-ki MIN ,  Taek KIM ,  Young-soo PARK

发明人： Bok-ki MIN ,  Taek KIM ,  Young-soo PARK

IPC分类号： G02B6/12 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01S5/18358 ,  H01S5/021 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/026 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/105 ,  H01S5/18325 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18361 ,  H01S5/1838 ,  H01S5/2018 ,  H01S5/2031

摘要： A light source for a photonic integrated circuit may comprise a reflection coupling layer formed on a substrate in which an optical waveguide is provided, at least one side of the reflection coupling layer being optically connected to the optical waveguide; an optical mode alignment layer provided on the reflection coupling layer; and/or an upper structure provided on the optical mode alignment layer and including an active layer for generating light and a reflection layer provided on the active layer. A light source for a photonic integrated circuit may comprise a lower reflection layer; an optical waveguide optically connected to the lower reflection layer; an optical mode alignment layer on the lower reflection layer; an active layer on the optical mode alignment layer; and/or an upper reflection layer on the active layer.

摘要翻译： 用于光子集成电路的光源可以包括形成在其中设置有光波导的基板上的反射耦合层，反射耦合层的至少一侧光学连接到光波导; 设置在反射耦合层上的光学模式取向层; 和/或设置在光学模式对准层上的上部结构，并且包括用于产生光的有源层和设置在有源层上的反射层。 光子集成电路的光源可以包括下反射层; 与下反射层光学连接的光波导; 在下反射层上的光学取向层; 光学对准层上的有源层; 和/或有源层上的上反射层。

公开(公告)号：US20120268992A1

公开(公告)日：2012-10-25

申请号：US13452236

申请日：2012-04-20

申请人： Beom Sik KIM ,  Young Soo PARK

发明人： Beom Sik KIM ,  Young Soo PARK

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C16/0483 ,  G11C16/3418

摘要： A semiconductor memory device includes a memory cell array configured to include a plurality of memory blocks, a voltage generator configured to output operating voltages for data input and output to global lines, and a row decoder configured to transfer the operating voltages to local lines of a memory block, selected from among the plurality of memory blocks, and supply a ground voltage to local lines of unselected memory blocks in response to address signals.

摘要翻译： 半导体存储器件包括被配置为包括多个存储器块的存储单元阵列，被配置为输出用于数据输入和输出到全局线的工作电压的电压发生器，以及配置成将工作电压传送到本地线的本地线的行解码器 存储器块，从多个存储器块中选择，并且响应于地址信号将接地电压提供给未选择的存储器块的本地线。

公开(公告)号：US20120221825A1

公开(公告)日：2012-08-30

申请号：US13340796

申请日：2011-12-30

申请人： Beom Sik KIM ,  Young Soo PARK

发明人： Beom Sik KIM ,  Young Soo PARK

IPC分类号： G06F12/00

CPC分类号： G06F13/1694

摘要： A nonvolatile memory system includes a controller and a nonvolatile memory apparatus, where the controller provides the nonvolatile memory apparatus with a first feature setting command or a second feature setting command according to device information of the nonvolatile memory apparatus in a mode change of the nonvolatile memory apparatus.

摘要翻译： 非易失性存储器系统包括控制器和非易失性存储设备，其中控制器在非易失性存储器的模式改变中根据非易失性存储器设备的设备信息向非易失性存储设备提供第一特征设置命令或第二特征设置命令 仪器。

公开(公告)号：US08253134B2

公开(公告)日：2012-08-28

申请号：US12076486

申请日：2008-03-19

申请人： Sun-il Kim ,  Jae-cheol Lee ,  I-hun Song ,  Young-soo Park ,  Chang-jung Kim ,  Jae-chul Park

发明人： Sun-il Kim ,  Jae-cheol Lee ,  I-hun Song ,  Young-soo Park ,  Chang-jung Kim ,  Jae-chul Park

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L29/04 ,  H01L31/036

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02581 ,  H01L29/78696

摘要： An oxide thin film transistor and a method of manufacturing the oxide TFT are provided. The oxide thin film transistor (TFT) including: a gate; a channel formed to correspond to the gate, and a capping layer having a higher work function than the channel; a gate insulator disposed between the gate and the channel; and a source and drain respectively contacting either side of the capping layer and the channel and partially on a top surface of the capping layer.

摘要翻译： 提供氧化物薄膜晶体管和制造氧化物TFT的方法。 所述氧化物薄膜晶体管（TFT）包括：栅极; 形成为对应于所述栅极的沟道，以及具有比所述沟道更高功函数的覆盖层; 设置在栅极和沟道之间的栅极绝缘体; 以及源极和漏极，分别接触封盖层的两侧和通道之间，部分地接合覆盖层的顶表面。