公开(公告)号：US08785967B2

公开(公告)日：2014-07-22

申请号：US12575347

申请日：2009-10-07

申请人： Tae-Hyung Hwang ,  Hyun-Jae Kim ,  Doh-Kyung Kim ,  Tae-Hun Jung ,  Woong-Hee Jeong ,  Choong-Hee Lee

发明人： Tae-Hyung Hwang ,  Hyun-Jae Kim ,  Doh-Kyung Kim ,  Tae-Hun Jung ,  Woong-Hee Jeong ,  Choong-Hee Lee

IPC分类号： H01L21/20 ,  C30B1/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC分类号： C30B29/06 ,  B32B2457/202 ,  C30B1/023 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1285

摘要： Disclosed is a crystallization apparatus capable of locally crystallizing amorphous silicon. The crystallization apparatus includes a heat emission part, a support part and a roller. The heat emission part emits heat upon receiving a heat emission source. The support part supports the heat emission part and provides the heat emission source to the heat emission part. The roller receives the heat emission part and has at least one opening to provide heat to a target (e.g., amorphous silicon). Local crystallization is performed without causing damage to a substrate.

摘要翻译： 公开了能够局部结晶非晶硅的结晶装置。 结晶装置包括发热部，支撑部和辊。 发热部分在接收到发热源时发热。 支撑部分支撑散热部分并将散热源提供给散热部分。 辊接收热发射部分并且具有至少一个开口以向目标（例如非晶硅）提供热量。 进行局部结晶而不会损坏基板。

公开(公告)号：US20100087051A1

公开(公告)日：2010-04-08

申请号：US12575347

申请日：2009-10-07

申请人： Tae-Hyung Hwang ,  Hyun-Jae Kim ,  Doh-Kyung Kim ,  Tae-Hun Jung ,  Woong-Hee Jeong ,  Choong-Hee Lee

发明人： Tae-Hyung Hwang ,  Hyun-Jae Kim ,  Doh-Kyung Kim ,  Tae-Hun Jung ,  Woong-Hee Jeong ,  Choong-Hee Lee

IPC分类号： H01L21/20 ,  B32B37/12 ,  B01D9/00

CPC分类号： C30B29/06 ,  B32B2457/202 ,  C30B1/023 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1285

摘要： Disclosed is a crystallization apparatus capable of locally crystallizing amorphous silicon. The crystallization apparatus includes a heat emission part, a support part and a roller. The heat emission part emits heat upon receiving a heat emission source. The support part supports the heat emission part and provides the heat emission source to the heat emission part. The roller receives the heat emission part and has at least one opening to provide heat to a target (e.g., amorphous silicon). Local crystallization is performed without causing damage to a substrate.

摘要翻译： 公开了能够局部结晶非晶硅的结晶装置。 结晶装置包括发热部，支撑部和辊。 发热部分在接收到发热源时发热。 支撑部分支撑散热部分并将散热源提供给散热部分。 辊接收热发射部分并且具有至少一个开口以向目标（例如非晶硅）提供热量。 进行局部结晶而不会损坏基板。

公开(公告)号：US07076004B2

公开(公告)日：2006-07-11

申请号：US09917698

申请日：2001-07-31

申请人： Dong-Sun Kim ,  Doh-Kyung Kim ,  Jong-Chan Choi ,  Il-Hyun Chun ,  Chul Kim

发明人： Dong-Sun Kim ,  Doh-Kyung Kim ,  Jong-Chan Choi ,  Il-Hyun Chun ,  Chul Kim

IPC分类号： H03D1/00 ,  H04L27/06

CPC分类号： H04B3/542 ,  H04B2203/5495

摘要： The disclosed apparatus includes a main control unit (MCU) interface unit for adjusting the timing of data transmission, a register unit for storing control data, a threshold value, an offset value, and an error rate received from the MCU interface unit, and for outputting the stored data and values, a control logic unit for controlling selection of a threshold value, based on the control data stored in the register unit, a reference data selecting unit for selectively outputting, as threshold values, the threshold value and offset value respectively stored in the register unit or an external threshold value and an external offset value, under control of the control logic unit, and a data processing unit for determining, based on threshold values to be selectively outputted by the reference data selecting unit, whether or not the serial data received via a power line is valid data, and for outputting the data.

摘要翻译： 所公开的装置包括用于调整数据传输定时的主控单元（MCU）接口单元，用于存储控制数据的寄存器单元，从MCU接口单元接收的阈值，偏移值和错误率，以及用于 输出存储的数据和值;控制逻辑单元，用于基于存储在寄存器单元中的控制数据来控制阈值的选择;参考数据选择单元，用于分别选择性地输出阈值和偏移值作为阈值; 在控制逻辑单元的控制下存储在寄存器单元中的存储在外部阈值和外部偏移值中的数据处理单元，以及用于基于由参考数据选择单元选择性地输出的阈值来确定数据处理单元 通过电力线接收的串行数据是有效数据，并用于输出数据。