公开(公告)号：US20160300949A1

公开(公告)日：2016-10-13

申请号：US15062553

申请日：2016-03-07

申请人： Tae-Jong LEE ,  Sanghyuk HONG ,  TaeYong KWON ,  Sunjung KIM ,  Cheol KIM

发明人： Tae-Jong LEE ,  Sanghyuk HONG ,  TaeYong KWON ,  Sunjung KIM ,  Cheol KIM

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/161 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66 ,  H01L29/08 ,  H01L29/16

摘要： Semiconductor devices and methods of fabricating the same are provided. The methods of fabricating the semiconductor devices may include providing a substrate including an active pattern protruding from the substrate, forming a first liner layer and a field isolating pattern on the substrate to cover a lower portion of the active pattern, forming a second liner layer on an upper portion of the active pattern and the field isolation pattern, and forming a dummy gate on the second liner layer.

摘要翻译： 提供半导体器件及其制造方法。 制造半导体器件的方法可以包括提供包括从衬底突出的有源图案的衬底，在衬底上形成第一衬里层和场隔离图案以覆盖有源图案的下部，形成第二衬垫层 有源图案的上部和场隔离图案，并且在第二衬垫层上形成伪栅极。

公开(公告)号：US20150041899A1

公开(公告)日：2015-02-12

申请号：US14274861

申请日：2014-05-12

申请人： Junggil YANG ,  SANGSU KIM ,  TaeYong KWON ,  SUNG GI HUR

发明人： Junggil YANG ,  SANGSU KIM ,  TaeYong KWON ,  SUNG GI HUR

IPC分类号： H01L27/092

CPC分类号： H01L27/0924 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/42392

摘要： A semiconductor device includes a substrate including first and second regions, a first transistor provided on the first region to include a first channel region protruding from the substrate, and a second transistor provided on the second region to include a second channel region and a gate electrode extending between the substrate and the second channel region. The first channel region may include a lower semiconductor pattern containing a different material from the second channel region and an upper semiconductor pattern containing the same material as the second channel region.

摘要翻译： 半导体器件包括包括第一和第二区域的衬底，第一晶体管，设置在第一区域上，以包括从衬底突出的第一沟道区域;以及第二晶体管，设置在第二区域上以包括第二沟道区域和栅电极 在衬底和第二沟道区之间延伸。 第一沟道区可以包括含有与第二沟道区不同的材料的下半导体图案和包含与第二沟道区相同的材料的上半导体图案。