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    Magnetic memory devices using magnetic domain motion
    1.
    发明授权
    Magnetic memory devices using magnetic domain motion 有权
    使用磁畴运动的磁存储器件

    公开(公告)号：US07751223B2

    公开(公告)日：2010-07-06

    申请号：US11707002

    申请日：2007-02-16

    申请人： Tae-wan Kim ,  Kee-won Kim ,  Young-jin Cho ,  In-jun Hwang

    发明人： Tae-wan Kim ,  Kee-won Kim ,  Young-jin Cho ,  In-jun Hwang

    IPC分类号： G11C19/00

    CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C19/0808 ,  G11C19/0841 ,  G11C2213/77

    摘要： A magnetic memory device includes a recording layer, a reference layer, a first input portion and a second input portion. The recording layer has perpendicular magnetization direction and a plurality of magnetic domains, and the reference layer corresponds to a portion of the recording layer and has a pinned magnetization direction. The recording layer has a data storage cell wherein a plurality of data bit regions each including a magnetic domain are formed. The magnetic domain corresponds to an effective size of the reference layer. The first input portion inputs at least one of a writing signal and a reading signal. The second input portion is electrically connected to the recording layer and inputs a magnetic domain motion signal in order to move data stored in a data bit region of the recording layer to an adjoining data bit region.

    摘要翻译： 磁存储器件包括记录层，参考层，第一输入部分和第二输入部分。 记录层具有垂直磁化方向和多个磁畴，并且参考层对应于记录层的一部分并具有钉扎磁化方向。 记录层具有数据存储单元，其中形成各自包括磁畴的多个数据位区域。 磁畴对应于参考层的有效尺寸。 第一输入部分输入写入信号和读取信号中的至少一个。 第二输入部分电连接到记录层并输入磁畴运动信号，以便将存储在记录层的数据位区域中的数据移动到相邻的数据位区域。

    Magnetic memory device using magnetic domain motion
    3.
    发明授权
    Magnetic memory device using magnetic domain motion 有权
    磁存储器件采用磁畴运动

    公开(公告)号：US08339728B2

    公开(公告)日：2012-12-25

    申请号：US11708352

    申请日：2007-02-21

    申请人： Kee-won Kim ,  Tae-wan Kim ,  Young-jin Cho ,  In-jun Hwang

    发明人： Kee-won Kim ,  Tae-wan Kim ,  Young-jin Cho ,  In-jun Hwang

    IPC分类号： G11C29/00

    CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C19/0808

    摘要： Example embodiments may provide a magnetic memory device. The example embodiment magnetic memory devices may include a plurality of memory tracks, bit lines, connectors, a first input portion, and/or selectors. The memory track(s) may be stacked on a substrate to form a multi-stack. A plurality of magnetic domains may be formed in the memory track so that a data bit may be represented by a magnetic domain and may be stored in an array. The bit line(s) may be formed along respective memory tracks. The connector(s) may form a magnetic tunnel junction (MTJ) cell with one data bit region of the memory track. The first input portion may be electrically connected to each memory track and may input a magnetic domain motion signal to move data stored on a data bit region of the memory track to an adjoining data bit region. The selector(s) may select a memory track from a plurality of memory tracks on which a reading and/or writing operation may to be performed.

    摘要翻译： 示例性实施例可以提供磁存储器装置。 示例性实施例磁存储器件可以包括多个存储器轨道，位线，连接器，第一输入部分和/或选择器。 存储器轨道可以堆叠在衬底上以形成多堆叠。 可以在存储器轨道中形成多个磁畴，使得数据位可以由磁畴表示并且可以存储在阵列中。 位线可以沿着各个存储器轨道形成。 连接器可以形成具有存储器轨道的一个数据位区域的磁性隧道结（MTJ）单元。 第一输入部分可以电连接到每个存储器轨道，并且可以输入磁畴运动信号以将存储在存储器轨道的数据位区域上的数据移动到相邻的数据位区域。 选择器可以从其上可以执行读取和/或写入操作的多个存储器轨道中选择存储器轨道。

    Magnetic memory device using magnetic domain motion
    7.
    发明申请
    Magnetic memory device using magnetic domain motion 有权
    磁存储器件采用磁畴运动

    公开(公告)号：US20070198618A1

    公开(公告)日：2007-08-23

    申请号：US11708352

    申请日：2007-02-21

    申请人： Kee-won Kim ,  Tae-wan Kim ,  Young-jin Cho ,  In-jun Hwang

    发明人： Kee-won Kim ,  Tae-wan Kim ,  Young-jin Cho ,  In-jun Hwang

    IPC分类号： G06F15/02

    CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C19/0808

    摘要： Example embodiments may provide a magnetic memory device. The example embodiment magnetic memory devices may include a plurality of memory tracks, bit lines, connectors, a first input portion, and/or selectors. The memory track(s) may be stacked on a substrate to form a multi-stack. A plurality of magnetic domains may be formed in the memory track so that a data bit may be represented by a magnetic domain and may be stored in an array. The bit line(s) may be formed along respective memory tracks. The connector(s) may form a magnetic tunnel junction (MTJ) cell with one data bit region of the memory track. The first input portion may be electrically connected to each memory track and may input a magnetic domain motion signal to move data stored on a data bit region of the memory track to an adjoining data bit region. The selector(s) may select a memory track from a plurality of memory tracks on which a reading and/or writing operation may to be performed.

    摘要翻译： 示例性实施例可以提供磁存储器装置。 示例性实施例磁存储器件可以包括多个存储器轨道，位线，连接器，第一输入部分和/或选择器。 存储器轨道可以堆叠在衬底上以形成多堆叠。 可以在存储器轨道中形成多个磁畴，使得数据位可以由磁畴表示并且可以存储在阵列中。 位线可以沿着各个存储器轨道形成。 连接器可以形成具有存储器轨道的一个数据位区域的磁性隧道结（MTJ）单元。 第一输入部分可以电连接到每个存储器轨道，并且可以输入磁畴运动信号以将存储在存储器轨道的数据位区域上的数据移动到相邻的数据位区域。 选择器可以从其上可以执行读取和/或写入操作的多个存储器轨道中选择存储器轨道。

    Multi-stack memory device
    8.
    发明授权
    Multi-stack memory device 有权
    多堆存储器件

    公开(公告)号：US08437160B2

    公开(公告)日：2013-05-07

    申请号：US11978583

    申请日：2007-10-30

    申请人： In-jun Hwang ,  Sung-hoon Choa ,  Young-jin Cho ,  Kee-won Kim

    发明人： In-jun Hwang ,  Sung-hoon Choa ,  Young-jin Cho ,  Kee-won Kim

    IPC分类号： G11C5/02

    CPC分类号： G11C5/02 ,  G11C11/16 ,  G11C19/0808 ,  G11C2213/71 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11551

    摘要： Provided is a multi-stack memory device that includes a storage unit group including a plurality of storage units that are vertically stacked and form a plurality of storage unit rows, and a plurality of transistors connected to the storage unit group, wherein the transistors that are connected to the storage units which are included in at least two rows of the plurality of the storage unit rows and are connected by a common wire. The common wire may be a gate line or a bit line.

    摘要翻译： 本发明提供一种多层存储装置，其特征在于，包括具有垂直堆叠的多个存储单元和多个存储单元行的存储单元组，以及与所述存储单元组连接的多个晶体管，其中， 连接到包含在多个存储单元行中的至少两行的存储单元，并通过公共线连接。 公共线可以是栅线或位线。

    Data storage device using magnetic domain wall movement and method of operating the same
    9.
    发明授权
    Data storage device using magnetic domain wall movement and method of operating the same 有权
    使用磁畴壁运动的数据存储装置及其操作方法

    公开(公告)号：US07952905B2

    公开(公告)日：2011-05-31

    申请号：US11764432

    申请日：2007-06-18

    申请人： In-jun Hwang ,  Young-jin Cho ,  Sung-hoon Choa ,  Kee-won Kim ,  Kwang-seok Kim

    发明人： In-jun Hwang ,  Young-jin Cho ,  Sung-hoon Choa ,  Kee-won Kim ,  Kwang-seok Kim

    IPC分类号： G11C19/00

    CPC分类号： G11C11/15 ,  G11C19/0808 ,  G11C19/0841

    摘要： Provided are a data storage device using magnetic domain wall movement and a method of operating the data storage device. The data storage device includes a first magnetic layer for writing data having two magnetic domains magnetized in opposite directions to each other and a second magnetic layer for storing data formed on at least one side of the first magnetic layer. The data storage device may further include a data recording device connected to both ends of the first magnetic layer and the end of the second magnetic layer which is not adjacent to the first magnetic layer, a read head formed a predetermined distance from the end of the second magnetic layer which is not adjacent to the first magnetic layer, and a current detector connected to the read head and the data recording device.

    摘要翻译： 提供了使用磁畴壁移动的数据存储装置和操作数据存储装置的方法。 数据存储装置包括用于写入具有彼此相反方向磁化的两个磁畴的数据的第一磁性层和用于存储形成在第一磁性层的至少一侧上的数据的第二磁性层。 数据存储装置还可以包括连接到第一磁性层的两端和不与第一磁性层相邻的第二磁性层的端部的数据记录装置，从头部的端部形成预定距离的读取头 与第一磁性层不相邻的第二磁性层和连接到读取头和数据记录装置的电流检测器。

    Semiconductor memory device and magneto-logic circuit
    10.
    发明授权
    Semiconductor memory device and magneto-logic circuit 有权
    半导体存储器件和磁逻辑电路

    公开(公告)号：US07755930B2

    公开(公告)日：2010-07-13

    申请号：US11976007

    申请日：2007-10-19

    申请人： Kee-won Kim ,  Young-jin Cho ,  Hyung-soon Shin ,  Sung-hoon Choa ,  Seung-jun Lee ,  In-jun Hwang

    发明人： Kee-won Kim ,  Young-jin Cho ,  Hyung-soon Shin ,  Sung-hoon Choa ,  Seung-jun Lee ,  In-jun Hwang

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： G11C11/1657 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  Y10S977/935

    摘要： Provided are a semiconductor memory device and a magneto-logic circuit which change the direction of a magnetically induced current according to a logical combination of logic states of a plurality of input values. The semiconductor memory device comprises a current driving circuit, a magnetic induction layer, and a resistance-variable element. The current driving circuit receives a plurality of input values and changes the direction of a magnetically induced current according to a logical combination of logic states of the input values. The magnetic induction layer induces magnetism having a direction varying according to the direction of the magnetically induced current. The resistance-variable element has a resistance varying according to the direction of the magnetism induced by the magnetic induction layer.

    摘要翻译： 提供了根据多个输入值的逻辑状态的逻辑组合来改变磁感应电流的方向的半导体存储器件和磁电逻辑电路。 半导体存储器件包括电流驱动电路，磁感应层和电阻可变元件。 电流驱动电路根据输入值的逻辑状态的逻辑组合接收多个输入值并改变磁感应电流的方向。 磁感应层诱导具有根据磁感应电流的方向变化的方向的磁性。 电阻可变元件具有根据由磁感应层感应的磁性方向而变化的电阻。