公开(公告)号：US09099473B2

公开(公告)日：2015-08-04

申请号：US13796449

申请日：2013-03-12

申请人： Taekjung Kim ,  Myung-Ho Kong ,  Heesook Park ,  Youngwook Park ,  Mansug Kang ,  Seonghwee Cheong

发明人： Taekjung Kim ,  Myung-Ho Kong ,  Heesook Park ,  Youngwook Park ,  Mansug Kang ,  Seonghwee Cheong

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/532 ,  H01L27/108 ,  H01L27/22 ,  H01L49/02 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L23/53266 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53271 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/228 ,  H01L28/91 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor memory device can include a first conductive line crossing over a field isolation region and crossing over an active region of the device, where the first conductive line can include a first conductive pattern being doped, a second conductive pattern, and a metal-silicon-nitride pattern between the first and second conductive patterns and can be configured to provide a contact at a lower boundary of the metal-silicon-nitride pattern with the first conductive pattern and configured to provide a diffusion barrier at an upper boundary of the metal-silicon-nitride pattern with the second conductive pattern.

摘要翻译： 半导体存储器件可以包括在场隔离区域上交叉并穿过器件的有源区的第一导线，其中第一导线可以包括被掺杂的第一导电图案，第二导电图案和金属硅 在第一和第二导电图案之间的氮化物图案，并且可以被配置为在金属 - 氮化硅图案的下边界处提供与第一导电图案的接触，并且被配置为在金属 - 氮化硅图案的上边界处提供扩散阻挡层， 具有第二导电图案的氮化硅图案。

公开(公告)号：US20150333013A1

公开(公告)日：2015-11-19

申请号：US14792979

申请日：2015-07-07

申请人： Taekjung Kim ,  Myung-Ho Kong ,  Heesook Park ,  Youngwook Park ,  Mansug Kang ,  Seonghwee Cheong

发明人： Taekjung Kim ,  Myung-Ho Kong ,  Heesook Park ,  Youngwook Park ,  Mansug Kang ,  Seonghwee Cheong

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L23/528 ,  H01L29/423 ,  H01L27/108 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L23/53266 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53271 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/228 ,  H01L28/91 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor memory device can include a first conductive line crossing over a field isolation region and crossing over an active region of the device, where the first conductive line can include a first conductive pattern being doped, a second conductive pattern, and a metal-silicon-nitride pattern between the first and second conductive patterns and can be configured to provide a contact at a lower boundary of the metal-silicon-nitride pattern with the first conductive pattern and configured to provide a diffusion barrier at an upper boundary of the metal-silicon-nitride pattern with the second conductive pattern.

摘要翻译： 半导体存储器件可以包括在场隔离区域上交叉并穿过器件的有源区的第一导线，其中第一导线可以包括被掺杂的第一导电图案，第二导电图案和金属硅 在第一和第二导电图案之间的氮化物图案，并且可以被配置为在金属 - 氮化硅图案的下边界处提供与第一导电图案的接触，并且被配置为在金属 - 氮化硅图案的上边界处提供扩散阻挡层， 具有第二导电图案的氮化硅图案。

公开(公告)号：US20140054775A1

公开(公告)日：2014-02-27

申请号：US13796449

申请日：2013-03-12

申请人： Taekjung Kim ,  Myung-Ho Kong ,  Heesook Park ,  Youngwook Park ,  Mansug Kang ,  Seonghwee Cheong

发明人： Taekjung Kim ,  Myung-Ho Kong ,  Heesook Park ,  Youngwook Park ,  Mansug Kang ,  Seonghwee Cheong

IPC分类号： H01L23/532

CPC分类号： H01L23/53266 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53271 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/228 ,  H01L28/91 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor memory device can include a first conductive line crossing over a field isolation region and crossing over an active region of the device, where the first conductive line can include a first conductive pattern being doped, a second conductive pattern, and a metal-silicon-nitride pattern between the first and second conductive patterns and can be configured to provide a contact at a lower boundary of the metal-silicon-nitride pattern with the first conductive pattern and configured to provide a diffusion barrier at an upper boundary of the metal-silicon-nitride pattern with the second conductive pattern.

摘要翻译： 半导体存储器件可以包括在场隔离区域上交叉并穿过器件的有源区的第一导线，其中第一导线可以包括被掺杂的第一导电图案，第二导电图案和金属硅 在第一和第二导电图案之间的氮化物图案，并且可以被配置为在金属 - 氮化硅图案的下边界处提供与第一导电图案的接触，并且被配置为在金属 - 氮化硅图案的上边界处提供扩散阻挡层， 具有第二导电图案的氮化硅图案。

公开(公告)号：US09318379B2

公开(公告)日：2016-04-19

申请号：US14939439

申请日：2015-11-12

申请人： Eun-Ok Lee ,  Nam-Gun Kim ,  Gyuhwan Oh ,  Heesook Park ,  Hyun-Jung Lee ,  Kyungho Jang

发明人： Eun-Ok Lee ,  Nam-Gun Kim ,  Gyuhwan Oh ,  Heesook Park ,  Hyun-Jung Lee ,  Kyungho Jang

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L23/5329 ,  H01L21/764 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76889 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/53209 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10888 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A spacer covering a sidewall of a contact plug includes a relatively more damaged first portion and a relatively less damaged second portion. An interface of the first and second portions of the spacer is spaced apart from a metal silicide layer of the contact plug. Thus reliability of the semiconductor device may be improved. Related fabrication methods are also described.

摘要翻译： 覆盖接触塞的侧壁的间隔件包括相对更受损的第一部分和相对较少受损的第二部分。 间隔物的第一和第二部分的界面与接触塞的金属硅化物层间隔开。 因此，可以提高半导体器件的可靠性。 还描述了相关的制造方法。

公开(公告)号：US07939401B2

公开(公告)日：2011-05-10

申请号：US12618044

申请日：2009-11-13

申请人： Heesook Park ,  Jaehwa Park ,  Janghee Lee ,  Geumjung Seong ,  Byunghak Lee ,  Dongchan Lim ,  Taeho Cha

发明人： Heesook Park ,  Jaehwa Park ,  Janghee Lee ,  Geumjung Seong ,  Byunghak Lee ,  Dongchan Lim ,  Taeho Cha

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823842

摘要： In one embodiment, a semiconductor device includes at least two stacked gate structures formed on a substrate. The two stacked gate structures each include a semiconductor layer and a metal layer over the semiconductor layer. The two stacked gate structures on the substrate are characterized by differential intermediate layers, one of the two structures including an ohmic layer and the other of the two structures not including an ohmic layer.

摘要翻译： 在一个实施例中，半导体器件包括形成在衬底上的至少两个堆叠栅极结构。 两个堆叠的栅极结构各自包括在半导体层上的半导体层和金属层。 衬底上的两个堆叠的栅极结构的特征在于差分中间层，两个结构中的一个结构包括欧姆层，并且两个结构中的另一个不包括欧姆层。

公开(公告)号：US07635897B2

公开(公告)日：2009-12-22

申请号：US11354599

申请日：2006-02-14

申请人： Heesook Park ,  Jaehwa Park ,  Janghee Lee ,  Geumjung Seong ,  Byunghak Lee ,  Dongchan Lim ,  Taeho Cha

发明人： Heesook Park ,  Jaehwa Park ,  Janghee Lee ,  Geumjung Seong ,  Byunghak Lee ,  Dongchan Lim ,  Taeho Cha

IPC分类号： H01L23/62

CPC分类号： H01L21/823842

摘要： In one embodiment, a semiconductor device includes at least two stacked gate structures formed on a substrate. The two stacked gate structures each include a semiconductor layer and a metal layer over the semiconductor layer. The two stacked gate structures on the substrate are characterized by differential intermediate layers, one of the two structures including an ohmic layer and the other of the two structures not including an ohmic layer.

摘要翻译： 在一个实施例中，半导体器件包括形成在衬底上的至少两个堆叠栅极结构。 两个堆叠的栅极结构各自包括在半导体层上的半导体层和金属层。 衬底上的两个堆叠的栅极结构的特征在于差分中间层，两个结构中的一个结构包括欧姆层，并且两个结构中的另一个不包括欧姆层。

公开(公告)号：US20160197042A1

公开(公告)日：2016-07-07

申请号：US15071452

申请日：2016-03-16

申请人： EUN-OK LEE ,  Nam-Gun Kim ,  Gyuhwan Oh ,  Heesook Park ,  Hyun-Jung Lee ,  Kyungho Jang

发明人： EUN-OK LEE ,  Nam-Gun Kim ,  Gyuhwan Oh ,  Heesook Park ,  Hyun-Jung Lee ,  Kyungho Jang

IPC分类号： H01L23/532

CPC分类号： H01L23/5329 ,  H01L21/764 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76889 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/53209 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10888 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A spacer covering a sidewall of a contact plug includes a relatively more damaged first portion and a relatively less damaged second portion. An interface of the first and second portions of the spacer is spaced apart from a metal silicide layer of the contact plug. Thus reliability of the semiconductor device may be improved. Related fabrication methods are also described.

摘要翻译： 覆盖接触塞的侧壁的间隔件包括相对更受损的第一部分和相对较少受损的第二部分。 间隔物的第一和第二部分的界面与接触塞的金属硅化物层间隔开。 因此，可以提高半导体器件的可靠性。 还描述了相关的制造方法。

公开(公告)号：US09214382B2

公开(公告)日：2015-12-15

申请号：US14290620

申请日：2014-05-29

申请人： Eun-Ok Lee ,  Nam-Gun Kim ,  Gyuhwan Oh ,  Heesook Park ,  Hyun-Jung Lee ,  Kyungho Jang

发明人： Eun-Ok Lee ,  Nam-Gun Kim ,  Gyuhwan Oh ,  Heesook Park ,  Hyun-Jung Lee ,  Kyungho Jang

IPC分类号： H01L21/764 ,  H01L27/108

CPC分类号： H01L23/5329 ,  H01L21/764 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76889 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/53209 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10888 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A spacer covering a sidewall of a contact plug includes a relatively more damaged first portion and a relatively less damaged second portion. An interface of the first and second portions of the spacer is spaced apart from a metal silicide layer of the contact plug. Thus reliability of the semiconductor device may be improved. Related fabrication methods are also described.

摘要翻译： 覆盖接触塞的侧壁的间隔件包括相对更受损的第一部分和相对较少受损的第二部分。 间隔物的第一和第二部分的界面与接触塞的金属硅化物层间隔开。 因此，可以提高半导体器件的可靠性。 还描述了相关的制造方法。

公开(公告)号：US20100055891A1

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：US12618044

申请日：2009-11-13

申请人： Heesook Park ,  Jachwa Park ,  Janghee Lee ,  Geumjung Seong ,  Byunghak Lee ,  Dongchan Lim ,  Taeho Cha

发明人： Heesook Park ,  Jachwa Park ,  Janghee Lee ,  Geumjung Seong ,  Byunghak Lee ,  Dongchan Lim ,  Taeho Cha

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/823842

摘要： In one embodiment, a semiconductor device includes at least two stacked gate structures formed on a substrate. The two stacked gate structures each include a semiconductor layer and a metal layer over the semiconductor layer. The two stacked gate structures on the substrate are characterized by differential intermediate layers, one of the two structures including an ohmic layer and the other of the two structures not including an ohmic layer.

摘要翻译： 在一个实施例中，半导体器件包括形成在衬底上的至少两个堆叠栅极结构。 两个堆叠的栅极结构各自包括在半导体层上的半导体层和金属层。 衬底上的两个堆叠的栅极结构的特征在于差分中间层，两个结构中的一个结构包括欧姆层，并且两个结构中的另一个不包括欧姆层。

公开(公告)号：US20070034964A1

公开(公告)日：2007-02-15

申请号：US11354599

申请日：2006-02-14

申请人： Heesook Park ,  Jaehwa Park ,  Janghee Lee ,  Geumjung Seong ,  Byunghak Lee ,  Dongchan Lim ,  Taeho Cha

发明人： Heesook Park ,  Jaehwa Park ,  Janghee Lee ,  Geumjung Seong ,  Byunghak Lee ,  Dongchan Lim ,  Taeho Cha

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L21/823842

摘要： In one embodiment, a semiconductor device includes at least two stacked gate structures formed on a substrate. The two stacked gate structures each include a semiconductor layer and a metal layer over the semiconductor layer. The two stacked gate structures on the substrate are characterized by differential intermediate layers, one of the two structures including an ohmic layer and the other of the two structures not including an ohmic layer.

摘要翻译： 在一个实施例中，半导体器件包括形成在衬底上的至少两个堆叠栅极结构。 两个堆叠的栅极结构各自包括在半导体层上的半导体层和金属层。 衬底上的两个堆叠的栅极结构的特征在于差分中间层，两个结构中的一个结构包括欧姆层，并且两个结构中的另一个不包括欧姆层。