公开(公告)号：US09111768B2

公开(公告)日：2015-08-18

申请号：US14486923

申请日：2014-09-15

申请人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.

发明人： Chia-Yu Lu ,  Shyue-Shyh Lin ,  Chin-Shan Hou ,  Kuo-Feng Yu ,  Tung-Heng Hsieh ,  Chih-Hung Wang ,  Jian-Hao Chen

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L27/13 ,  H01L27/06 ,  H01L49/02 ,  H01L23/485 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L27/0629 ,  H01L21/76811 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5228 ,  H01L27/0688 ,  H01L28/20 ,  H01L28/24 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Semiconductor devices, methods of manufacture thereof, and methods of forming resistors are disclosed. In one embodiment, a method of manufacturing a semiconductor device includes forming a first insulating material over a workpiece, and forming a conductive chemical compound material over the first insulating material. The conductive chemical compound material is patterned to form a resistor. A second insulating material is formed over the resistor, and the second insulating material is patterned. The patterned second insulating material is filled with a conductive material to form a first contact coupled to a first end of the resistor and to form a second contact coupled to a second end of the resistor.

摘要翻译： 公开了半导体器件，其制造方法和形成电阻器的方法。 在一个实施例中，制造半导体器件的方法包括在工件上形成第一绝缘材料，并在第一绝缘材料上形成导电化合物材料。 将导电化合物材料图案化以形成电阻器。 第二绝缘材料形成在电阻器上，第二绝缘材料被图案化。 图案化的第二绝缘材料填充有导电材料以形成耦合到电阻器的第一端的第一触点，并形成耦合到电阻器的第二端的第二触点。

公开(公告)号：US09281356B2

公开(公告)日：2016-03-08

申请号：US14586013

申请日：2014-12-30

申请人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.

发明人： King-Yuen Wong ,  Chia-Pin Lin ,  Chia-Yu Lu ,  Yi-Cheng Tsai ,  Da-Wen Lin ,  Kuo-Feng Yu

IPC分类号： H01L49/02 ,  H01L27/06 ,  H01L29/8605 ,  H01L21/265 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L28/20 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/823437 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/8605

摘要： A method of fabricating a semiconductor device is disclosed. The method includes providing a substrate including an isolation region, forming a resistor over the isolation region, and forming a contact over the resistor. The method also includes implanting with a dopant concentration that is step-increased at a depth of the resistor and that remains substantially constant as depth increases.

摘要翻译： 公开了制造半导体器件的方法。 该方法包括提供包括隔离区域的衬底，在隔离区域上形成电阻器，以及在电阻器上形成接触。 该方法还包括以在电阻器的深度处逐步增加的掺杂剂浓度进行注入，并且随着深度增加而保持基本恒定。

公开(公告)号：US20150111361A1

公开(公告)日：2015-04-23

申请号：US14586013

申请日：2014-12-30

申请人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.

发明人： King-Yuen Wong ,  Chia-Pin Lin ,  Chia-Yu Lu ,  Yi-Cheng Tsai ,  Da-Wen Lin ,  Kuo-Feng Yu

IPC分类号： H01L49/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L28/20 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/823437 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/8605

摘要： A method of fabricating a semiconductor device is disclosed. The method includes providing a substrate including an isolation region, forming a resistor over the isolation region, and forming a contact over the resistor. The method also includes implanting with a dopant concentration that is step-increased at a depth of the resistor and that remains substantially constant as depth increases.

摘要翻译： 公开了制造半导体器件的方法。 该方法包括提供包括隔离区域的衬底，在隔离区域上形成电阻器，以及在电阻器上形成接触。 该方法还包括以在电阻器的深度处逐步增加的掺杂剂浓度进行注入，并且随着深度增加而保持基本恒定。

公开(公告)号：US09412870B2

公开(公告)日：2016-08-09

申请号：US14833268

申请日：2015-08-24

申请人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.

发明人： King-Yuen Wong ,  Chia-Yu Lu ,  Chien-Chang Su ,  Yen-Chun Lin ,  Yi-Fang Pai ,  Da-Wen Lin

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8249 ,  H01L29/66 ,  H01L29/08 ,  H01L29/165 ,  H01L27/06 ,  H01L29/04 ,  H01L29/167

CPC分类号： H01L29/0847 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/045 ,  H01L29/165 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

摘要： A device includes a substrate and a recess in the substrate. The recess has a bottom and sidewalls. The device also includes a first epitaxial layer over the bottom of the recess, and a second epitaxial layer over the first epitaxial layer and over the sidewalls of the recess, the second epitaxial layer having a different lattice constant than the substrate. The device further includes a third epitaxial layer over the second epitaxial layer and filling the recess.

摘要翻译： 一种器件包括衬底和衬底中的凹部。 凹槽具有底部和侧壁。 该器件还包括在凹槽的底部上的第一外延层，以及位于第一外延层上方的第二外延层，并且在凹槽的侧壁之上，第二外延层具有与衬底不同的晶格常数。 该器件还包括在第二外延层上方的第三外延层并填充凹陷。

公开(公告)号：US20150364602A1

公开(公告)日：2015-12-17

申请号：US14833268

申请日：2015-08-24

申请人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.

发明人： King-Yuen Wong ,  Chia-Yu Lu ,  Chien-Chang Su ,  Yen-Chun Lin ,  Yi-Fang Pai ,  Da-Wen Lin

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L21/02 ,  H01L29/167 ,  H01L29/04 ,  H01L27/06 ,  H01L29/66 ,  H01L29/165

CPC分类号： H01L29/0847 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/045 ,  H01L29/165 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

摘要： A device includes a substrate and a recess in the substrate. The recess has a bottom and sidewalls. The device also includes a first epitaxial layer over the bottom of the recess, and a second epitaxial layer over the first epitaxial layer and over the sidewalls of the recess, the second epitaxial layer having a different lattice constant than the substrate. The device further includes a third epitaxial layer over the second epitaxial layer and filling the recess.

摘要翻译： 一种器件包括衬底和衬底中的凹部。 凹槽具有底部和侧壁。 该器件还包括在凹槽的底部上的第一外延层，以及位于第一外延层上方的第二外延层，并且在凹槽的侧壁之上，第二外延层具有与衬底不同的晶格常数。 该器件还包括在第二外延层上方的第三外延层并填充凹陷。

公开(公告)号：US20150001678A1

公开(公告)日：2015-01-01

申请号：US14486923

申请日：2014-09-15

申请人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.

发明人： Chia-Yu Lu ,  Shyue-Shyh Lin ,  Chin-Shan Hou ,  Kuo-Feng Yu ,  Tung-Heng Hsieh ,  Chih-Hung Wang ,  Jian-Hao Chen

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L49/02

CPC分类号： H01L27/0629 ,  H01L21/76811 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5228 ,  H01L27/0688 ,  H01L28/20 ,  H01L28/24 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Semiconductor devices, methods of manufacture thereof, and methods of forming resistors are disclosed. In one embodiment, a method of manufacturing a semiconductor device includes forming a first insulating material over a workpiece, and forming a conductive chemical compound material over the first insulating material. The conductive chemical compound material is patterned to form a resistor. A second insulating material is formed over the resistor, and the second insulating material is patterned. The patterned second insulating material is filled with a conductive material to form a first contact coupled to a first end of the resistor and to form a second contact coupled to a second end of the resistor.

摘要翻译： 公开了半导体器件，其制造方法和形成电阻器的方法。 在一个实施例中，制造半导体器件的方法包括在工件上形成第一绝缘材料，并在第一绝缘材料上形成导电化合物材料。 将导电化合物材料图案化以形成电阻器。 第二绝缘材料形成在电阻器上，第二绝缘材料被图案化。 图案化的第二绝缘材料填充有导电材料以形成耦合到电阻器的第一端的第一触点，并形成耦合到电阻器的第二端的第二触点。