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    PATTERN CORRECTING METHOD, MASK FORMING METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
    6.
    发明申请
    PATTERN CORRECTING METHOD, MASK FORMING METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
    图案校正方法，掩模形成方法和制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：US20120246601A1

    公开(公告)日：2012-09-27

    申请号：US13237435

    申请日：2011-09-20

    申请人： Masanari KAJIWARA ,  Toshiya KOTANI ,  Sachiko KOBAYASHI ,  Hiromitsu MASHITA ,  Fumiharu NAKAJIMA

    发明人： Masanari KAJIWARA ,  Toshiya KOTANI ,  Sachiko KOBAYASHI ,  Hiromitsu MASHITA ,  Fumiharu NAKAJIMA

    IPC分类号： G06F17/50

    CPC分类号： G03F1/36 ,  G03F1/70 ,  G03F7/70441

    摘要： A pattern correcting method of an embodiment computes a distribution of pattern coverages on a design layout of a circuit pattern in the vicinity of a position that becomes an error pattern in a case where an on-substrate pattern is formed. Then, an area on the design layout in which a difference in the distribution of the pattern coverages becomes small by adding an addition pattern is set as an addition area. Next, addition pattern candidates to be added to the addition area are generated, an addition pattern to be added to the design layout is selected from the candidates on the basis of a predetermined selection criterion, and the addition pattern is added to the addition area.

    摘要翻译： 实施例的图案校正方法在形成有衬底图案的情况下，在成为误差图案的位置附近的电路图案的设计布局上计算图案覆盖率的分布。 然后，通过添加加法图案，设置图案覆盖物的分布差异变小的设计布局上的区域作为附加区域。 接下来，生成要添加到相加区域的添加模式候选，并根据预定的选择标准从候选中选择要添加到设计布局的添加模式，并将添加模式添加到添加区域。

    PATTERN EVALUATING METHOD, PATTERN GENERATING METHOD, AND COMPUTER PROGRAM PRODUCT
    8.
    发明申请
    PATTERN EVALUATING METHOD, PATTERN GENERATING METHOD, AND COMPUTER PROGRAM PRODUCT 审中-公开
    模式评估方法，图案生成方法和计算机程序产品

    公开(公告)号：US20110029937A1

    公开(公告)日：2011-02-03

    申请号：US12836235

    申请日：2010-07-14

    申请人： Katsuyoshi KODERA ,  Satoshi TANAKA ,  Toshiya KOTANI ,  Shigeki NOJIMA ,  Soichi INOUE

    发明人： Katsuyoshi KODERA ,  Satoshi TANAKA ,  Toshiya KOTANI ,  Shigeki NOJIMA ,  Soichi INOUE

    IPC分类号： G06F17/50

    CPC分类号： G03F7/70441

    摘要： A pattern evaluating method includes generating a proximity pattern that affects a resolution performance of a circuit pattern around a lithography target pattern of the circuit pattern to be formed on the substrate, generating distribution information on a distribution of an influence degree to the resolution performance of the circuit pattern by using the lithography target pattern, calculating the influence degree to the resolution performance of the circuit pattern by the proximity pattern as a score by comparing the distribution information with the proximity pattern, and evaluating whether the proximity pattern is placed at an appropriate position in accordance with the circuit pattern based on the score.

    摘要翻译： 模式评估方法包括：生成接近图案，其影响围绕要形成在基板上的电路图案的光刻目标图案周围的电路图案的分辨率性能，产生关于影响程度分布的分布信息， 通过使用光刻目标图案，通过将分布信息与接近图案进行比较，计算通过邻近图案作为分数的电路图案的分辨率性能的影响程度，以及评估接近图案是否位于适当位置 根据电路图案的分数。

    Pattern Verification Method, Pattern Verification System, Mask Manufacturing Method and Semiconductor Device Manufacturing Method
    9.
    发明申请
    Pattern Verification Method, Pattern Verification System, Mask Manufacturing Method and Semiconductor Device Manufacturing Method 审中-公开
    模式验证方法，模式验证系统，掩模制造方法和半导体器件制造方法

    公开(公告)号：US20120054695A1

    公开(公告)日：2012-03-01

    申请号：US13289630

    申请日：2011-11-04

    申请人： Kyoko IZUHA ,  Shigeki NOJIMA ,  Toshiya KOTANI ,  Satoshi TANAKA

    发明人： Kyoko IZUHA ,  Shigeki NOJIMA ,  Toshiya KOTANI ,  Satoshi TANAKA

    IPC分类号： G06F17/50

    CPC分类号： G03F7/70441 ,  G03F1/36

    摘要： A pattern verification method comprising preparing a desired pattern and a mask pattern forming the desired pattern on a substrate, defining at least one evaluation point on an edge of the desired pattern, defining at least one process parameter to compute the transferred/formed pattern, defining a reference value and a variable range for each of the process parameters, computing a positional displacement for each first points corresponding to the evaluation point, first points computed using correction mask pattern and a plurality of combinations of parameter values obtained by varying the process parameters within the variable range or within the respective variable ranges, the positional displacement being displacement between first point and the evaluation point, computing a statistics of the positional displacements for each of the evaluation points, and outputting information modifying the mask pattern according to the statistics.

    摘要翻译： 一种图案验证方法，包括在衬底上制备期望图案和形成期望图案的掩模图案，在期望图案的边缘上限定至少一个评估点，限定至少一个工艺参数以计算所转印/形成的图案，定义 对于每个过程参数的参考值和可变范围，计算与评估点相对应的每个第一点的位置位移，使用校正掩模图案计算的第一点和通过改变其中的处理参数而获得的参数值的多个组合 可变范围或在各个可变范围内，位置偏移是第一点和评估点之间的位移，计算每个评估点的位置偏移的统计，以及根据统计信息输出修改掩模图案的信息。