公开(公告)号：US20120061732A1

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：US13228938

申请日：2011-09-09

申请人： Takahiro HIRAI ,  Tsukasa NAKAI ,  Kohichi KUBO ,  Chikayoshi KAMATA ,  Takayuki TSUKAMOTO ,  Shinya AOKI

发明人： Takahiro HIRAI ,  Tsukasa NAKAI ,  Kohichi KUBO ,  Chikayoshi KAMATA ,  Takayuki TSUKAMOTO ,  Shinya AOKI

IPC分类号： H01L27/10 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L27/0688 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1675

摘要： According to one embodiment, an information recording/reproducing device including a semiconductor substrate, a first interconnect layer on the semiconductor substrate, a first memory cell array layer on the first interconnect layer, and a second interconnect layer on the first memory cell array layer. The first memory cell array layer comprises an insulating layer having an alignment mark, and a stacked layer structure on the insulating layer and including a storage layer and an electrode layer. All of the layers in the stacked layer structure comprises a material with a permeability of visible light of 1% or more.

摘要翻译： 根据一个实施例，一种信息记录/再现装置，包括半导体衬底，半导体衬底上的第一互连层，第一互连层上的第一存储单元阵列层和第一存储单元阵列层上的第二互连层。 第一存储单元阵列层包括具有对准标记的绝缘层和绝缘层上的堆叠层结构，并且包括存储层和电极层。 堆叠层结构中的所有层包括具有1％或更高的可见光透过率的材料。

公开(公告)号：US20110006277A1

公开(公告)日：2011-01-13

申请号：US12885719

申请日：2010-09-20

申请人： Kohichi KUBO ,  Chikayoshi KAMATA ,  Takayuki TSUKAMOTO ,  Shinya AOKI ,  Takahiro HIRAI ,  Tsukasa NAKAI ,  Toshiro HIRAOKA

发明人： Kohichi KUBO ,  Chikayoshi KAMATA ,  Takayuki TSUKAMOTO ,  Shinya AOKI ,  Takahiro HIRAI ,  Tsukasa NAKAI ,  Toshiro HIRAOKA

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L27/101 ,  B82Y10/00 ,  G11B9/04 ,  G11B9/149 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/53 ,  G11C2213/55 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/75 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/147

摘要： According to one embodiment, an information recording and reproducing device includes a first layer, a second layer and a recording layer. The recording layer is provided between the first layer and the second layer and being capable of reversibly changing between a first state having a first resistance and a second state having a second resistance higher than the first resistance by a current supplied via the first layer and the second layer. The recording layer includes a first compound layer and an insulating layer. The first compound layer contains a first compound. The first compound includes a first cation element and a second cation element of a type different from the first cation element. The insulating layer contains a third compound, and the third compound includes an element selected from group 1 to 4 elements and group 12 to 17 elements in the periodic table.

摘要翻译： 根据一个实施例，信息记录和再现装置包括第一层，第二层和记录层。 记录层设置在第一层和第二层之间，并且能够通过经由第一层提供的电流在具有第一电阻的第一状态和具有比第一电阻高的第二电阻的第二状态之间可逆地改变， 第二层。 记录层包括第一化合物层和绝缘层。 第一化合物层含有第一化合物。 第一化合物包括第一阳离子元件和不同于第一阳离子元件的第二阳离子元件。 绝缘层包含第三化合物，第三化合物包括选自元素周期表中第1至4族元素和第12至17族元素的元素。

公开(公告)号：US20080239932A1

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：US12057938

申请日：2008-03-28

申请人： Chikayoshi KAMATA ,  Kohichi KUBO ,  Takayuki TSUKAMOTO ,  Shinya AOKI ,  Takahiro HIRAI ,  Toshiro HIRAOKA

发明人： Chikayoshi KAMATA ,  Kohichi KUBO ,  Takayuki TSUKAMOTO ,  Shinya AOKI ,  Takahiro HIRAI ,  Toshiro HIRAOKA

IPC分类号： G11B9/00

CPC分类号： G11B9/04 ,  G11C5/02 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/72

摘要： A nonvolatile information recording and reproducing device exhibits low power consumption and high thermal stability. The information recording and reproducing apparatus according to an aspect of the present invention includes a recording layer and a unit for recording information by applying a voltage to the recording layer to generate a resistance change to be caused due to a phase change in the recording layer. The recording layer includes a material having a ramsdelite structure.

摘要翻译： 非易失性信息记录和再现装置具有低功耗和高热稳定性。 根据本发明的一个方面的信息记录和再现装置包括记录层和用于通过向记录层施加电压来记录信息的单元，以产生由于记录层的相位变化而引起的电阻变化。 记录层包括具有斜纹结构的材料。

公开(公告)号：US20100142262A1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：US12636646

申请日：2009-12-11

申请人： Takayuki TSUKAMOTO ,  Kohichi KUBO ,  Chikayoshi KAMATA ,  Takahiro HIRAI ,  Shinya AOKI ,  Toshiro HIRAOKA

发明人： Takayuki TSUKAMOTO ,  Kohichi KUBO ,  Chikayoshi KAMATA ,  Takahiro HIRAI ,  Shinya AOKI ,  Toshiro HIRAOKA

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： H01L45/147 ,  B82Y10/00 ,  G11B9/04 ,  G11B9/149 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C16/3427 ,  G11C2213/53 ,  G11C2213/75 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1625

摘要： An information recording and reproducing apparatus, includes: a recording layer including a first layer including a first compound, the first compound being a conjugated compound including at least two types of cation elements, at least one selected from the cation elements being a transition element having a d orbit incompletely filled by electrons, a shortest distance between adjacent cation elements being not more than 0.32 nm; a voltage application unit that applies a voltage to the recording layer, produces a phase change in the recording layer, and records information; an electrode layer that applies a voltage to the recording layer; and an orientation control layer provided between the recording layer and the electrode layer to control an orientation of the recording layer.

摘要翻译： 一种信息记录和再现装置，包括：记录层，包括第一层，第一层包括第一化合物，第一化合物是包含至少两种阳离子元素的共轭化合物，选自阳离子元素中的至少一种是具有 ad轨道不完全填充电子，相邻阳离子元素之间的最短距离不大于0.32nm; 向记录层施加电压的电压施加单元，在记录层中产生相变，记录信息; 向记录层施加电压的电极层; 以及设置在记录层和电极层之间的取向控制层，以控制记录层的取向。