公开(公告)号：US20110233509A1

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：US13052179

申请日：2011-03-21

申请人： Takashi SHIGEOKA ,  Tetsuji Kunitake ,  Hisashi Kato ,  Kenji Aoyama ,  Kensuke Takahashi

发明人： Takashi SHIGEOKA ,  Tetsuji Kunitake ,  Hisashi Kato ,  Kenji Aoyama ,  Kensuke Takahashi

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/08 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2418 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1675

摘要： According to one embodiment, a nonvolatile memory device including a nonvolatile memory layer is provided. The nonvolatile memory layer is formed of a metal oxide film that includes an element with a higher electronegativity compared with a metal element forming the metal oxide film in the metal oxide film at a concentration of 25 at % or less.

摘要翻译： 根据一个实施例，提供了包括非易失性存储器层的非易失性存储器件。 与金属氧化物膜中形成金属氧化物膜的金属元素浓度为25at％以下的金属氧化物膜相比，非易失性存储层由金属氧化物膜形成，该金属氧化物膜具有电负性高的元素。

公开(公告)号：US20110233502A1

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：US13051650

申请日：2011-03-18

申请人： Takashi SHIGEOKA ,  Tetsuji Kunitake ,  Hisashi Kato ,  Kenji Aoyama ,  Kensuke Takahashi

发明人： Takashi SHIGEOKA ,  Tetsuji Kunitake ,  Hisashi Kato ,  Kenji Aoyama ,  Kensuke Takahashi

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/1233 ,  G11C13/0007 ,  G11C2013/0083 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

摘要： According to one embodiment, a nonvolatile memory device is provided, which includes a nonvolatile memory element in which an anode, a nonvolatile memory layer formed of a metal oxide film, and a cathode are stacked. The anode is formed of a metal nitride material and includes nitrogen more than a stoichiometric ratio of the metal nitride material. The cathode is formed of a metal material.

摘要翻译： 根据一个实施例，提供了一种非易失性存储器件，其包括其中堆叠阳极，由金属氧化物膜形成的非易失性存储层和阴极的非易失性存储元件。 阳极由金属氮化物材料形成，并且包括超过金属氮化物材料的化学计量比的氮。 阴极由金属材料形成。

公开(公告)号：US20090124080A1

公开(公告)日：2009-05-14

申请号：US12351906

申请日：2009-01-12

申请人： Takashi SHIGEOKA ,  Shoichi Miyazaki

发明人： Takashi SHIGEOKA ,  Shoichi Miyazaki

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11529

摘要： A semiconductor device includes a semiconductor substrate, a first memory cell transistor, a first select gate transistor, a second memory cell transistor, a second select gate transistor, a contact plug, silicon oxide films, and plasma films which are formed as the same layer as the silicon oxide films and are provided above upper surfaces of the first and the third gate electrodes.

摘要翻译： 半导体器件包括形成为相同层的半导体衬底，第一存储单元晶体管，第一选择栅极晶体管，第二存储单元晶体管，第二选择栅极晶体管，接触插塞，氧化硅膜和等离子体膜 作为氧化硅膜，并且设置在第一和第三栅电极的上表面之上。

公开(公告)号：US20100315857A1

公开(公告)日：2010-12-16

申请号：US12755891

申请日：2010-04-07

申请人： Takeshi SONEHARA ,  Takayuki OKAMURA ,  Takashi SHIGEOKA ,  Masaki KONDO

发明人： Takeshi SONEHARA ,  Takayuki OKAMURA ,  Takashi SHIGEOKA ,  Masaki KONDO

IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L45/00

CPC分类号： G11C13/0004 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C13/025 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/76 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2418 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233

摘要： A resistance change memory includes a first conductive line extending in a first direction, a second conductive line extending in a second direction which is crossed to the first direction, a cell unit including a memory element and a rectifying element connected in series between the first and second conductive lines, and a control circuit which is connected to both of the first and second conductive lines. The control circuit controls a voltage to change a resistance of the memory element between first and second values reversibly. The rectifying element is a diode including an anode layer, a cathode layer and an insulating layer therebetween.

摘要翻译： 电阻变化存储器包括沿第一方向延伸的第一导电线，在与第一方向交叉的第二方向上延伸的第二导线，包括存储元件和整流元件的电池单元，串联连接在第一和第 第二导线，以及连接到第一和第二导线两者的控制电路。 控制电路控制电压以可逆地改变第一和第二值之间的存储元件的电阻。 整流元件是包括阳极层，阴极层和绝缘层的二极管。