公开(公告)号：US20110057246A1

公开(公告)日：2011-03-10

申请号：US12886202

申请日：2010-09-20

申请人： Takeshi ARAKI ,  Takeshi YAMAGUCHI ,  Mariko HAYASHI ,  Kohichi KUBO ,  Takayuki TSUKAMOTO

发明人： Takeshi ARAKI ,  Takeshi YAMAGUCHI ,  Mariko HAYASHI ,  Kohichi KUBO ,  Takayuki TSUKAMOTO

IPC分类号： H01L29/788 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/101 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/743 ,  G11B9/04 ,  G11B9/1472 ,  G11B9/149 ,  G11C11/22 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

摘要： According to one embodiment, a non-volatile memory device includes a stacked structure and a voltage application portion. The stacked structure includes a memory portion, and an electrode stacked with the memory portion and having a surface having a portion facing the memory portion. The voltage application portion applies a voltage to the memory portion to cause a change in a resistance in the memory portion to store information. The surface includes a first region and a second region. The first region contains at least one of a metallic element, Si, Ga, and As. The first region is conductive. The second region contains at least one of the metallic element, Si, Ga, and As, and has a content ratio of nonmetallic element higher than a content ratio of nonmetallic element in the first region. At least one of the first region and the second region has an anisotropic shape on the surface.

摘要翻译： 根据一个实施例，非易失性存储器件包括堆叠结构和电压施加部分。 堆叠结构包括存储部分和与存储器部分堆叠并具有面向存储部分的部分的表面的电极。 电压施加部分向存储器部分施加电压以引起存储器部分中的电阻的变化以存储信息。 表面包括第一区域和第二区域。 第一区域包含金属元素Si，Ga和As中的至少一种。 第一个区域是导电的。 第二区域包含金属元素Si，Ga和As中的至少一种，并且具有高于第一区域中的非金属元素的含量比的非金属元素的含量比。 第一区域和第二区域中的至少一个在表面上具有各向异性的形状。

公开(公告)号：US20100238702A1

公开(公告)日：2010-09-23

申请号：US12559931

申请日：2009-09-15

申请人： Takeshi YAMAGUCHI ,  Mariko HAYASHI ,  Hirofumi INOUE ,  Takeshi ARAKI ,  Koichi KUBO

发明人： Takeshi YAMAGUCHI ,  Mariko HAYASHI ,  Hirofumi INOUE ,  Takeshi ARAKI ,  Koichi KUBO

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/33 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021

摘要： A memory array includes a memory cell, the memory cell being disposed between a first line and a second line and being configured by a variable resistor and a rectifier connected in series. The variable resistor is a mixture of silicon oxide (SiO2) and a transition metal oxide, a proportion of the transition metal oxide being set to 55˜80%.

摘要翻译： 存储器阵列包括存储器单元，存储单元设置在第一线路和第二线路之间，并且由可变电阻器和串联连接的整流器构成。 可变电阻器是氧化硅（SiO 2）和过渡金属氧化物的混合物，过渡金属氧化物的比例设定为55〜80％。