公开(公告)号：US20090085147A1

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：US12031895

申请日：2008-02-15

申请人： Takeshi Ishiguro ,  Kenji Sugiura ,  Hugh J. Griffin

发明人： Takeshi Ishiguro ,  Kenji Sugiura ,  Hugh J. Griffin

IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L27/00

CPC分类号： H01L29/0634

摘要： A method of manufacturing a superjunction device includes providing a semiconductor wafer having at least one die. At least one first trench having a first orientation is formed in the at least one die. At least one second trench having a second orientation that is different from the first orientation is formed in the at least one die.

摘要翻译： 制造超结装置的方法包括提供具有至少一个管芯的半导体晶片。 在至少一个管芯中形成具有第一取向的至少一个第一沟槽。 在至少一个管芯中形成具有不同于第一取向的第二取向的至少一个第二沟槽。

公开(公告)号：US08114751B2

公开(公告)日：2012-02-14

申请号：US12914623

申请日：2010-10-28

申请人： Takeshi Ishiguro ,  Hugh J. Griffin ,  Kenji Sugiura

发明人： Takeshi Ishiguro ,  Hugh J. Griffin ,  Kenji Sugiura

IPC分类号： H01L21/425

CPC分类号： H01L21/26586 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0634

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device includes providing a semiconductor wafer and forming at least one first trench in the wafer having first and second sidewalls and a first orientation on the wafer. The first sidewall of the at least one first trench is implanted with a dopant of a first conductivity at a first implantation direction. The first sidewall of the at least one first trench is implanted with the dopant of the first conductivity at a second implantation direction. The second implantation direction is orthogonal to the first implantation direction. The first and second implantation directions are non-orthogonal to the first sidewall.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括提供半导体晶片并且在晶片中形成具有第一和第二侧壁的晶片中的至少一个第一沟槽和在晶片上的第一取向。 所述至少一个第一沟槽的第一侧壁在第一注入方向上注入具有第一导电性的掺杂剂。 至少一个第一沟槽的第一侧壁在第二植入方向上注入第一导电性的掺杂剂。 第二注入方向与第一注入方向正交。 第一和第二注入方向与第一侧壁不正交。

公开(公告)号：US07846821B2

公开(公告)日：2010-12-07

申请号：US12371025

申请日：2009-02-13

申请人： Takeshi Ishiguro ,  Hugh J. Griffin ,  Kenji Sugiura

发明人： Takeshi Ishiguro ,  Hugh J. Griffin ,  Kenji Sugiura

IPC分类号： H01L21/425

CPC分类号： H01L21/26586 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0634

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device includes providing a semiconductor wafer and forming at least one first trench in the wafer having first and second sidewalls and a first orientation on the wafer. The first sidewall of the at least one first trench is implanted with a dopant of a first conductivity at a first implantation direction. The first sidewall of the at least one first trench is implanted with the dopant of the first conductivity at a second implantation direction. The second implantation direction is orthogonal to the first implantation direction. The first and second implantation directions are non-orthogonal to the first sidewall.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括提供半导体晶片并且在晶片中形成具有第一和第二侧壁的晶片中的至少一个第一沟槽和在晶片上的第一取向。 所述至少一个第一沟槽的第一侧壁在第一注入方向上注入具有第一导电性的掺杂剂。 至少一个第一沟槽的第一侧壁在第二植入方向上注入第一导电性的掺杂剂。 第二注入方向与第一注入方向正交。 第一和第二注入方向与第一侧壁不正交。

公开(公告)号：US09543380B2

公开(公告)日：2017-01-10

申请号：US13169378

申请日：2011-06-27

申请人： Takeshi Ishiguro ,  Kenji Sugiura ,  Hugh J. Griffin

发明人： Takeshi Ishiguro ,  Kenji Sugiura ,  Hugh J. Griffin

IPC分类号： H01L29/02 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/0634

摘要： A method of manufacturing a superjunction device includes providing a semiconductor wafer having at least one die. At least one first trench having a first orientation is formed in the at least one die. At least one second trench having a second orientation that is different from the first orientation is formed in the at least one die.

摘要翻译： 制造超结装置的方法包括提供具有至少一个管芯的半导体晶片。 在至少一个管芯中形成具有第一取向的至少一个第一沟槽。 在至少一个管芯中形成具有不同于第一取向的第二取向的至少一个第二沟槽。

公开(公告)号：US20090200547A1

公开(公告)日：2009-08-13

申请号：US12371021

申请日：2009-02-13

申请人： Hugh J. Griffin ,  Takeshi Ishiguro ,  Kenji Sugiura

发明人： Hugh J. Griffin ,  Takeshi Ishiguro ,  Kenji Sugiura

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L22/12 ,  B81B2203/033 ,  B81C1/00619 ,  B81C99/0065 ,  B81C2201/0138 ,  H01L21/3065 ,  H01L22/26 ,  H01L29/0634 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

摘要： A method of manufacturing a semiconductor wafer having at least one device trench extending to a first depth position includes providing a semiconductor substrate having first and second main surfaces and a semiconductor material layer having first and second main surfaces disposed on the first main surface of the semiconductor substrate and determining an etch ratio. The least one device trench and at least one monitor trench are simultaneously formed in the first main surface of the semiconductor material layer. The at least one monitor trench is monitored to detect when it extends to a second depth position. A ratio of the first depth position to the second depth position is generally equal to the etch ratio.

摘要翻译： 制造具有延伸到第一深度位置的至少一个器件沟槽的半导体晶片的方法包括提供具有第一和第二主表面的半导体衬底和具有设置在半导体的第一主表面上的第一和第二主表面的半导体材料层 衬底并确定蚀刻比。 在半导体材料层的第一主表面中同时形成至少一个器件沟槽和至少一个监测沟槽。 监视至少一个监视器沟槽以检测其何时延伸到第二深度位置。 第一深度位置与第二深度位置的比率通常等于蚀刻比。

公开(公告)号：US20110254137A1

公开(公告)日：2011-10-20

申请号：US13169378

申请日：2011-06-27

申请人： Takeshi Ishiguro ,  Kenji Sugiura ,  Hugh J. Griffin

发明人： Takeshi Ishiguro ,  Kenji Sugiura ,  Hugh J. Griffin

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： H01L29/0634

摘要： A method of manufacturing a superjunction device includes providing a semiconductor wafer having at least one die. At least one first trench having a first orientation is formed in the at least one die. At least one second trench having a second orientation that is different from the first orientation is formed in the at least one die.

摘要翻译： 制造超结装置的方法包括提供具有至少一个管芯的半导体晶片。 在至少一个管芯中形成具有第一取向的至少一个第一沟槽。 在至少一个管芯中形成具有不同于第一取向的第二取向的至少一个第二沟槽。

公开(公告)号：US20110068440A1

公开(公告)日：2011-03-24

申请号：US12914623

申请日：2010-10-28

申请人： Takeshi Ishiguro ,  Hugh J. Griffin ,  Kenji Sugiura

发明人： Takeshi Ishiguro ,  Hugh J. Griffin ,  Kenji Sugiura

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L21/26586 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0634

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device includes providing a semiconductor wafer and forming at least one first trench in the wafer having first and second sidewalls and a first orientation on the wafer. The first sidewall of the at least one first trench is implanted with a dopant of a first conductivity at a first implantation direction. The first sidewall of the at least one first trench is implanted with the dopant of the first conductivity at a second implantation direction. The second implantation direction is orthogonal to the first implantation direction. The first and second implantation directions are non-orthogonal to the first sidewall.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括提供半导体晶片并且在晶片中形成具有第一和第二侧壁的晶片中的至少一个第一沟槽和在晶片上的第一取向。 所述至少一个第一沟槽的第一侧壁在第一注入方向上注入具有第一导电性的掺杂剂。 至少一个第一沟槽的第一侧壁在第二植入方向上注入第一导电性的掺杂剂。 第二注入方向与第一注入方向正交。 第一和第二注入方向与第一侧壁不正交。

公开(公告)号：US20090085148A1

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：US12031909

申请日：2008-02-15

申请人： Takeshi Ishiguro ,  Kenji Sugiura ,  Hugh J. Griffin

发明人： Takeshi Ishiguro ,  Kenji Sugiura ,  Hugh J. Griffin

IPC分类号： H01L21/764 ,  H01L27/10

CPC分类号： H01L29/0634

摘要： A method of manufacturing a superjunction device includes providing a semiconductor wafer having a plurality of dies. A first plurality of trenches having a first orientation are formed in a first die. A second plurality of trenches having a second orientation are formed in a second die. The second orientation is different from the first orientation.

摘要翻译： 制造超结装置的方法包括提供具有多个管芯的半导体晶片。 在第一模具中形成具有第一取向的第一多个沟槽。 具有第二取向的第二多个沟槽形成在第二管芯中。 第二方向与第一方向不同。

公开(公告)号：US08012806B2

公开(公告)日：2011-09-06

申请号：US12031895

申请日：2008-02-15

申请人： Takeshi Ishiguro ,  Kenji Sugiura ,  Hugh J. Griffin

发明人： Takeshi Ishiguro ,  Kenji Sugiura ,  Hugh J. Griffin

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/46 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L29/0634

摘要： A method of manufacturing a superjunction device includes providing a semiconductor wafer having at least one die. At least one first trench having a first orientation is formed in the at least one die. At least one second trench having a second orientation that is different from the first orientation is formed in the at least one die.

摘要翻译： 制造超结装置的方法包括提供具有至少一个管芯的半导体晶片。 在至少一个管芯中形成具有第一取向的至少一个第一沟槽。 在至少一个管芯中形成具有不同于第一取向的第二取向的至少一个第二沟槽。

公开(公告)号：US07795045B2

公开(公告)日：2010-09-14

申请号：US12371021

申请日：2009-02-13

申请人： Hugh J. Griffin ,  Takeshi Ishiguro ,  Kenji Sugiura

发明人： Hugh J. Griffin ,  Takeshi Ishiguro ,  Kenji Sugiura

IPC分类号： H01L21/00 ,  G01R31/26

CPC分类号： H01L22/12 ,  B81B2203/033 ,  B81C1/00619 ,  B81C99/0065 ,  B81C2201/0138 ,  H01L21/3065 ,  H01L22/26 ,  H01L29/0634 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

摘要： A method of manufacturing a semiconductor wafer having at least one device trench extending to a first depth position includes providing a semiconductor substrate having first and second main surfaces and a semiconductor material layer having first and second main surfaces disposed on the first main surface of the semiconductor substrate and determining an etch ratio. The least one device trench and at least one monitor trench are simultaneously formed in the first main surface of the semiconductor material layer. The at least one monitor trench is monitored to detect when it extends to a second depth position. A ratio of the first depth position to the second depth position is generally equal to the etch ratio.

摘要翻译： 制造具有延伸到第一深度位置的至少一个器件沟槽的半导体晶片的方法包括提供具有第一和第二主表面的半导体衬底和具有设置在半导体的第一主表面上的第一和第二主表面的半导体材料层 衬底并确定蚀刻比。 在半导体材料层的第一主表面中同时形成至少一个器件沟槽和至少一个监测沟槽。 监视至少一个监视器沟槽以检测其何时延伸到第二深度位置。 第一深度位置与第二深度位置的比率通常等于蚀刻比。