公开(公告)号：US09245950B2

公开(公告)日：2016-01-26

申请号：US14537148

申请日：2014-11-10

申请人： Takuma Kamijo

发明人： Takuma Kamijo

IPC分类号： H01L21/332 ,  H01L29/66 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/739 ,  H01L27/07

CPC分类号： H01L29/0821 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/0873 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/8613 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/13055

摘要： A method for manufacturing a semiconductor device is provided. The semiconductor device includes a cathode region of the diode, a first buffer region adjacent to the cathode region at a rear surface side of a semiconductor substrate, a collector region of the IGBT, and a second buffer region adjacent to the collector region at the rear surface side. The method includes forming the step portion on the front surface so that the thin portion and the thick portion are formed in the semiconductor substrate, and injecting n-type impurities to a range on the front surface extending across the thin and thick portions so that the first buffer region and the second buffer region are formed.

摘要翻译： 提供一种制造半导体器件的方法。 半导体器件包括二极管的阴极区域，与半导体衬底的背面侧的阴极区域相邻的第一缓冲区域，IGBT的集电极区域和与后部的集电极区域相邻的第二缓冲区域 表面 该方法包括在前表面上形成阶梯部分，使得半导体衬底中形成薄壁部分和厚壁部分，并将n型杂质注入到延伸穿过薄壁部分的前表面上的范围内，使得 形成第一缓冲区域和第二缓冲区域。

公开(公告)号：US09082778B2

公开(公告)日：2015-07-14

申请号：US13954457

申请日：2013-07-30

申请人： Takuma Kamijo

发明人： Takuma Kamijo

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L23/00 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L23/3192 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An semiconductor device includes a semiconductor substrate; a metal layer arranged above the semiconductor substrate; a first passivation film that contacts at least a portion of one side surface of the metal layer; and a second passivation film that is arranged extending from the first passivation film to the metal layer, and contacts an upper surface of the first passivation film, and contacts at least a portion of an upper surface of the metal layer.

摘要翻译： 半导体器件包括半导体衬底; 设置在所述半导体衬底上方的金属层; 第一钝化膜，其接触所述金属层的一个侧表面的至少一部分; 以及第二钝化膜，其从所述第一钝化膜延伸到所述金属层，并且接触所述第一钝化膜的上表面，并且与所述金属层的上表面的至少一部分接触。