-
公开(公告)号：US20110036538A1
公开(公告)日：2011-02-17
申请号：US12676398
申请日：2008-09-02
申请人： Thomas J. Brunschwiler , Urs Koter , Ryan Joseph Linderman , Bruno Michel , Hugo E. Rothuizen , Reto Waelchli
发明人： Thomas J. Brunschwiler , Urs Koter , Ryan Joseph Linderman , Bruno Michel , Hugo E. Rothuizen , Reto Waelchli
CPC分类号： H05K7/20281 , F28D1/0417 , G06F1/20 , G06F1/203 , G06F1/206 , H01L23/34 , H01L23/427 , H01L23/473 , H01L2924/0002 , H05K7/20254 , H05K7/20272 , H01L2924/00
摘要： The invention relates to a cooling arrangement comprising a heat spreader (2) comprising a first surface (5), a second surface (8), at least one heat absorption chamber (9) and at least one heat dissipation chamber (10), the at least one heat absorption chamber (9) being in thermal contact with the first surface (5) and the at least one heat dissipation chamber (10) being in thermal contact with the second surface (8) and hydraulically coupled to the at least one heat absorption chamber (9). A cooling fluid (13) can be driven from the heat absorption chamber (9) to the heat dissipation chamber (10) using a plurality of flow patterns for cooling the first surface (5).
摘要翻译： 本发明涉及一种包括散热器（2）的冷却装置，散热器（2）包括第一表面（5），第二表面（8），至少一个吸热室（9）和至少一个散热室（10） 至少一个热吸收室（9）与第一表面（5）热接触，并且至少一个散热室（10）与第二表面（8）热接触并且液压耦合到至少一个 吸热室（9）。 冷却流体（13）可以使用多个用于冷却第一表面（5）的流动图案从吸热室（9）驱动到散热室（10）。
-
公开(公告)号：US20100290188A1
公开(公告)日：2010-11-18
申请号：US12678298
申请日：2008-09-17
IPC分类号： H05K7/20
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L23/473 , H01L2224/16 , H01L2225/06513 , H01L2225/06589
摘要： The invention relates to an integrated circuit stack (1) comprising a plurality of integrated circuit layers (2) and at least one cooling layer (3) arranged in a space between two circuit layers (2). The integrated circuit stack (1) is cooled using a cooling fluid (10) pumped through the cooling layer (3). The invention further relates to a method for optimizing a configuration of such an integrated circuit stack (1).
摘要翻译： 本发明涉及包括多个集成电路层（2）和布置在两个电路层（2）之间的空间中的至少一个冷却层（3）的集成电路堆叠（1）。 使用泵送通过冷却层（3）的冷却流体（10）来冷却集成电路堆（1）。 本发明还涉及一种用于优化这种集成电路堆叠（1）的配置的方法。
-
公开(公告)号：US08413712B2
公开(公告)日：2013-04-09
申请号：US11598497
申请日：2006-11-13
IPC分类号： F28F7/02
CPC分类号： H01L23/4735 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A cooling device has a large number of closely spaced impinging jets, adjacent an impingement gap, with parallel return paths for supplying coolant flow for the impinging jets with the least possible pressure drop using an interdigitated, branched hierarchical manifold. Surface enhancement features spanning the impingement gap form U-shaped microchannels between single impinging jets and single outlets.
摘要翻译： 冷却装置具有大量紧密间隔的冲击射流，邻近冲击间隙，具有平行返回路径，用于使用交叉分支的分级歧管以最小可能的压降为冲击射流提供冷却剂流。 表面增强特征跨越冲击间隙形成单个冲击射流和单个出口之间的U形微通道。
-
公开(公告)号：US20130008632A1
公开(公告)日：2013-01-10
申请号：US13613881
申请日：2012-09-13
IPC分类号： F28D15/00
CPC分类号： H01L23/427 , H01L23/4006 , H01L2224/73253
摘要： A flexible, self-contained active multi-phase heat spreader apparatus for cooling electronic components, the heat spreader having fluid sealed between two plates and a pumping mechanism to actuate multi-phase flow of the fluid. Thermal energy from an electronic component in contact with the heat spreader is dissipated from a core region via the working fluid to the entire heat spreader, and then to a heat sink. Surface enhancement features located between the two plates aid transfer of thermal energy from a first metal plate into the fluid.
摘要翻译： 一种用于冷却电子部件的灵活的，独立的主动多相散热装置，散热器具有密封在两个板之间的流体和泵送机构以致动流体的多相流动。 来自与散热器接触的电子部件的热能从核心区域经由工作流体散发到整个散热器，然后散热到散热器。 位于两个板之间的表面增强特征有助于将热能从第一金属板传递到流体中。
-
公开(公告)号：US08327540B2
公开(公告)日：2012-12-11
申请号：US12538797
申请日：2009-08-10
IPC分类号： B21D53/02
CPC分类号： H01L23/42 , H01L2924/0002 , Y10T29/4935 , H01L2924/00
摘要： A method for producing a plate with a first face with protrusions confined by first and second grooves includes steps of: etching recessed zones into a plate; depositing a photoresist layer on the plate; forming a passivation layer over the photoresist layer; removing the passivation layer at the bottom of the recessed zones; electroplating metal in the recessed zones; removing the passivation layer; removing the photoresist layer; and removing the semiconductor material to expose the first and second grooves.
摘要翻译： 一种制造具有第一面的板的方法，具有由第一和第二槽限定的突起，包括以下步骤：将凹陷区域蚀刻成板; 在所述板上沉积光致抗蚀剂层; 在光致抗蚀剂层上形成钝化层; 去除凹陷区域底部的钝化层; 电镀金属在凹陷区域; 去除钝化层; 去除光致抗蚀剂层; 以及去除所述半导体材料以暴露所述第一和第二凹槽。
-
公开(公告)号：US20100037461A1
公开(公告)日：2010-02-18
申请号：US12538797
申请日：2009-08-10
CPC分类号： H01L23/42 , H01L2924/0002 , Y10T29/4935 , H01L2924/00
摘要： A method for producing a plate with a first face with protrusions confined by first and second grooves includes steps of: etching recessed zones into a plate; depositing a photoresist layer on the plate; forming a passivation layer over the photoresist layer; removing the passivation layer at the bottom of the recessed zones; electroplating metal in the recessed zones; removing the passivation layer; removing the photoresist layer; and removing the semiconductor material to expose the first and second grooves.
摘要翻译： 一种制造具有第一面的板的方法，具有由第一和第二槽限定的突起，包括以下步骤：将凹陷区域蚀刻成板; 在所述板上沉积光致抗蚀剂层; 在光致抗蚀剂层上形成钝化层; 去除凹陷区域底部的钝化层; 电镀金属在凹陷区域; 去除钝化层; 去除光致抗蚀剂层; 以及去除所述半导体材料以暴露所述第一和第二凹槽。
-
公开(公告)号：US08659898B2
公开(公告)日：2014-02-25
申请号：US13568720
申请日：2012-08-07
IPC分类号： H05K7/20
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L23/473 , H01L2224/16 , H01L2225/06513 , H01L2225/06589
摘要： The invention relates to an integrated circuit stack (1) comprising a plurality of integrated circuit layers (2) and at least one cooling layer (3) arranged in a space between two circuit layers (2). The integrated circuit stack (1) is cooled using a cooling fluid (10) pumped through the cooling layer (3). The invention further relates to a method for configuring of such an integrated circuit stack (1) by optimizing a configuration of the cooling layer (3).
摘要翻译： 本发明涉及包括多个集成电路层（2）和布置在两个电路层（2）之间的空间中的至少一个冷却层（3）的集成电路堆叠（1）。 使用泵送通过冷却层（3）的冷却流体（10）来冷却集成电路堆（1）。 本发明还涉及通过优化冷却层（3）的配置来配置这种集成电路堆叠（1）的方法。
-
公开(公告)号：US08363402B2
公开(公告)日：2013-01-29
申请号：US12678298
申请日：2008-09-17
IPC分类号： H05K7/20
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L23/473 , H01L2224/16 , H01L2225/06513 , H01L2225/06589
摘要： The invention relates to an integrated circuit stack (1) comprising a plurality of integrated circuit layers (2) and at least one cooling layer (3) arranged in a space between two circuit layers (2). The integrated circuit stack (1) is cooled using a cooling fluid (10) pumped through the cooling layer (3). The invention further relates to a method for optimizing a configuration of such an integrated circuit stack (1).
摘要翻译： 本发明涉及包括多个集成电路层（2）和布置在两个电路层（2）之间的空间中的至少一个冷却层（3）的集成电路堆叠（1）。 使用泵送通过冷却层（3）的冷却流体（10）来冷却集成电路堆（1）。 本发明还涉及一种用于优化这种集成电路堆叠（1）的配置的方法。
-
公开(公告)号：US20120331433A1
公开(公告)日：2012-12-27
申请号：US13568720
申请日：2012-08-07
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L23/473 , H01L2224/16 , H01L2225/06513 , H01L2225/06589
摘要： The invention relates to an integrated circuit stack (1) comprising a plurality of integrated circuit layers (2) and at least one cooling layer (3) arranged in a space between two circuit layers (2). The integrated circuit stack (1) is cooled using a cooling fluid (10) pumped through the cooling layer (3). The invention further relates to a method for optimizing a configuration of such an integrated circuit stack (1).
摘要翻译： 本发明涉及包括多个集成电路层（2）和布置在两个电路层（2）之间的空间中的至少一个冷却层（3）的集成电路堆叠（1）。 使用泵送通过冷却层（3）的冷却流体（10）来冷却集成电路堆（1）。 本发明还涉及一种用于优化这种集成电路堆叠（1）的配置的方法。
-
公开(公告)号：US07748440B2
公开(公告)日：2010-07-06
申请号：US11141932
申请日：2005-06-01
CPC分类号： H01L23/42 , H01L2924/0002 , Y10T29/4935 , H01L2924/00
摘要： The present invention provides a thermal interface with a first and a second face that are in contact to each other by a thermal conducting material. A first face includes grooves that are at least partly filled with the thermal conducting material, wherein at least two types of grooves are arranged, namely first grooves having a larger width than second grooves. The first face comprises an array with protrusions that are confined by the second grooves, the array being divided by the first grooves into sub-arrays.
摘要翻译： 本发明提供一种通过导热材料彼此接触的第一和第二面的热界面。 第一面包括至少部分地填充有导热材料的凹槽，其中布置至少两种类型的凹槽，即具有比第二凹槽宽的宽度的第一凹槽。 第一面包括具有被第二凹槽限制的突起的阵列，该阵列被第一凹槽划分为子阵列。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
33 条记录 (耗时 0.028 秒)
