公开(公告)号：US20100055312A1

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：US12552315

申请日：2009-09-02

申请人： HITOSHI KATO ,  Manabu Honma ,  Tomoki Haneishi ,  Katsuyoshi Aikawa

发明人： HITOSHI KATO ,  Manabu Honma ,  Tomoki Haneishi ,  Katsuyoshi Aikawa

IPC分类号： C23C16/455 ,  B05C11/00

CPC分类号： C23C16/4585 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45508 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/52

摘要： In a film deposition apparatus which deposits a thin film on a substrate by supplying first and second reactive gases in a vacuum chamber, there are provided a turntable, a first reactive gas supplying portion and a second reactive gas supplying portion which are arranged to extend from circumferential positions of the turntable to a center of rotation of the turntable, a first separation gas supplying portion arranged between the first and second reactive gas supplying portions, a first space having a first height and including the first separation gas supplying portion, a second space having a second height and including the second reactive gas supplying portion, a third space having a height lower than the first height and the second height and including the first separation gas supplying portion, a position detecting unit detecting a rotation position of the turntable, and a detection part arranged at a circumferential portion of the turntable and detected by the position detecting unit.

摘要翻译： 在通过在真空室中供应第一和第二反应气体而在基板上沉积薄膜的成膜装置中，设置有转盘，第一反应气体供应部分和第二反应气体供应部分， 所述转盘的周向位置与所述转台的旋转中心相对，设置在所述第一和第二反应气体供给部之间的第一分离气体供给部，具有第一高度并且包括所述第一分离气体供给部的第一空间， 具有第二高度并且包括第二反应气体供给部的第三空间，具有低于第一高度的高度的第三空间和包括第一分离气体供给部的第二高度的位置检测单元，检测转台的旋转位置，以及 检测部，其布置在转盘的圆周部分，并通过位置检测来检测 单位

公开(公告)号：US20080105194A1

公开(公告)日：2008-05-08

申请号：US11907409

申请日：2007-10-11

申请人： Ken Nakao ,  Hitoshi Kato ,  Tsuneyuki Okabe ,  Mitsuhiro Okada ,  Manabu Honma ,  Tomoki Haneishi

发明人： Ken Nakao ,  Hitoshi Kato ,  Tsuneyuki Okabe ,  Mitsuhiro Okada ,  Manabu Honma ,  Tomoki Haneishi

IPC分类号： C23C22/00 ,  C23C16/455 ,  B08B9/027

CPC分类号： C23C16/4405 ,  B08B7/00 ,  B08B9/00 ,  B08B9/027 ,  C23C16/455

摘要： A thin film forming apparatus 1 comprises a reaction chamber 2, and an exhaust pipe 5 connected with the reaction chamber 2. A fluorine introducing pipe 17c and a hydrogen introducing pipe 17d are connected with the reaction chamber 2, in order to supply a cleaning gas containing fluorine gas and hydrogen gas into the reaction chamber 2 or into the exhaust pipe 5. The hydrogen introducing pipe 17d includes an inner fluid passage 174 and an outer fluid passage 175 formed to cover around the inner fluid passage 174. The hydrogen gas is supplied through the inner fluid passage 174, while nitrogen gas is supplied through the outer fluid passage 175. Thus, the hydrogen gas to be fed through the inner fluid passage can be supplied from the hydrogen introducing pipe 17d, while being covered with the nitrogen gas.

摘要翻译： 薄膜形成装置1包括反应室2和与反应室2连接的排气管5。 将氟导入管17c和氢引入管17d与反应室2连接，以将含有氟气和氢气的清洁气体供应到反应室2或排气管5中。 氢引入管17d包括形成为覆盖内部流体通道174周围的内部流体通道174和外部流体通道175。 通过内部流体通道174供应氢气，同时通过外部流体通道175供应氮气。 因此，能够从氢气导入管17d供给通过内部流路的氢气被氮气覆盖。

公开(公告)号：USD518884S1

公开(公告)日：2006-04-11

申请号：US29182226

申请日：2003-05-22

申请人： Tomoki Haneishi

设计人： Tomoki Haneishi

公开(公告)号：US08673079B2

公开(公告)日：2014-03-18

申请号：US12550453

申请日：2009-08-31

申请人： Hitoshi Kato ,  Manabu Honma ,  Tomoki Haneishi

发明人： Hitoshi Kato ,  Manabu Honma ,  Tomoki Haneishi

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/00

CPC分类号： C23C16/45551 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45508 ,  C23C16/4583

摘要： A film deposition apparatus includes: a turntable; a first reaction gas supply part and a second reaction gas supply part extending from a circumferential edge toward a rotation center of the turntable; and a first separation gas supply part provided between the first and second reaction gas supply parts. A first space contains the first reaction gas supply part and has a first height. A second space contains the second reaction gas supply part and has a second height. A third space contains a first separation gas supply part and has a height lower than the first and second heights. A motor provided under the rotation center of the turntable rotates the turntable. A rotation shaft of the turntable and a drive shaft of the motor are coupled without generation of slip.

摘要翻译： 成膜装置包括：转台; 第一反应气体供给部和第二反应气体供给部，其从周缘朝向转台的旋转中心延伸; 以及设置在第一和第二反应气体供给部之间的第一分离气体供给部。 第一空间包含第一反应气体供应部分并且具有第一高度。 第二空间包含第二反应气体供应部分并且具有第二高度。 第三空间包含第一分离气体供应部分，并且具有低于第一和第二高度的高度。 设置在转台的旋转中心下方的电动机使转台旋转。 转盘的旋转轴和电动机的驱动轴联接而不产生滑移。

公开(公告)号：US20100050943A1

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：US12550453

申请日：2009-08-31

申请人： Hitoshi Kato ,  Manabu Honma ,  Tomoki Haneishi

发明人： Hitoshi Kato ,  Manabu Honma ,  Tomoki Haneishi

IPC分类号： C23C16/458

CPC分类号： C23C16/45551 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45508 ,  C23C16/4583

摘要： A film deposition apparatus includes: a turntable; a first reaction gas supply part and a second reaction gas supply part extending from a circumferential edge toward a rotation center of the turntable; and a first separation gas supply part provided between the first and second reaction gas supply parts. A first space contains the first reaction gas supply part and has a first height. A second space contains the second reaction gas supply part and has a second height. A third space contains a first separation gas supply part and has a height lower than the first and second heights. A motor provided under the rotation center of the turntable rotates the turntable. A rotation shaft of the turntable and a drive shaft of the motor are coupled without generation of slip.

摘要翻译： 成膜装置包括：转台; 第一反应气体供给部和第二反应气体供给部，其从周缘朝向转台的旋转中心延伸; 以及设置在第一和第二反应气体供给部之间的第一分离气体供给部。 第一空间包含第一反应气体供应部分并且具有第一高度。 第二空间包含第二反应气体供应部分并且具有第二高度。 第三空间包含第一分离气体供应部分，并且具有低于第一和第二高度的高度。 设置在转台的旋转中心下方的电动机使转台旋转。 转盘的旋转轴和电动机的驱动轴联接而不产生滑移。