公开(公告)号：US20130203247A1

公开(公告)日：2013-08-08

申请号：US13366669

申请日：2012-02-06

申请人： Tzu-Yen HSIEH ,  Ming-Ching CHANG ,  Chia-Wei CHANG ,  Chao-Cheng CHEN ,  Chun-Hung LEE ,  Dai-Lin WU

发明人： Tzu-Yen HSIEH ,  Ming-Ching CHANG ,  Chia-Wei CHANG ,  Chao-Cheng CHEN ,  Chun-Hung LEE ,  Dai-Lin WU

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/3215 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/266 ,  H01L21/28026 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32139

摘要： An embodiment of the current disclosure includes a method of providing a substrate, forming a polysilicon layer over the substrate, forming a first photoresist layer on the polysislicon layer, creating a first pattern on the first photoresistlayer, wherein some portions of the polysilicon layer are covered by the first photoresist layer and some portions of the polysilicon layer are not covered by the first photoresist layer, implanting ions into the portions of the polysilicon layer that are not covered by the first photoresist layer, removing the first photoresist layer from the polysilicon layer, forming a second photoresist layer on the polysilicon layer, creating a second pattern on the second photoresistlayer, and implanting ions into the portions of the polysilicon layer that are not covered by the second photoresist layer, removing the second photoresist layer from the polysilicon layer, and removing portions of the polysilicon layer using an etchant.

摘要翻译： 本公开的实施例包括提供衬底的方法，在衬底上形成多晶硅层，在聚苯乙烯层上形成第一光致抗蚀剂层，在第一光致抗蚀剂层上产生第一图案，其中多晶硅层的一些部分被覆盖 通过第一光致抗蚀剂层，并且多晶硅层的一些部分未被第一光致抗蚀剂层覆盖，将离子注入未被第一光致抗蚀剂层覆盖的多晶硅层的部分中，从多晶硅层去除第一光致抗蚀剂层， 在所述多晶硅层上形成第二光致抗蚀剂层，在所述第二光致抗蚀剂层上形成第二图案，以及将离子注入所述多晶硅层的未被所述第二光致抗蚀剂层覆盖的部分，从所述多晶硅层除去所述第二光致抗蚀剂层，以及 使用蚀刻剂去除多晶硅层的部分。

公开(公告)号：US20130102136A1

公开(公告)日：2013-04-25

申请号：US13277552

申请日：2011-10-20

申请人： Tzu-Yen HSIEH ,  Chang MING-CHING ,  Chun-Hung LEE ,  Yih-Ann LIN ,  De-Fang CHEN ,  Chao-Cheng CHEN

发明人： Tzu-Yen HSIEH ,  Chang MING-CHING ,  Chun-Hung LEE ,  Yih-Ann LIN ,  De-Fang CHEN ,  Chao-Cheng CHEN

IPC分类号： H01L21/04

CPC分类号： H01L21/0338 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0335 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/266 ,  H01L21/311 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/32155

摘要： A method of forming an integrated circuit is disclosed. A second material layer is formed on a first material layer. A patterned mask layer having a plurality of first features with a first pitch P1 is formed on the second material layer. The second material layer is etched by using the patterned mask layer as a mask to form the first features in the second material layer. The patterned mask layer is trimmed. A plurality of dopants is introduced into the second material layer not covered by the trimmed patterned mask layer. The trimmed patterned mask layer is removed to expose un-doped second material layer. The un-doped second material layer is selectively removed to form a plurality of second features with a second pitch P2. P2 is smaller than P1.

摘要翻译： 公开了形成集成电路的方法。 在第一材料层上形成第二材料层。 具有第一间距P1的多个第一特征的图案化掩模层形成在第二材料层上。 通过使用图案化掩模层作为掩模来蚀刻第二材料层，以形成第二材料层中的第一特征。 图案化掩模层被修整。 将多个掺杂剂引入到未被修整的图案化掩模层覆盖的第二材料层中。 去除修整的图案化掩模层以暴露未掺杂的第二材料层。 选择性地去除未掺杂的第二材料层以形成具有第二间距P2的多个第二特征。 P2小于P1。