公开(公告)号：US20070065576A1

公开(公告)日：2007-03-22

申请号：US11221710

申请日：2005-09-09

申请人： Vikram Singh ,  Harold Persing ,  Edmund Winder ,  Jeffrey Hopwood ,  Anthony Renau

发明人： Vikram Singh ,  Harold Persing ,  Edmund Winder ,  Jeffrey Hopwood ,  Anthony Renau

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C23C16/45546 ,  C23C16/452 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45544

摘要： A technique for atomic layer deposition is disclosed. In one particular exemplary embodiment, the technique may be realized by an apparatus for atomic layer deposition. The apparatus may comprise a process chamber having a substrate platform to hold at least one substrate. The apparatus may also comprise a supply of a precursor substance, wherein the precursor substance comprises atoms of at least one first species and atoms of at least one second species, and wherein the supply provides the precursor substance to saturate a surface of the at least one substrate. The apparatus may further comprise a plasma source of metastable atoms of at least one third species, wherein the metabstable atoms are capable of desorbing the atoms of the at least one second species from the saturated surface of the at least one substrate to form one or more atomic layers of the at least one first species.

摘要翻译： 公开了一种用于原子层沉积的技术。 在一个特定的示例性实施例中，该技术可以通过用于原子层沉积的装置来实现。 该装置可以包括具有用于保持至少一个基板的基板平台的处理室。 该装置还可以包括前体物质的供应，其中所述前体物质包含至少一种第一种类的原子和至少一种第二物质的原子，并且其中所述供应提供所述前体物质以饱和所述至少一种 基质。 该装置可以进一步包含至少一种第三种类的亚稳态原子的等离子体源，其中可重构原子能够从至少一种底物的饱和表面解吸所述至少一种第二种类的原子以形成一种或多种 所述至少一种第一种类的原子层。