公开(公告)号：US20070084564A1

公开(公告)日：2007-04-19

申请号：US11163303

申请日：2005-10-13

申请人： Atul Gupta ,  Edmund Winder ,  Vikram Singh ,  Harold Persing

发明人： Atul Gupta ,  Edmund Winder ,  Vikram Singh ,  Harold Persing

IPC分类号： C23F1/00

CPC分类号： H01J37/321 ,  H01J37/32412 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26526 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/66803

摘要： A doping apparatus includes a chamber and a plasma source. The plasma source generates dopant ions from a feed gas and provides the dopant ions to the chamber. A platen is positioned in the chamber proximate to the plasma source. The platen supports a substrate having planar and nonplanar features. At least one of a pressure proximate to the substrate, a flow rate of the feed gas, a power of the plasma, and a voltage applied to the platen is chosen so that dopant ions are implanted into both the planar and non-planar nonplanar features surfaces of the substrate.

摘要翻译： 掺杂装置包括腔室和等离子体源。 等离子体源从进料气体产生掺杂剂离子，并将掺杂剂离子提供给室。 压板位于室中，靠近等离子体源。 压板支撑具有平面和非平面特征的衬底。 选择靠近衬底的压力，进料气体的流速，等离子体的功率和施加到压板的电压中的至少一个，使得掺杂剂离子注入平面和非平面非平面特征 基板的表面。

公开(公告)号：US20070065576A1

公开(公告)日：2007-03-22

申请号：US11221710

申请日：2005-09-09

申请人： Vikram Singh ,  Harold Persing ,  Edmund Winder ,  Jeffrey Hopwood ,  Anthony Renau

发明人： Vikram Singh ,  Harold Persing ,  Edmund Winder ,  Jeffrey Hopwood ,  Anthony Renau

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C23C16/45546 ,  C23C16/452 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45544

摘要： A technique for atomic layer deposition is disclosed. In one particular exemplary embodiment, the technique may be realized by an apparatus for atomic layer deposition. The apparatus may comprise a process chamber having a substrate platform to hold at least one substrate. The apparatus may also comprise a supply of a precursor substance, wherein the precursor substance comprises atoms of at least one first species and atoms of at least one second species, and wherein the supply provides the precursor substance to saturate a surface of the at least one substrate. The apparatus may further comprise a plasma source of metastable atoms of at least one third species, wherein the metabstable atoms are capable of desorbing the atoms of the at least one second species from the saturated surface of the at least one substrate to form one or more atomic layers of the at least one first species.

摘要翻译： 公开了一种用于原子层沉积的技术。 在一个特定的示例性实施例中，该技术可以通过用于原子层沉积的装置来实现。 该装置可以包括具有用于保持至少一个基板的基板平台的处理室。 该装置还可以包括前体物质的供应，其中所述前体物质包含至少一种第一种类的原子和至少一种第二物质的原子，并且其中所述供应提供所述前体物质以饱和所述至少一种 基质。 该装置可以进一步包含至少一种第三种类的亚稳态原子的等离子体源，其中可重构原子能够从至少一种底物的饱和表面解吸所述至少一种第二种类的原子以形成一种或多种 所述至少一种第一种类的原子层。

公开(公告)号：US20070087581A1

公开(公告)日：2007-04-19

申请号：US11608522

申请日：2006-12-08

申请人： Vikram SINGH ,  Harold Persing ,  Edmund Winder ,  Anthony Renau ,  George Papasouliotis

发明人： Vikram SINGH ,  Harold Persing ,  Edmund Winder ,  Anthony Renau ,  George Papasouliotis

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/22 ,  C23C16/345 ,  C23C16/452 ,  C23C16/4554 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/32155

摘要： A technique for atomic layer deposition is disclosed. In one particular exemplary embodiment, the technique may be realized by a method for forming a strained thin film. The method may comprise supplying a substrate surface with one or more precursor substances having atoms of at least one first species and atoms of at least one second species, thereby forming a layer of the precursor substance on the substrate surface. The method may also comprise exposing the substrate surface to plasma-generated metastable atoms of a third species, wherein the metastable atoms desorb the atoms of the at least one second species from the substrate surface to form an atomic layer of the at least one first species. A desired amount of stress in the atomic layer of the at least one first species may be achieved by controlling one or more parameters in the atomic layer deposition process.

摘要翻译： 公开了一种用于原子层沉积的技术。 在一个特定的示例性实施例中，该技术可以通过用于形成应变薄膜的方法来实现。 该方法可以包括向衬底表面提供一种或多种具有至少一种第一种类的原子和至少一种第二种类的原子的前体物质，由此在衬底表面上形成前体物质层。 该方法还可以包括将基底表面暴露于等离子体产生的第三种类的亚稳原子，其中亚稳原子从底物表面解吸至少一种第二种类的原子以形成至少一种第一种类的原子层 。 可以通过控制原子层沉积工艺中的一个或多个参数来实现至少一种第一种类的原子层中所需的应力量。

公开(公告)号：US20070087574A1

公开(公告)日：2007-04-19

申请号：US11163307

申请日：2005-10-13

申请人： Atul Gupta ,  Vikram Singh ,  Timothy Miller ,  Edmund Winder

发明人： Atul Gupta ,  Vikram Singh ,  Timothy Miller ,  Edmund Winder

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469 ,  B05C11/00

CPC分类号： H01J37/32623 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32697 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26526 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/66803

摘要： A method of doping includes depositing a layer of dopant material on nonplanar and planar features of a substrate. Inert ions are generated from an inert feed gas. The inert ions are extracted towards the substrate where they physically knock the dopant material into both the planar and nonplanar features of the substrate.

摘要翻译： 掺杂的方法包括在衬底的非平面和平面特征上沉积掺杂剂材料层。 惰性进料气体产生惰性离子。 向衬底提取惰性离子，在衬底上物理地将掺杂剂材料敲入衬底的平面和非平面特征。

公开(公告)号：US20060063360A1

公开(公告)日：2006-03-23

申请号：US11227079

申请日：2005-09-16

申请人： Vikram Singh ,  Edmund Winder ,  Harold Persing ,  Timothy Miller ,  Ziwei Fang ,  Atul Gupta

发明人： Vikram Singh ,  Edmund Winder ,  Harold Persing ,  Timothy Miller ,  Ziwei Fang ,  Atul Gupta

IPC分类号： H01L21/04

CPC分类号： H01L21/2236 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32412 ,  H01L21/26513

摘要： A technique for boron implantation is disclosed. In one particular exemplary embodiment, the technique may be realized by an apparatus for boron implantation. The apparatus may comprise a reaction chamber. The apparatus may also comprise a source of pentaborane coupled to the reaction chamber, wherein the source is capable of supplying a substantially pure form of pentaborane into the reaction chamber. The apparatus may further comprise a power supply that is configured to energize the pentaborane in the reaction chamber sufficiently to produce a plasma discharge having boron-bearing ions.

摘要翻译： 公开了硼注入技术。 在一个特定的示例性实施例中，该技术可以由用于硼注入的装置来实现。 该装置可以包括反应室。 该装置还可以包含耦合到反应室的五硼烷的源，其中源能够将基本上纯的形式的五硼烷供应到反应室中。 该装置还可以包括电源，其被配置为充分激发反应室中的五硼烷以产生具有含硼离子的等离子体放电。

公开(公告)号：US20050205211A1

公开(公告)日：2005-09-22

申请号：US10805966

申请日：2004-03-22

申请人： Vikram Singh ,  Timothy Miller ,  Paul Murphy ,  Harold Persing ,  Jay Scheuer ,  Donna Smatlak ,  Edmund Winder ,  Robert Bettencourt

发明人： Vikram Singh ,  Timothy Miller ,  Paul Murphy ,  Harold Persing ,  Jay Scheuer ,  Donna Smatlak ,  Edmund Winder ,  Robert Bettencourt

IPC分类号： H01J37/32 ,  C23F1/00

CPC分类号： H01J37/32412

摘要： A plasma immersion ion implant apparatus and method, and a plasma chamber, each configured to provide a uniform ion flux and to dissipate the effects of secondary electrons are disclosed. The invention includes a plasma chamber including a dielectric tophat configuration and a conductive top section that may be liquid cooled. In addition, the invention provides a radio frequency (RF) antenna configuration including an active antenna that is coupled to an RF source and a parasitic antenna that is not directly coupled to any RF source, but may be grounded. The RF antenna allows for tuning of the RF coupling.

摘要翻译： 公开了一种等离子体浸没离子注入装置和方法以及等离子体室，每个等离子体室被配置成提供均匀的离子通量并消散二次电子的作用。 本发明包括一个等离子体室，该等离子体室包括一个电介质构造和一个可以被液体冷却的导电顶部。 此外，本发明提供了一种射频（RF）天线配置，其包括耦合到RF源的有源天线和不直接耦合到任何RF源但可以接地的寄生天线。 RF天线允许调谐RF耦合。