公开(公告)号：US07620088B2

公开(公告)日：2009-11-17

申请号：US11597951

申请日：2005-04-29

申请人： Wilhelm Stein ,  Tony Albrecht ,  Peter Brick

发明人： Wilhelm Stein ,  Tony Albrecht ,  Peter Brick

IPC分类号： H01S5/00 ,  H01S3/10

CPC分类号： H01S5/18394 ,  H01S3/109 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/141 ,  H01S5/18355 ,  H01S5/18386 ,  H01S2301/18

摘要： A surface-emitting semiconductor laser component, in particular an electrically pumped semiconductor laser component, featuring emission in a vertical direction. The component is provided for the generation of laser radiation by means of an external optical resonator (4, 5). The component comprises a semiconductor body with a semiconductor layer sequence (2) having a lateral main direction of extension and an active zone (3) provided for generation of radiation. A radiation-transmissive contact layer (6) is arranged within the resonator and is electrically conductively connected to the semiconductor body.

摘要翻译： 表面发射半导体激光器部件，特别是具有在垂直方向上发射的电泵浦半导体激光器部件。 该组件被提供用于通过外部光学谐振器（4,5）产生激光辐射。 该部件包括具有半导体层序列（2）的半导体本体，该半导体层序列（2）具有横向主要延伸方向，以及提供用于产生辐射的活动区域（3）。 辐射透射接触层（6）布置在谐振器内并与半导体本体导电连接。

公开(公告)号：US20080165811A1

公开(公告)日：2008-07-10

申请号：US11597951

申请日：2005-04-29

申请人： Wilhelm Stein ,  Tony Albrecht ,  Peter Brick

发明人： Wilhelm Stein ,  Tony Albrecht ,  Peter Brick

IPC分类号： H01S5/183

CPC分类号： H01S5/18394 ,  H01S3/109 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/141 ,  H01S5/18355 ,  H01S5/18386 ,  H01S2301/18

摘要： A surface-emitting semiconductor laser component, in particular an electrically pumped semiconductor laser component, featuring emission in a vertical direction. The component is provided for the generation of laser radiation by means of an external optical resonator (4, 5). The component comprises a semiconductor body with a semiconductor layer sequence (2) having a lateral main direction of extension and an active zone (3) provided for generation of radiation. A radiation-transmissive contact layer (6) is arranged within the resonator and is electrically conductively connected to the semiconductor body.

摘要翻译： 表面发射半导体激光器部件，特别是具有在垂直方向上发射的电泵浦半导体激光器部件。 该组件被提供用于通过外部光学谐振器（4,5）产生激光辐射。 该部件包括具有半导体层序列（2）的半导体本体，该半导体层序列（2）具有横向主要延伸方向，以及提供用于产生辐射的活动区域（3）。 辐射透射接触层（6）布置在谐振器内并与半导体本体导电连接。

公开(公告)号：US06979842B2

公开(公告)日：2005-12-27

申请号：US10749433

申请日：2003-12-31

申请人： Wilhelm Stein ,  Ralph Wirth ,  Tony Albrecht

发明人： Wilhelm Stein ,  Ralph Wirth ,  Tony Albrecht

IPC分类号： H01L33/44 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/44

摘要： An optoelectronic component with an epitaxial semiconductor layer sequence having an active zone that emits electromagnetic radiation, and at least one electrical contact region having at least one radiation-transmissive electrical contact layer, which contains ZnO and is electrically conductively connected to an outer semiconductor layer. The contact layer is provided with watertight material in such a way that it is substantially protected against moisture.

摘要翻译： 具有外延半导体层序列的光电子部件具有发射电磁辐射的有源区，以及至少一个具有至少一个辐射透射电接触层的电接触区，该电接触区含有ZnO并与外部半导体层导电连接。 接触层以防水材料的方式设置有防水材料。

公开(公告)号：US07408972B2

公开(公告)日：2008-08-05

申请号：US10579519

申请日：2004-11-09

申请人： Wolfgang Schmid ,  Peter Brick ,  Stephan Lutgen ,  Tony Albrecht ,  Franz Eberhard

发明人： Wolfgang Schmid ,  Peter Brick ,  Stephan Lutgen ,  Tony Albrecht ,  Franz Eberhard

IPC分类号： H01S3/091 ,  H01S3/08

CPC分类号： H01S5/183 ,  H01H13/705 ,  H01H13/86 ,  H01H2209/07 ,  H01H2223/008 ,  H01H2223/034 ,  H01H2239/032 ,  H01H2239/034 ,  H01H2239/038 ,  H01S3/094084 ,  H01S5/026 ,  H01S5/041 ,  H01S5/101 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4056

摘要： An optically pumped semiconductor laser device having a surface-emitting vertical emission region (1) and at least one monolithically integrated pump radiation source (2) for optically pumping the vertical emission region (1). The semiconductor laser device is distinguished by the fact that the pump radiation enters the vertical emission region (1) in the form of partial bundles of rays of radiation with different radiation directions so that the pump radiation and the fundamental mode of the vertical emission region (1) have an overlap which is suitable for the excitation of this fundamental mode. This device is based on the fact that the fundamental mode of the vertical emission region (1) is preferably excited when the spatial intensity distribution of the pump radiation matches the profile of the fundamental mode.

摘要翻译： 一种具有表面发射垂直发射区域（1）和至少一个用于光学泵浦垂直发射区域（1）的单片集成泵浦辐射源（2）的光泵浦半导体激光器件。 半导体激光器件的特征在于泵辐射以不同辐射方向的部分束辐射线的形式进入垂直发射区域（1），使得泵浦辐射和垂直发射区域的基本模式 1）具有适合于该基本模式的激励的重叠。 该装置基于以下事实：当泵浦辐射的空间强度分布与基本模式的轮廓匹配时，优选地激发垂直发射区域（1）的基本模式。

公开(公告)号：US20050056904A1

公开(公告)日：2005-03-17

申请号：US10909036

申请日：2004-07-30

申请人： Tony Albrecht ,  Peter Brick ,  Glenn-Yves Plaine ,  Marc Philippens

发明人： Tony Albrecht ,  Peter Brick ,  Glenn-Yves Plaine ,  Marc Philippens

IPC分类号： H01L31/02 ,  H01L31/00

CPC分类号： H01L31/02162 ,  H01L31/0547 ,  Y02E10/52

摘要： A radiation-sensitive semiconductor body which has at least one radiation-absorbent active area (2) between at least two contact layers (6, 7) and which receives electromagnetic radiation in a wavelength range between λ1 and λ2 where λ2>λ1. A filter layer (5) is arranged between the active area (2) and a radiation input surface (9). The active area (2) detects electromagnetic radiation at a wavelength below λ2. The filter layer (5) absorbs electromagnetic radiation at a wavelength below λ1, and passes electromagnetic radiation at a wavelength above λ1.

摘要翻译： 一种辐射敏感半导体本体，其在至少两个接触层（6,7）之间具有至少一个辐射吸收有源区域（2），并接收λ1和λ2之间的波长范围的电磁辐射，其中λ2>λ1。 在有源区域（2）和辐射输入表面（9）之间布置滤光层（5）。 有源区域（2）检测波长低于λ2的电磁辐射。 滤波器层（5）吸收波长低于λ1的电磁辐射，并通过波长高于λ1的电磁辐射。

公开(公告)号：US07570682B2

公开(公告)日：2009-08-04

申请号：US10579528

申请日：2004-11-09

申请人： Tony Albrecht ,  Peter Brick ,  Stephan Lutgen

发明人： Tony Albrecht ,  Peter Brick ,  Stephan Lutgen

IPC分类号： H01S5/00 ,  H01S3/091

CPC分类号： H01S5/041 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/14 ,  H01S5/183 ,  H01S5/209 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4056

摘要： A semiconductor laser device comprising an optically pumped surface-emitting vertical emitter region (2) which has an active radiation-emitting vertical emitter layer (3) and has at least one monolithically integrated pump radiation source (5) for optically pumping the vertical emitter region (2), which has an active radiation-emitting pump layer (6). The pump layer (6) follows the vertical emitter layer (3) in the vertical direction and a conductive layer (13) is provided between the vertical emitter layer (3) and the pump layer (6). Furthermore, a contact (9) is applied on the side of the semiconductor laser device which is closer to the pump layer (6) than to the conductive layer (13). An electrical field can be applied between this contact (9) and the conductive layer (13) for generating pump radiation (7) by charge carrier injection.

摘要翻译： 一种半导体激光器件，包括具有有源辐射发射垂直发射极层（3）的光泵浦表面发射垂直发射极区（2），并且具有至少一个单片集成泵浦辐射源（5），用于光学泵浦垂直发射极区 （2），其具有主动辐射发射泵浦层（6）。 泵层（6）在垂直方向上跟随垂直发射极层（3），并且在垂直发射极层（3）和泵浦层（6）之间提供导电层（13）。 此外，在半导体激光器件的比导电层（13）更靠近泵浦层（6）的一侧上施加触点（9）。 可以在该触点（9）和导电层（13）之间施加电场，以通过电荷载体注入产生泵浦辐射（7）。

公开(公告)号：US20080153189A1

公开(公告)日：2008-06-26

申请号：US12072365

申请日：2008-02-26

申请人： Glenn-Yves Plaine ,  Tony Albrecht ,  Peter Brick ,  Marc Philippens

发明人： Glenn-Yves Plaine ,  Tony Albrecht ,  Peter Brick ,  Marc Philippens

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L27/15 ,  H01L31/173

摘要： A method for producing an integrated semiconductor component comprising a first semiconductor layer construction for emitting radiation and a second semiconductor layer construction for receiving radiation, wherein a substrate is first provided and a first semiconductor layer sequence containing a radiation-generating region is deposited epitaxially on the substrate. A second semiconductor layer sequence containing a radiation-absorbing region is subsequently deposited epitaxially on the first semiconductor layer sequence. The second semiconductor layer sequence is then patterned in order to uncover a first location and a second location. A first semiconductor layer construction is electrically insulated from a second semiconductor layer construction. Finally, a first contact layer is applied to a free surface of the substrate and a second contact layer is applied at least to the first and second locations for contact-connection.

摘要翻译： 一种用于制造集成半导体部件的方法，包括用于发射辐射的第一半导体层结构和用于接收辐射的第二半导体层结构，其中首先提供衬底，并且包含辐射产生区的第一半导体层序列外延地沉积在 基质。 随后在第一半导体层序列上外延沉积包含辐射吸收区的第二半导体层序列。 然后将第二半导体层序列图案化以便露出第一位置和第二位置。 第一半导体层结构与第二半导体层结构电绝缘。 最后，将第一接触层施加到衬底的自由表面，并且至少将第二接触层施加到第一和第二位置用于接触连接。

公开(公告)号：US20070201531A1

公开(公告)日：2007-08-30

申请号：US10579519

申请日：2004-11-09

申请人： Wolfgang Schmid ,  Peter Brick ,  Stephan Lutgen ,  Tony Albrecht ,  Franz Eberhard

发明人： Wolfgang Schmid ,  Peter Brick ,  Stephan Lutgen ,  Tony Albrecht ,  Franz Eberhard

IPC分类号： H01S3/093 ,  H01S3/081

CPC分类号： H01S5/183 ,  H01H13/705 ,  H01H13/86 ,  H01H2209/07 ,  H01H2223/008 ,  H01H2223/034 ,  H01H2239/032 ,  H01H2239/034 ,  H01H2239/038 ,  H01S3/094084 ,  H01S5/026 ,  H01S5/041 ,  H01S5/101 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4056

摘要： An optically pumped semiconductor laser device having a surface-emitting vertical emission region (1) and at least one monolithically integrated pump radiation source (2) for optically pumping the vertical emission region (1). The semiconductor laser device is distinguished by the fact that the pump radiation enters the vertical emission region (1) in the form of partial bundles of rays of radiation with different radiation directions so that the pump radiation and the fundamental mode of the vertical emission region (1) have an overlap which is suitable for the excitation of this fundamental mode. This device is based on the fact that the fundamental mode of the vertical emission region (1) is preferably excited when the spatial intensity distribution of the pump radiation matches the profile of the fundamental mode.

摘要翻译： 一种具有表面发射垂直发射区域（1）和至少一个用于光学泵浦垂直发射区域（1）的单片集成泵浦辐射源（2）的光泵浦半导体激光器件。 半导体激光器件的特征在于泵辐射以不同辐射方向的部分束辐射线的形式进入垂直发射区域（1），使得泵浦辐射和垂直发射区域的基本模式 1）具有适合于该基本模式的激励的重叠。 该装置基于以下事实：当泵浦辐射的空间强度分布与基本模式的轮廓匹配时，优选地激发垂直发射区域（1）的基本模式。

公开(公告)号：US20070041414A1

公开(公告)日：2007-02-22

申请号：US10550994

申请日：2004-02-23

申请人： Tony Albrecht ,  Peter Brick ,  Marc Philippens ,  Glenn-Yves Plaine

发明人： Tony Albrecht ,  Peter Brick ,  Marc Philippens ,  Glenn-Yves Plaine

IPC分类号： H01S5/00

CPC分类号： H01S5/18377 ,  H01S5/2022 ,  H01S2301/02 ,  H01S2301/163

摘要： A semiconductor laser, contains at least one absorbing layer (8) in its laser resonator, said absorbing layer reducing the transmission TRes of the laser radiation (10) in the laser resonator for the purpose of decreasing the sensitivity of the semiconductor laser to disturbances created by radiation (9) fed back into the laser resonator. This reduces fluctuations in the output power due to fed-back radiation (9).

摘要翻译： 半导体激光器在其激光谐振器中包含至少一个吸收层（8），所述吸收层减少了激光谐振器中的激光辐射（10）的透射率T res，以减少 半导体激光器对由反馈到激光谐振器中的辐射（9）产生的干扰的灵敏度。 这减少了由反馈辐射引起的输出功率的波动（9）。

公开(公告)号：US20050110026A1

公开(公告)日：2005-05-26

申请号：US10951525

申请日：2004-09-28

申请人： Glenn-Yves Plaine ,  Tony Albrecht ,  Peter Brick ,  Marc Philippens

发明人： Glenn-Yves Plaine ,  Tony Albrecht ,  Peter Brick ,  Marc Philippens

IPC分类号： H01L31/12 ,  H01L27/15 ,  H01L31/173

CPC分类号： H01L27/15 ,  H01L31/173

摘要： A radiation-emitting-and-receiving semiconductor component has at least a first semiconductor layer construction (1) for emitting radiation and a second semiconductor layer construction (2) for receiving radiation, which are arranged in a manner spaced apart from one another on a common substrate (3) and have at least one first contact layer (4). The first semiconductor layer construction (1) has an electromagnetic-radiation-generating region (5) arranged between p-conducting semiconductor layers (6) and n-conducting semiconductor layers (7) of the first semiconductor layer construction (1). A second contact layer (8) is at least partially arranged on that surface of the first semiconductor layer construction (1) which is remote from the substrate (3) and that of the second semiconductor layer construction (2). The second semiconductor layer construction (2) has an electromagnetic-radiation-absorbing region (9), the composition of the radiation-generating region (5) being different from that of the radiation-absorbing region (9).

摘要翻译： 辐射发射和接收半导体部件至少具有用于发射辐射的第一半导体层结构（1）和用于接收辐射的第二半导体层结构（2），所述第二半导体层结构（2）以彼此间隔开的方式布置 公共衬底（3）并且具有至少一个第一接触层（4）。 第一半导体层结构（1）具有布置在第一半导体层结构（1）的p导电半导体层（6）和n导电半导体层（7）之间的电磁辐射产生区域（5）。 第二接触层（8）至少部分地布置在远离基板（3）的第一半导体层结构（1）的表面和第二半导体层结构（2）的表面上。 第二半导体层结构（2）具有电磁辐射吸收区域（9），辐射产生区域（5）的组成与辐射吸收区域（9）的组成不同。