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1.

发明授权
Top coat for acid catalyzed resists 失效
标题翻译：用于酸催化抗蚀剂的面漆

公开(公告)号：US5240812A

公开(公告)日：1993-08-31

申请号：US793884

申请日：1991-11-18

申请人： Willard E. Conley , Ranee W. Kwong , Richard J. Kvitek , Robert N. Lang , Christopher F. Lyons , Steve S. Miura , Wayne M. Moreau , Harbans S. Sachdev , Robert L. Wood

发明人： Willard E. Conley , Ranee W. Kwong , Richard J. Kvitek , Robert N. Lang , Christopher F. Lyons , Steve S. Miura , Wayne M. Moreau , Harbans S. Sachdev , Robert L. Wood

IPC分类号： G03F7/09

CPC分类号： G03F7/092

摘要： A protective material for use as an overcoating film for acid catalyzed resist compositions comprising a polymeric film forming compound, the films of which are impermeable to vapors of organic and inorganic bases.

摘要翻译： 用作酸催化抗蚀剂组合物的外涂膜的保护材料，其包含聚合物成膜化合物，其膜对有机和无机碱的蒸气是不可渗透的。

2.

发明授权
Silicon containing positive resist for DUV lithography 失效
标题翻译：含有DUV光刻的正性抗蚀剂的硅

公开(公告)号：US5338818A

公开(公告)日：1994-08-16

申请号：US943086

申请日：1992-09-10

申请人： William R. Brunsvold , Premlatha Jagannathan , Steve S. Miura , Melvin W. Montgomery , Harbans S. Sachdev , Ratnam Sooriyakumaran

发明人： William R. Brunsvold , Premlatha Jagannathan , Steve S. Miura , Melvin W. Montgomery , Harbans S. Sachdev , Ratnam Sooriyakumaran

IPC分类号： C08G77/38 , C08G77/04 , C08G77/16 , C08G77/18 , C08L83/04 , C08L83/06 , G03F7/039 , G03F7/075 , C08G77/00

CPC分类号： G03F7/0757 , C08G77/04 , C08G77/16 , C08G77/18

摘要： A method of synthesizing a silicon-containing positive resist for use as a imaging layer in DUV, x-ray, or e-beam lithography is disclosed. The resist contains arylsilsesquioxane polymers with acid sensitive pendant groups as dissolution inhibitors and a photoacid generator.

摘要翻译： 公开了一种在DUV，X射线或电子束光刻中合成用作成像层的含硅正性抗蚀剂的方法。抗蚀剂含有具有酸敏性侧基作为溶解抑制剂的芳基倍半硅氧烷聚合物和光酸产生剂。

3.

发明授权
Fast diazoquinone positive resists comprising mixed esters of 4-sulfonate and 5-sulfonate compounds 失效
标题翻译：快速重氮醌正抗蚀剂，其包含4-磺酸盐和5-磺酸盐化合物的混合酯

公开(公告)号：US5362599A

公开(公告)日：1994-11-08

申请号：US792115

申请日：1991-11-14

申请人： Christopher J. Knors , Steve S. Miura , Melvin W. Montgomery , Wayne M. Moreau , Randolph J. Smith

发明人： Christopher J. Knors , Steve S. Miura , Melvin W. Montgomery , Wayne M. Moreau , Randolph J. Smith

IPC分类号： G03F7/022 , H01L21/027 , G03F7/023 , G03F7/30

CPC分类号： G03F7/022

摘要： Positive photoresist compositions and methods using the photoresist compositions for making submicron patterns in the production of semiconductor devices are disclosed. The photoresists contain sensitizers that are mixed naphthoquinonediazide 4- and 5- sulfonic acid esters of bis and tris(mono, di and trihydroxyphenyl) alkanes.

摘要翻译： 公开了正性光致抗蚀剂组合物和使用光致抗蚀剂组合物在制造半导体器件中制造亚微米图案的方法。光致抗蚀剂含有混合萘醌二叠氮化物双和三（一，二和三羟基苯基）烷烃的4-和5-磺酸酯的敏化剂。