公开(公告)号：US5766379A

公开(公告)日：1998-06-16

申请号：US478491

申请日：1995-06-07

申请人： William A. Lanford ,  Wei Wang ,  Peijun Ding

发明人： William A. Lanford ,  Wei Wang ,  Peijun Ding

IPC分类号： C23C14/02 ,  C23C14/16 ,  C23C14/58 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  C22F38/06 ,  C22F38/16

CPC分类号： C23C14/5806 ,  C23C14/024 ,  C23C14/16 ,  C23C14/5853 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L21/76807 ,  H01L2924/0002

摘要： A copper conductor is formed which is included as a component in microelectronic devices. The conductor is formed by forming a metal layer on the surface of a microelectronic substrate, forming a copper layer on the metal layer, and annealing the metal and copper layers. The annealing step diffuses at least some of the metal layer through the copper layer to the surface thereof where the diffused metal forms a protective metal oxide at the surface of the copper layer. As a result, the metal oxide layer passivates the copper layer.

摘要翻译： 形成铜导体作为微电子器件中的组件。 通过在微电子基板的表面上形成金属层，在金属层上形成铜层，退火金属层和铜层，形成导体。 退火步骤通过铜层将至少一些金属层扩散到其表面，其中扩散金属在铜层的表面形成保护性金属氧化物。 结果，金属氧化物层钝化铜层。

公开(公告)号：US06057223A

公开(公告)日：2000-05-02

申请号：US21666

申请日：1998-02-10

申请人： William A. Lanford ,  Wei Wang ,  Peijun Ding

发明人： William A. Lanford ,  Wei Wang ,  Peijun Ding

IPC分类号： C23C14/02 ,  C23C14/16 ,  C23C14/58 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L21/4763

CPC分类号： C23C14/5806 ,  C23C14/024 ,  C23C14/16 ,  C23C14/5853 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L21/76807 ,  H01L2924/0002

摘要： A copper conductor is formed which is included as a component in microelectronic devices. The conductor is formed by forming a metal layer on the surface of a microelectronic substrate, forming a copper layer on the metal layer, and annealing the metal and copper layers. The annealing step diffuses at least some of the metal layer through the copper layer to the surface thereof where the diffused metal forms a protective metal oxide at the surface of the copper layer. As a result, the metal oxide layer passivates the copper layer.

摘要翻译： 形成铜导体作为微电子器件中的组件。 通过在微电子基板的表面上形成金属层，在金属层上形成铜层，退火金属层和铜层，形成导体。 退火步骤通过铜层将至少一些金属层扩散到其表面，其中扩散金属在铜层的表面形成保护性金属氧化物。 结果，金属氧化物层钝化铜层。

公开(公告)号：US5622608A

公开(公告)日：1997-04-22

申请号：US219131

申请日：1994-05-05

申请人： William A. Lanford ,  Peijun Ding

发明人： William A. Lanford ,  Peijun Ding

IPC分类号： C23C14/18 ,  C23C14/58 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H05K1/03 ,  H05K1/09 ,  H05K3/14 ,  C23C14/34

CPC分类号： H01L23/53233 ,  C23C14/185 ,  C23C14/58 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/09 ,  H05K3/146

摘要： A process for preparing an oxidation resistant, electrically conductive copper layer on a substrate, and copper layers so formed, are disclosed. A copper layer is deposited onto the surface of a substrate, and subsequently annealed. The copper layer includes magnesium in an amount sufficient to form an inert magnesium oxide layer at the surface of the copper layer upon annealing.

摘要翻译： 公开了一种在衬底上制备抗氧化导电铜层的方法以及如此形成的铜层。 将铜层沉积在衬底的表面上，随后退火。 铜层包括在退火时在铜层的表面上足以形成惰性氧化镁层的量的镁。

公开(公告)号：US5959358A

公开(公告)日：1999-09-28

申请号：US837770

申请日：1997-04-22

申请人： William A. Lanford ,  Peijun Ding

发明人： William A. Lanford ,  Peijun Ding

IPC分类号： C23C14/18 ,  C23C14/58 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H05K1/03 ,  H05K1/09 ,  H05K3/14 ,  H01L23/54 ,  C23C14/34 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L23/53233 ,  C23C14/185 ,  C23C14/58 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/09 ,  H05K3/146

摘要： A process for preparing an oxidation resistant, electrically conductive copper layer on a substrate, and copper layers so formed, are disclosed. A copper layer is deposited onto the surface of a substrate, and subsequently annealed. The copper layer includes magnesium in an amount sufficient to form an inert magnesium oxide layer at the surface of the copper layer upon annealing.

摘要翻译： 公开了一种在衬底上制备抗氧化导电铜层的方法和如此形成的铜层。 将铜层沉积在衬底的表面上，随后退火。 铜层包括在退火时在铜层的表面上足以形成惰性氧化镁层的量的镁。

公开(公告)号：US5689112A

公开(公告)日：1997-11-18

申请号：US631059

申请日：1996-04-12

申请人： Harald A. Enge ,  William A. Lanford

发明人： Harald A. Enge ,  William A. Lanford

IPC分类号： G01Q90/00 ,  H01J37/252 ,  H01J49/44

CPC分类号： H01J49/463 ,  H01J37/252 ,  H01J2237/0225 ,  H01J2237/053 ,  H01J2237/1207

摘要： Surface contamination of silicon wafers is detected by a combined beam-deflecting magnet and magnetic spectrometer system. Heavy ions are directed onto the surface of a silicon wafer through the beam-deflecting magnet, and ions back-scattered from contaminants in the surface of the wafer pass through the magnetic spectrometer onto a focal-plane detector. One or more Einzel lenses prevent ions back-scattered from the silicon in the wafer from reaching the detector.

摘要翻译： 通过组合的光束偏转磁体和磁谱仪系统检测硅晶片的表面污染。 重离子通过光束偏转磁体被引导到硅晶片的表面上，并且从晶片表面的污染物反向散射的离子通过磁性光谱仪进入焦平面检测器。 一个或多个Einzel透镜防止从晶片中的硅反向散射的离子到达检测器。