公开(公告)号：US09218888B2

公开(公告)日：2015-12-22

申请号：US14039341

申请日：2013-09-27

Applicant: Winbond Electronics Corp.

Inventor： Kazuki Yamauchi ,  Katsutoshi Suito ,  Oron Michael ,  Jongjun Kim ,  Youn-Cherl Shin

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/26 ,  G11C16/04 ,  G11C7/06

CPC classification number: G11C16/26 ,  G11C7/06 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/10

Abstract: A non-volatile semiconductor memory includes a memory array, a selecting device selecting a page according to addresses, a data storage device, storing page data, and an output device outputting the stored data. The data storage device includes a first data storage device receiving data from a selected page of the memory array, a second data storage device receiving data from the first data storage device, and a data transmission device configured between the first and the second data storage device. The data transmission device transmits data in a second part of the first data storage device to the second data storage device when data in a first part of the second data storage device is output, and transmits data in a first part of the first data storage device to the second data storage device when data in a second part of the second data storage device is output.

Abstract translation: 非挥发性半导体存储器包括存储器阵列，根据地址选择页面的选择设备，数据存储设备，存储页面数据以及输出存储的数据的输出设备。 数据存储装置包括从存储器阵列的选定页面接收数据的第一数据存储装置，从第一数据存储装置接收数据的第二数据存储装置，以及配置在第一和第二数据存储装置之间的数据发送装置 。 当第二数据存储装置的第一部分中的数据被输出时，数据传输装置将第一数据存储装置的第二部分的数据发送到第二数据存储装置，并且在第一数据存储装置的第一部分中发送数据 在第二数据存储装置的第二部分中的数据被输出时，发送到第二数据存储装置。