公开(公告)号：US20120018824A1

公开(公告)日：2012-01-26

申请号：US13170870

申请日：2011-06-28

申请人： Woo-chang LIM ,  Young-hyun Kim ,  Jun-ho Jeong ,  Hee-ju Shin

发明人： Woo-chang LIM ,  Young-hyun Kim ,  Jun-ho Jeong ,  Hee-ju Shin

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： H01L27/228 ,  G11C11/161 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： A magnetic memory layer and a magnetic memory device including the same, the magnetic memory layer including a first seed layer; a second seed layer on the first seed layer, the second seed layer grown according to a crystal direction with respect to a surface of the first seed layer; and a main magnetic layer on the second seed layer, the main magnetic layer grown according to the crystal direction with respect to a surface of the second seed layer.

摘要翻译： 磁存储层和包括该磁存储器的磁存储器件，所述磁存储层包括第一晶种层; 在所述第一种子层上的第二种子层，所述第二种子层相对于所述第一种子层的表面根据晶体方向生长; 以及在所述第二种子层上的主磁性层，所述主磁性层相对于所述第二晶种层的表面根据所述晶体方向生长。

公开(公告)号：US08803265B2

公开(公告)日：2014-08-12

申请号：US13170870

申请日：2011-06-28

申请人： Woo-chang Lim ,  Young-hyun Kim ,  Jun-ho Jeong ,  Hee-ju Shin

发明人： Woo-chang Lim ,  Young-hyun Kim ,  Jun-ho Jeong ,  Hee-ju Shin

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： H01L27/228 ,  G11C11/161 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： A magnetic memory layer and a magnetic memory device including the same, the magnetic memory layer including a first seed layer; a second seed layer on the first seed layer, the second seed layer grown according to a crystal direction with respect to a surface of the first seed layer; and a main magnetic layer on the second seed layer, the main magnetic layer grown according to the crystal direction with respect to a surface of the second seed layer.

摘要翻译： 磁存储层和包括该磁存储器的磁存储器件，所述磁存储层包括第一晶种层; 在所述第一种子层上的第二种子层，所述第二种子层相对于所述第一种子层的表面根据晶体方向生长; 以及在所述第二种子层上的主磁性层，所述主磁性层相对于所述第二晶种层的表面根据所述晶体方向生长。

公开(公告)号：US08247880B2

公开(公告)日：2012-08-21

申请号：US12372083

申请日：2009-02-17

申请人： Se-Chung Oh ,  Jang-Eun Lee ,  Kyung-Tae Nam ,  Woo-Jin Kim ,  Dae-Kyom Kim ,  Jun-ho Jeong ,  Seung-Yeol Lee

发明人： Se-Chung Oh ,  Jang-Eun Lee ,  Kyung-Tae Nam ,  Woo-Jin Kim ,  Dae-Kyom Kim ,  Jun-ho Jeong ,  Seung-Yeol Lee

IPC分类号： H01L29/82 ,  G11C11/00

CPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01L43/10

摘要： A magnetic memory device and a method of fabricating the same. The magnetic memory device includes a free layer, a write element, and a read element. The write element changes the magnetization direction of the free layer, and the read element senses the magnetization direction of the free layer. Herein, the write element includes a current confinement layer having a width smaller than the minimum width of the free layer to locally increase the density of a current flowing through the write element.

摘要翻译： 一种磁存储器件及其制造方法。 磁存储器件包括自由层，写入元件和读取元件。 写入元件改变自由层的磁化方向，并且读取元件感测自由层的磁化方向。 这里，写元件包括具有小于自由层的最小宽度的宽度的电流限制层，以局部地增加流过写入元件的电流的密度。

公开(公告)号：US20100301480A1

公开(公告)日：2010-12-02

申请号：US12787056

申请日：2010-05-25

申请人： SUK-HUN CHOI ,  Ki-ho Bae ,  Yi-koan Hong ,  Kyung-hyun Kim ,  Tae-hyun Kim ,  Kyung-tae Nam ,  Jun-ho Jeong

发明人： SUK-HUN CHOI ,  Ki-ho Bae ,  Yi-koan Hong ,  Kyung-hyun Kim ,  Tae-hyun Kim ,  Kyung-tae Nam ,  Jun-ho Jeong

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L27/228 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76888 ,  H01L23/5228 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1666 ,  H01L45/1683 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes an interlayer insulating layer disposed on a substrate, the interlayer insulating layer comprising an opening exposing the substrate, a barrier layer pattern disposed within the opening, and a conductive pattern disposed on the barrier layer pattern, the conductive pattern having an oxidized portion extending out of the opening and a non-oxidized portion within the opening, wherein a width of the conductive pattern is determined by a thickness of the barrier layer pattern.

摘要翻译： 半导体器件包括设置在衬底上的层间绝缘层，所述层间绝缘层包括露出衬底的开口，设置在所述开口内的阻挡层图案以及设置在所述阻挡层图案上的导电图案，所述导电图案具有氧化 从开口延伸的部分和开口内的非氧化部分，其中导电图案的宽度由阻挡层图案的厚度确定。

公开(公告)号：US08575753B2

公开(公告)日：2013-11-05

申请号：US12787056

申请日：2010-05-25

申请人： Suk-hun Choi ,  Ki-ho Bae ,  Yi-koan Hong ,  Kyung-hyun Kim ,  Tae-hyun Kim ,  Kyung-tae Nam ,  Jun-ho Jeong

发明人： Suk-hun Choi ,  Ki-ho Bae ,  Yi-koan Hong ,  Kyung-hyun Kim ,  Tae-hyun Kim ,  Kyung-tae Nam ,  Jun-ho Jeong

IPC分类号： H01L29/40

CPC分类号： H01L27/228 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76888 ,  H01L23/5228 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1666 ,  H01L45/1683 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes an interlayer insulating layer disposed on a substrate, the interlayer insulating layer comprising an opening exposing the substrate, a barrier layer pattern disposed within the opening, and a conductive pattern disposed on the barrier layer pattern, the conductive pattern having an oxidized portion extending out of the opening and a non-oxidized portion within the opening, wherein a width of the conductive pattern is determined by a thickness of the barrier layer pattern.

摘要翻译： 半导体器件包括设置在衬底上的层间绝缘层，所述层间绝缘层包括露出衬底的开口，设置在所述开口内的阻挡层图案以及设置在所述阻挡层图案上的导电图案，所述导电图案具有氧化 从开口延伸的部分和开口内的非氧化部分，其中导电图案的宽度由阻挡层图案的厚度确定。

公开(公告)号：US20090206427A1

公开(公告)日：2009-08-20

申请号：US12372083

申请日：2009-02-17

申请人： Se-Chung Oh ,  Jang-Eun Lee ,  Kyung-Tae Nam ,  Woo-Jin Kim ,  Dae-Kyom Kim ,  Jun-ho Jeong ,  Seung-Yool Lee

发明人： Se-Chung Oh ,  Jang-Eun Lee ,  Kyung-Tae Nam ,  Woo-Jin Kim ,  Dae-Kyom Kim ,  Jun-ho Jeong ,  Seung-Yool Lee

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01L43/10

摘要： A magnetic memory device and a method of fabricating the same. The magnetic memory device includes a free layer, a write element, and a read element. The write element changes the magnetization direction of the free layer, and the read element senses the magnetization direction of the free layer. Herein, the write element includes a current confinement layer having a width smaller than the minimum width of the free layer to locally increase the density of a current flowing through the write element.

摘要翻译： 一种磁存储器件及其制造方法。 磁存储器件包括自由层，写入元件和读取元件。 写入元件改变自由层的磁化方向，并且读取元件感测自由层的磁化方向。 这里，写元件包括具有小于自由层的最小宽度的宽度的电流限制层，以局部地增加流过写入元件的电流的密度。