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    Magnetic memory layer and magnetic memory device including the same
    1.
    发明授权
    Magnetic memory layer and magnetic memory device including the same 有权
    磁存储层和包括其的磁存储器件

    公开(公告)号：US08803265B2

    公开(公告)日：2014-08-12

    申请号：US13170870

    申请日：2011-06-28

    申请人： Woo-chang Lim ,  Young-hyun Kim ,  Jun-ho Jeong ,  Hee-ju Shin

    发明人： Woo-chang Lim ,  Young-hyun Kim ,  Jun-ho Jeong ,  Hee-ju Shin

    IPC分类号： H01L29/82

    CPC分类号： H01L27/228 ,  G11C11/161 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

    摘要： A magnetic memory layer and a magnetic memory device including the same, the magnetic memory layer including a first seed layer; a second seed layer on the first seed layer, the second seed layer grown according to a crystal direction with respect to a surface of the first seed layer; and a main magnetic layer on the second seed layer, the main magnetic layer grown according to the crystal direction with respect to a surface of the second seed layer.

    摘要翻译： 磁存储层和包括该磁存储器的磁存储器件，所述磁存储层包括第一晶种层; 在所述第一种子层上的第二种子层，所述第二种子层相对于所述第一种子层的表面根据晶体方向生长; 以及在所述第二种子层上的主磁性层，所述主磁性层相对于所述第二晶种层的表面根据所述晶体方向生长。

    MAGNETIC MEMORY LAYER AND MAGNETIC MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME
    2.
    发明申请
    MAGNETIC MEMORY LAYER AND MAGNETIC MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME 有权
    磁记忆层和磁记忆体装置，包括它们

    公开(公告)号：US20120018824A1

    公开(公告)日：2012-01-26

    申请号：US13170870

    申请日：2011-06-28

    申请人： Woo-chang LIM ,  Young-hyun Kim ,  Jun-ho Jeong ,  Hee-ju Shin

    发明人： Woo-chang LIM ,  Young-hyun Kim ,  Jun-ho Jeong ,  Hee-ju Shin

    IPC分类号： H01L29/82

    CPC分类号： H01L27/228 ,  G11C11/161 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

    摘要： A magnetic memory layer and a magnetic memory device including the same, the magnetic memory layer including a first seed layer; a second seed layer on the first seed layer, the second seed layer grown according to a crystal direction with respect to a surface of the first seed layer; and a main magnetic layer on the second seed layer, the main magnetic layer grown according to the crystal direction with respect to a surface of the second seed layer.

    摘要翻译： 磁存储层和包括该磁存储器的磁存储器件，所述磁存储层包括第一晶种层; 在所述第一种子层上的第二种子层，所述第二种子层相对于所述第一种子层的表面根据晶体方向生长; 以及在所述第二种子层上的主磁性层，所述主磁性层相对于所述第二晶种层的表面根据所述晶体方向生长。

    Magnetic device
    3.
    发明授权
    Magnetic device 有权
    磁性装置

    公开(公告)号：US09178135B2

    公开(公告)日：2015-11-03

    申请号：US14254858

    申请日：2014-04-16

    申请人： Young-hyun Kim ,  Hee-ju Shin ,  Woo-jin Kim ,  Sang-hwan Park

    发明人： Young-hyun Kim ,  Hee-ju Shin ,  Woo-jin Kim ,  Sang-hwan Park

    IPC分类号： H01L43/02 ,  H01L43/10 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22

    CPC分类号： H01L43/10 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

    摘要： A magnetic device can include a tunnel bather and a hybrid magnetization layer disposed adjacent the tunnel barrier. The hybrid magnetization layer can include a first perpendicular magnetic anisotropy (PMA) layer, a second PMA layer, and an amorphous blocking layer disposed between the first and second PMA layers. The first PMA layer can include a multi-layer film in which a first layer formed of Co and a second layer formed of Pt or Pd are alternately stacked. A first dopant formed of an element different from those of the first and second layers can also be included in the first PMA layer. The second PMA layer can be disposed between the first PMA layer and the tunnel barrier, and can include at least one element selected from a group consisting of Co, Fe, and Ni.

    摘要翻译： 磁性装置可以包括隧道沐浴器和邻近隧道屏障设置的混合磁化层。 混合磁化层可以包括第一垂直磁各向异性（PMA）层，第二PMA层和设置在第一和第二PMA层之间的非晶形阻挡层。 第一PMA层可以包括多层膜，其中由Co形成的第一层和由Pt或Pd形成的第二层交替堆叠。 由与第一层和第二层不同的元素形成的第一掺杂剂也可以包括在第一PMA层中。 第二PMA层可以设置在第一PMA层和隧道势垒之间，并且可以包括选自由Co，Fe和Ni组成的组中的至少一种元素。

    Non-volatile memory device including phase-change material
    5.
    发明申请
    Non-volatile memory device including phase-change material 有权
    包括相变材料的非易失性存储器件

    公开(公告)号：US20110049458A1

    公开(公告)日：2011-03-03

    申请号：US12657715

    申请日：2010-01-26

    申请人： Dong-ho Ahn ,  Hideki Horii ,  Soon-oh Park ,  Young-hyun Kim ,  Hee-ju Shin ,  Jin-ho Oh

    发明人： Dong-ho Ahn ,  Hideki Horii ,  Soon-oh Park ,  Young-hyun Kim ,  Hee-ju Shin ,  Jin-ho Oh

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/124 ,  H01L45/141 ,  H01L45/144

    摘要： A non-volatile memory device including a phase-change material, which has a low operating voltage and low power consumption, includes a lower electrode; a phase-change material layer formed on the lower electrode so as to be electrically connected to the lower electrode, wherein the phase-change material layer includes a phase-change material having a composition represented by SnXSbYTeZ or, alternatively with substitutions, in whole or in part, of silicon and/or indium for tin, arsenic and/or bismuth for antimony, and selenium for tellurium; and an upper electrode formed on the phase-change material layer so as to be electrically connected to the phase-change material layer. Here, 0.001≦X≦0.3, 0.001≦Y≦0.8, 0.1≦Z≦0.8, and X+Y+Z=1.

    摘要翻译： 包括具有低工作电压和低功耗的相变材料的非易失性存储器件包括下电极; 相变材料层，形成在下电极上，以与下电极电连接，其中相变材料层包括具有由SnXSbYTeZ表示的组成的相变材料，或者替代地，全部或 部分由硅和/或铟制成的锡，砷和/或锑的铋，以及碲的硒; 以及形成在所述相变材料层上以与所述相变材料层电连接的上电极。 这里，0.001＆nlE; X＆lt; NE; 0.3，0.001＆nlE; Y＆nlE; 0.8,0.1＆nlE; Z＆nlE; 0.8和X + Y + Z = 1。

    MAGNETIC DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
    6.
    发明申请
    MAGNETIC DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
    磁性装置及其制造方法

    公开(公告)号：US20130171743A1

    公开(公告)日：2013-07-04

    申请号：US13729147

    申请日：2012-12-28

    申请人： Jang-eun Lee ,  Soon-oh Park ,  Sang-hwan Park ,  Hee-ju Shin

    发明人： Jang-eun Lee ,  Soon-oh Park ,  Sang-hwan Park ,  Hee-ju Shin

    IPC分类号： H01L43/12

    CPC分类号： H01L43/12 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228

    摘要： A magnetic device and a method of manufacturing the same. In the method, a lower magnetic layer, an insulation layer, and an upper magnetic layer are sequentially formed on a substrate. An upper magnetic layer pattern is formed by patterning the upper magnetic layer until an upper surface of the insulation layer is exposed. An isolation layer pattern is formed from portions of the insulation layer and the lower magnetic layer by performing an oxidation process on the exposed upper surface of the insulation layer, and an insulation layer pattern and a lower magnetic layer pattern are formed from portions of the insulation layer and the lower magnetic layer, where the isolation layer pattern is not formed.

    摘要翻译： 磁性装置及其制造方法。 在该方法中，在基板上依次形成下磁性层，绝缘层和上磁性层。 通过图案化上磁性层直到绝缘层的上表面露出来形成上部磁性层图案。 通过在绝缘层的暴露的上表面上进行氧化处理，从绝缘层和下部磁性层的部分形成隔离层图案，并且绝缘层图案和下部磁性层图案由绝缘体的一部分形成 层和下磁性层，其中不形成隔离层图案。