公开(公告)号：US20160133512A1

公开(公告)日：2016-05-12

申请号：US14747316

申请日：2015-06-23

申请人： Woojin LEE ,  VietHa NGUYEN ,  Wookyung YOU ,  Doo-Sung YUN ,  Hyunbae LEE ,  Byunghee KIM ,  Sang Hoon AHN ,  Seungyong YOO ,  Naein LEE ,  Hoyun JEON

发明人： Woojin LEE ,  VietHa NGUYEN ,  Wookyung YOU ,  Doo-Sung YUN ,  Hyunbae LEE ,  Byunghee KIM ,  Sang Hoon AHN ,  Seungyong YOO ,  Naein LEE ,  Hoyun JEON

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/311 ,  H01L21/321 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/76832 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76834

摘要： A method of manufacturing the semiconductor device includes providing a first interlayer dielectric layer having a conductive pattern, sequentially forming a first etch stop layer, a second etch stop layer, a second interlayer dielectric layer and a mask pattern on the first interlayer dielectric layer, forming an opening in the second interlayer dielectric layer using the mask pattern as a mask, the opening exposing the second etch stop layer, and performing an etching process including simultaneously removing the mask pattern and the second etch stop layer exposed by the opening to expose the first etch stop layer.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法包括提供具有导电图案的第一层间电介质层，在第一层间介质层上依次形成第一蚀刻停止层，第二蚀刻停止层，第二层间电介质层和掩模图案，形成 使用掩模图案作为掩模的第二层间电介质层中的开口，暴露第二蚀刻停止层的开口，以及执行蚀刻处理，包括同时去除由开口暴露的掩模图案和第二蚀刻停止层，以暴露第一蚀刻停止层 蚀刻停止层。

公开(公告)号：US20150287682A1

公开(公告)日：2015-10-08

申请号：US14637640

申请日：2015-03-04

申请人： Sang Hoon AHN ,  Sangho RHA ,  Jongmin BAEK ,  Wookyung YOU ,  Nae-In LEE

发明人： Sang Hoon AHN ,  Sangho RHA ,  Jongmin BAEK ,  Wookyung YOU ,  Nae-In LEE

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L23/528 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L23/53295 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes a first conductive pattern on a substrate, an insulating diffusion barrier layer conformally covering a surface of the first conductive pattern, the insulation diffusion barrier layer exposed by an air gap region adjacent to a sidewall of the first conductive pattern, and a second conductive pattern on the first conductive pattern, the second conductive pattern penetrating the insulating diffusion barrier layer so as to be in contact with the first conductive pattern.

摘要翻译： 半导体器件包括：衬底上的第一导电图案，保形地覆盖第一导电图案的表面的绝缘扩散阻挡层，由邻近第一导电图案的侧壁的气隙区域暴露的绝缘扩散阻挡层，以及 第二导电图案在第一导电图案上，第二导电图案穿透绝缘扩散阻挡层，以便与第一导电图案接触。