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发明申请
Innovative growth method to achieve high quality III-nitride layers for wide band gap optoelectronic and electronic devices 审中-公开
标题翻译：创新的生长方法，为宽带隙光电子器件实现高质量的III族氮化物层

公开(公告)号：US20060160345A1

公开(公告)日：2006-07-20

申请号：US11036081

申请日：2005-01-14

申请人： Xing-Quan Liu , Huoping Xin , Jin Song , Thomas Choo

发明人： Xing-Quan Liu , Huoping Xin , Jin Song , Thomas Choo

IPC分类号： H01L29/22 , H01L21/28 , H01L31/0296

CPC分类号： H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007

摘要： A method to achieve high quality III-nitride epitaxial layers including AlN, AlGaN, GaN, InGaN, and AlInGaN, by supplying group III precursors constantly and group V precursors periodically with the epitaxial growth systems including metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), hydride vapor phase epitaxy (HVPE), and molecular beam epitaxy (MBE).

摘要翻译： 通过外延生长系统周期性地提供III族前驱体和V族前体来实现包括AlN，AlGaN，GaN，InGaN和AlInGaN的高质量III族氮化物外延层的方法，包括金属有机化学气相沉积（MOCVD），氢化物气相外延（HVPE）和分子束外延（MBE）。