公开(公告)号：US06395192B1

公开(公告)日：2002-05-28

申请号：US09318608

申请日：1999-05-26

申请人： Yael Nemirovsky ,  Sara Stolyarova ,  Benjamin Brosilow

发明人： Yael Nemirovsky ,  Sara Stolyarova ,  Benjamin Brosilow

IPC分类号： B44C122

CPC分类号： H01L21/02046 ,  B08B7/0057 ,  H01L21/31116

摘要： A method and apparatus for selectively removing a native oxide layer from a silicon wafer without significantly affecting the underlying silicon or other materials that may be thereon, by exposing the silicon wafer to an etchant gas including NF3 while simultaneously exposing the wafer to ultraviolet radiation, and heating the wafer to a temperature of 100-400° C.

摘要翻译： 一种用于通过将硅晶片暴露于包括NF3的蚀刻剂气体同时将晶片暴露于紫外线辐射而将硅晶片暴露于紫外线辐射的同时，从硅晶片上选择性地去除天然氧化物层而不显着影响下面的硅或其上可能存在的其它材料的方法和装置，以及 将晶片加热至100-400℃的温度

公开(公告)号：US06645787B2

公开(公告)日：2003-11-11

申请号：US10051069

申请日：2002-01-22

申请人： Yael Nemirovsky ,  Raoul Weil ,  Robert Beserman ,  Joseph Shamir ,  Sara Stolyarova ,  Arye Peyser

发明人： Yael Nemirovsky ,  Raoul Weil ,  Robert Beserman ,  Joseph Shamir ,  Sara Stolyarova ,  Arye Peyser

IPC分类号： H01L2100

CPC分类号： H01L31/085 ,  H01L31/186 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： A method for improving CdZnTe-based gamma-ray detectors is presented. A CdZnTe detector/crystal is exposed to acoustic waves. After exposure to acoustic waves, the CdZnTe gamma-detector gains higher resistivity and exhibits better spectral resolution and greater sensitivity. Further, when a batch of detectors is made according to the method of the present invention, the properties of the crystals are more homogenous, allowing for cheaper and more standardized detectors.

公开(公告)号：US20070128361A1

公开(公告)日：2007-06-07

申请号：US11294677

申请日：2005-12-06

申请人： Sara Stolyarova ,  Yehuda Sinai ,  Moshe Weinstein ,  Avi Shai ,  Yael Nemirovsky

发明人： Sara Stolyarova ,  Yehuda Sinai ,  Moshe Weinstein ,  Avi Shai ,  Yael Nemirovsky

IPC分类号： H01L21/00 ,  C23C16/00

CPC分类号： C23C16/306 ,  C23C14/0629 ,  C23C14/5806 ,  G01J5/20 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0262

摘要： A Cd1-xZnxS film material, with a high value of thermal coefficient of resistance, in the range of 1.5% to 3.7%. The Cd1-xZnxS material has excellent characteristics for use in a microbolometer-type uncooled infrared sensor. The film material can be deposited on microbolometer membranes or any other wafer for different applications. The film material can be deposited using the MOCVD technique, thermal evaporation or a different technique to form the film material over the wafer. The Cd1-xZnxS properties can be modified controlling certain deposition parameters and different annealing techniques. The process is performed at temperature compatible with CMOS technology.

摘要翻译： 具有高电阻热系数的Cd 1-x Zn Zn x S膜材料在1.5％至3.7％的范围内。 Cd 1-x Zn Zn x S材料具有优异的特性用于微测辐射热计型非冷却红外传感器。 薄膜材料可以沉积在微热辐射计膜或任何其他晶片上以用于不同的应用。 可以使用MOCVD技术，热蒸发或不同的技术沉积膜材料以在晶片上形成薄膜材料。 可以修改Cd 1-x Zn Zn x S性质，以控制某些沉积参数和不同的退火技术。 该过程在与CMOS技术兼容的温度下进行。

公开(公告)号：US07527999B2

公开(公告)日：2009-05-05

申请号：US11294677

申请日：2005-12-06

申请人： Sara Stolyarova ,  Yehuda Sinai ,  Moshe Weinstein ,  Avi Shai ,  Yael Nemirovsky

发明人： Sara Stolyarova ,  Yehuda Sinai ,  Moshe Weinstein ,  Avi Shai ,  Yael Nemirovsky

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： C23C16/306 ,  C23C14/0629 ,  C23C14/5806 ,  G01J5/20 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0262

摘要： A Cd1-xZnxS film material, with a high value of thermal coefficient of resistance, in the range of 1.5% to 3.7%. The Cd1-xZnxS material has excellent characteristics for use in a microbolometer-type uncooled infrared sensor. The film material can be deposited on microbolometer membranes or any other wafer for different applications. The film material can be deposited using the MOCVD technique, thermal evaporation or a different technique to form the film material over the wafer. The Cd1-xZnxS properties can be modified controlling certain deposition parameters and different annealing techniques. The process is performed at temperature compatible with CMOS technology.

摘要翻译： 具有高电阻热系数的Cd1-xZnxS薄膜材料在1.5％至3.7％的范围内。 Cd1-xZnxS材料具有优异的特性用于微热辐射计型非制冷红外传感器。 薄膜材料可以沉积在微热辐射计膜或任何其他晶片上以用于不同的应用。 可以使用MOCVD技术，热蒸发或不同的技术沉积膜材料以在晶片上形成薄膜材料。 可以修改Cd1-xZnxS性质，控制某些沉积参数和不同的退火技术。 该过程在与CMOS技术兼容的温度下进行。