公开(公告)号：US20080062768A1

公开(公告)日：2008-03-13

申请号：US11531217

申请日：2006-09-12

申请人： Yan Li ,  Loc Tu ,  Charles Moana Hook

发明人： Yan Li ,  Loc Tu ,  Charles Moana Hook

IPC分类号： G11C11/34

CPC分类号： G11C29/02 ,  G11C5/145 ,  G11C16/04 ,  G11C16/0483 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028

摘要： High performance non-volatile memory devices have the programming voltages trimmed for individual types of memory pages and word lines. A group of word lines within each erasable block of memory are tested in successive program loops to minimize the problem of incurring excessive number of erase/program cycles. An optimum programming voltage for a given type of memory pages is derived from statistical results of a sample of similar of memory pages.

摘要翻译： 高性能非易失性存储器件具有为各种类型的存储器页和字线而修整的编程电压。 每个可擦除存储器块中的一组字线在连续的程序循环中进行测试，以最大限度地减少产生过多擦除/编程周期的问题。 对于给定类型的存储器页的最佳编程电压是从类似存储器页的样本的统计结果得出的。

公开(公告)号：US20080062770A1

公开(公告)日：2008-03-13

申请号：US11531230

申请日：2006-09-12

申请人： Loc Tu ,  Charles Moana Hook ,  Yan Li

发明人： Loc Tu ,  Charles Moana Hook ,  Yan Li

IPC分类号： G11C16/04 ,  G11C7/00 ,  G11C11/34 ,  G11C29/00

CPC分类号： G11C29/02 ,  G11C16/04 ,  G11C16/12 ,  G11C16/3481 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028

摘要： In a non-volatile memory, a selected page on a word line is successively programmed by a series of voltage pulses of a staircase waveform with verifications in between the pulses until the page is verified to a designated pattern. The programming voltage at the time the page is programmed verified will be to estimate the initial value of a starting programming voltage for the page. The estimation is further refined by using the estimate from a first pass in a second pass. Also, when the test is over multiple blocks, sampling of word lines based on similar geometrical locations of the blocks can yield a starting programming voltage optimized for faster programming pages.

摘要翻译： 在非易失性存储器中，通过阶梯波形的一系列电压脉冲来连续地编程字线上的选定页面，同时在脉冲之间进行验证，直到页面被验证为指定图案。 页面编程验证时的编程电压将是估计页面启动编程电压的初始值。 通过在第二遍中使用来自第一遍的估计进一步改进估计。 此外，当测试超过多个块时，基于块的类似几何位置的字线采样可以产生针对更快编程页面优化的起始编程电压。

公开(公告)号：US07606091B2

公开(公告)日：2009-10-20

申请号：US11531217

申请日：2006-09-12

申请人： Yan Li ,  Loc Tu ,  Charles Moana Hook

发明人： Yan Li ,  Loc Tu ,  Charles Moana Hook

IPC分类号： G11C29/00 ,  G11C7/00

CPC分类号： G11C29/02 ,  G11C5/145 ,  G11C16/04 ,  G11C16/0483 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028

摘要： High performance non-volatile memory devices have the programming voltages trimmed for individual types of memory pages and word lines. A group of word lines within each erasable block of memory are tested in successive program loops to minimize the problem of incurring excessive number of erase/program cycles. An optimum programming voltage for a given type of memory pages is derived from statistical results of a sample of similar of memory pages.

摘要翻译： 高性能非易失性存储器件具有为各种类型的存储器页和字线而修整的编程电压。 每个可擦除存储器块中的一组字线在连续的程序循环中进行测试，以最大限度地减少产生过多擦除/编程周期的问题。 对于给定类型的存储器页的最佳编程电压是从类似存储器页的样本的统计结果得出的。

公开(公告)号：US07453731B2

公开(公告)日：2008-11-18

申请号：US11531227

申请日：2006-09-12

申请人： Loc Tu ,  Charles Moana Hook ,  Yan Li

发明人： Loc Tu ,  Charles Moana Hook ,  Yan Li

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C16/0483 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/04 ,  G11C16/12 ,  G11C16/3454 ,  G11C16/3459 ,  G11C29/02 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C29/56 ,  G11C29/88 ,  G11C2211/5621

摘要： In a non-volatile memory, a selected page on a word line is successively programmed by a series of voltage pulses of a staircase waveform with verifications in between the pulses until the page is verified to a designated pattern. The programming voltage at the time the page is programmed verified will be to estimate the initial value of a starting programming voltage for the page. The estimation is further refined by using the estimate from a first pass in a second pass. Also, when the test is over multiple blocks, sampling of word lines based on similar geometrical locations of the blocks can yield a starting programming voltage optimized for faster programming pages.

摘要翻译： 在非易失性存储器中，通过阶梯波形的一系列电压脉冲来连续地编程字线上的选定页面，同时在脉冲之间进行验证，直到页面被验证为指定图案。 页面编程验证时的编程电压将是估计页面启动编程电压的初始值。 通过在第二遍中使用来自第一遍的估计进一步改进估计。 此外，当测试超过多个块时，基于块的类似几何位置的字线采样可以产生针对更快编程页面优化的起始编程电压。

公开(公告)号：US08018769B2

公开(公告)日：2011-09-13

申请号：US12573405

申请日：2009-10-05

申请人： Loc Tu ,  Charles Moana Hook ,  Yan Li

发明人： Loc Tu ,  Charles Moana Hook ,  Yan Li

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C29/02 ,  G11C16/04 ,  G11C16/12 ,  G11C16/3481 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028

摘要： In a non-volatile memory, a selected page on a word line is successively programmed by a series of voltage pulses of a staircase waveform with verifications in between the pulses until the page is verified to a designated pattern. The programming voltage at the time the page is programmed verified will be used to estimate the initial value of a starting programming voltage for the page. The estimation is further refined by using the estimate from a first pass in a second pass. Also, when the test is over multiple blocks, sampling of word lines based on similar geometrical locations of the blocks can yield a starting programming voltage optimized for faster programming pages.

摘要翻译： 在非易失性存储器中，通过阶梯波形的一系列电压脉冲来连续地编程字线上的选定页面，同时在脉冲之间进行验证，直到页面被验证为指定图案。 页面编程验证时的编程电压将用于估计页面启动编程电压的初始值。 通过在第二遍中使用来自第一遍的估计进一步改进估计。 此外，当测试超过多个块时，基于块的类似几何位置的字线采样可以产生针对更快编程页面优化的起始编程电压。

公开(公告)号：US07606077B2

公开(公告)日：2009-10-20

申请号：US11531223

申请日：2006-09-12

申请人： Yan Li ,  Loc Tu ,  Charles Moana Hook

发明人： Yan Li ,  Loc Tu ,  Charles Moana Hook

IPC分类号： G11C16/06

CPC分类号： G11C29/34 ,  G11C29/40 ,  G11C2029/2602

摘要： High performance non-volatile memory devices have the programming voltages trimmed for individual types of memory pages and word lines. A group of word lines within each erasable block of memory are tested successive program loops to minimize the problem of incurring excessive number of erase/program cycles. An optimum programming voltage for a given type of memory pages is derived from statistical results of a sample of similar of memory pages.

摘要翻译： 高性能非易失性存储器件具有为各种类型的存储器页和字线而修整的编程电压。 在每个可擦除存储块内的一组字线被连续程序循环测试，以最大限度地减少过多的擦除/编程周期的问题。 对于给定类型的存储器页的最佳编程电压是从类似存储器页的样本的统计结果得出的。

公开(公告)号：US07599223B2

公开(公告)日：2009-10-06

申请号：US11531230

申请日：2006-09-12

申请人： Loc Tu ,  Charles Moana Hook ,  Yan Li

发明人： Loc Tu ,  Charles Moana Hook ,  Yan Li

IPC分类号： G11C16/06

CPC分类号： G11C29/02 ,  G11C16/04 ,  G11C16/12 ,  G11C16/3481 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028

摘要： In a non-volatile memory, a selected page on a word line is successively programmed by a series of voltage pulses of a staircase waveform with verifications in between the pulses until the page is verified to a designated pattern. The programming voltage at the time the page is programmed verified will be to estimate the initial value of a starting programming voltage for the page. The estimation is further refined by using the estimate from a first pass in a second pass. Also, when the test is over multiple blocks, sampling of word lines based on similar geometrical locations of the blocks can yield a starting programming voltage optimized for faster programming pages.

摘要翻译： 在非易失性存储器中，通过阶梯波形的一系列电压脉冲来连续地编程字线上的选定页面，同时在脉冲之间进行验证，直到页面被验证为指定图案。 页面编程验证时的编程电压将是估计页面启动编程电压的初始值。 通过在第二遍中使用来自第一遍的估计进一步改进估计。 此外，当测试超过多个块时，基于块的类似几何位置的字线采样可以产生针对更快编程页面优化的起始编程电压。

公开(公告)号：US20080062785A1

公开(公告)日：2008-03-13

申请号：US11531223

申请日：2006-09-12

申请人： Yan Li ,  Loc Tu ,  Charles Moana Hook

发明人： Yan Li ,  Loc Tu ,  Charles Moana Hook

IPC分类号： G11C29/00

CPC分类号： G11C29/34 ,  G11C29/40 ,  G11C2029/2602

摘要： High performance non-volatile memory devices have the programming voltages trimmed for individual types of memory pages and word lines. A group of word lines within each erasable block of memory are tested successive program loops to minimize the problem of incurring excessive number of erase/program cycles. An optimum programming voltage for a given type of memory pages is derived from statistical results of a sample of similar of memory pages.

摘要翻译： 高性能非易失性存储器件具有为各种类型的存储器页和字线而修整的编程电压。 在每个可擦除存储块内的一组字线被连续程序循环测试，以最大限度地减少过多的擦除/编程周期的问题。 对于给定类型的存储器页的最佳编程电压是从类似存储器页的样本的统计结果得出的。

公开(公告)号：US20080062765A1

公开(公告)日：2008-03-13

申请号：US11531227

申请日：2006-09-12

申请人： Loc Tu ,  Charles Moana Hook ,  Yan Li

发明人： Loc Tu ,  Charles Moana Hook ,  Yan Li

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C16/0483 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/04 ,  G11C16/12 ,  G11C16/3454 ,  G11C16/3459 ,  G11C29/02 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C29/56 ,  G11C29/88 ,  G11C2211/5621

摘要： In a non-volatile memory, a selected page on a word line is successively programmed by a series of voltage pulses of a staircase waveform with verifications in between the pulses until the page is verified to a designated pattern. The programming voltage at the time the page is programmed verified will be to estimate the initial value of a starting programming voltage for the page. The estimation is further refined by using the estimate from a first pass in a second pass. Also, when the test is over multiple blocks, sampling of word lines based on similar geometrical locations of the blocks can yield a starting programming voltage optimized for faster programming pages.

摘要翻译： 在非易失性存储器中，通过阶梯波形的一系列电压脉冲来连续地编程字线上的选定页面，同时在脉冲之间进行验证，直到页面被验证为指定图案。 页面编程验证时的编程电压将是估计页面启动编程电压的初始值。 通过在第二遍中使用来自第一遍的估计进一步改进估计。 此外，当测试超过多个块时，基于块的类似几何位置的字线采样可以产生针对更快编程页面优化的起始编程电压。

公开(公告)号：US20130033935A1

公开(公告)日：2013-02-07

申请号：US13198606

申请日：2011-08-04

申请人： Loc Tu ,  Charles Moana Hook ,  Nyi Nyi Thein

发明人： Loc Tu ,  Charles Moana Hook ,  Nyi Nyi Thein

IPC分类号： G11C29/08 ,  G11C16/04 ,  G01R31/28 ,  G11C29/04

CPC分类号： G11C29/832 ,  Y10T29/49004

摘要： Techniques are disclosed herein for automatically self-disabling a memory die in the event that a programmable element on the memory die for indicating whether the memory die is defective cannot be trusted. Memory die are provided with chip enable circuitry to allow particular memory die to be disabled. If the programmable element can be trusted, the state of the programmable element is provided to the chip enable circuitry to enable/disable the memory die based on the state. However, if the programmable element cannot be trusted, then the chip enable circuitry may automatically disable the memory die. This provides a greater yield for multi-chip memory packages because packages having memory die with a programmable element that cannot be trusted can still be used.

摘要翻译： 在本文中公开了在存储器管芯上用于指示存储器管芯是否有缺陷的可编程元件不能被信任的情况下，自动自身禁用存储器管芯的技术。 存储器管芯具有芯片使能电路，以允许禁止特定存储器管芯。 如果可编程元件可信任，则可编程元件的状态被提供给芯片使能电路，以基于该状态来启用/禁用存储器管芯。 然而，如果可编程元件不能被信任，则芯片使能电路可以自动地禁用存储器管芯。 这为多芯片存储器封装提供了更大的收益，因为仍然可以使用具有不可信任的可编程元件的具有存储器管芯的封装。