公开(公告)号：US08536060B2

公开(公告)日：2013-09-17

申请号：US13468042

申请日：2012-05-10

申请人： Yen-Chu Chen ,  Teng-Chun Tsai ,  Chien-Chung Huang ,  Keng-Jen Liu

发明人： Yen-Chu Chen ,  Teng-Chun Tsai ,  Chien-Chung Huang ,  Keng-Jen Liu

IPC分类号： H01L21/302 ,  C23F1/00

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02063

摘要： A method for clearing native oxide is described. A substrate is provided, including an exposed portion whereon a native oxide layer has been formed. A clearing process is performed to the substrate using nitrogen trifluoride (NF3) and ammonia (NH3) as a reactant gas, wherein the volumetric flow rate of NF3 is greater than that of NH3.

摘要翻译： 描述了清除天然氧化物的方法。 提供了一种衬底，包括其中形成有自然氧化物层的暴露部分。 使用三氟化氮（NF 3）和氨（NH 3）作为反应气体对基板进行清除处理，其中NF 3的体积流量大于NH 3的体积流量。

公开(公告)号：US20090298294A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：US12129978

申请日：2008-05-30

申请人： Yen-Chu Chen ,  Teng-Chun Tsai ,  Chien-Chung Huang ,  Keng-Jen Liu

发明人： Yen-Chu Chen ,  Teng-Chun Tsai ,  Chien-Chung Huang ,  Keng-Jen Liu

IPC分类号： C25F3/30 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02063

摘要： A method for clearing native oxide is described. A substrate is provided, including an exposed portion whereon a native oxide layer has been formed. A clearing process is performed to the substrate using nitrogen trifluoride (NF3) and ammonia (NH3) as a reactant gas, wherein the volumetric flow rate of NF3 is greater than that of NH3.

摘要翻译： 描述了清除天然氧化物的方法。 提供了一种衬底，包括其中形成有自然氧化物层的暴露部分。 使用三氟化氮（NF 3）和氨（NH 3）作为反应气体对基板进行清除处理，其中NF 3的体积流量大于NH 3的体积流量。

公开(公告)号：US08642477B2

公开(公告)日：2014-02-04

申请号：US12129978

申请日：2008-05-30

申请人： Yen-Chu Chen ,  Teng-Chun Tsai ,  Chien-Chung Huang ,  Keng-Jen Liu

发明人： Yen-Chu Chen ,  Teng-Chun Tsai ,  Chien-Chung Huang ,  Keng-Jen Liu

IPC分类号： H01L21/302 ,  C23F1/00

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02063

摘要： A method for clearing native oxide is described. A substrate is provided, including an exposed portion whereon a native oxide layer has been formed. A clearing process is performed to the substrate using nitrogen trifluoride (NF3) and ammonia (NH3) as a reactant gas, wherein the volumetric flow rate of NF3 is greater than that of NH3.

摘要翻译： 描述了清除天然氧化物的方法。 提供了一种衬底，包括其中形成有自然氧化物层的暴露部分。 使用三氟化氮（NF 3）和氨（NH 3）作为反应气体对基板进行清除处理，其中NF 3的体积流量大于NH 3的体积流量。

公开(公告)号：US20120220134A1

公开(公告)日：2012-08-30

申请号：US13468042

申请日：2012-05-10

申请人： Yen-Chu Chen ,  Teng-Chun Tsai ,  Chien-Chung Huang ,  Keng-Jen Liu

发明人： Yen-Chu Chen ,  Teng-Chun Tsai ,  Chien-Chung Huang ,  Keng-Jen Liu

IPC分类号： H01L21/461 ,  B08B5/00

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02063

摘要： A method for clearing native oxide is described. A substrate is provided, including an exposed portion whereon a native oxide layer has been formed. A clearing process is performed to the substrate using nitrogen trifluoride (NF3) and ammonia (NH3) as a reactant gas, wherein the volumetric flow rate of NF3 is greater than that of NH3.

摘要翻译： 描述了清除天然氧化物的方法。 提供了一种衬底，包括其中形成有自然氧化物层的暴露部分。 使用三氟化氮（NF 3）和氨（NH 3）作为反应气体对基板进行清除处理，其中NF 3的体积流量大于NH 3的体积流量。

公开(公告)号：US20080305610A1

公开(公告)日：2008-12-11

申请号：US12190572

申请日：2008-08-12

申请人： Yen-Chu Chen ,  Hsin-Kun Chu ,  Teng-Chun Tsai ,  Chia-Hsi Chen

发明人： Yen-Chu Chen ,  Hsin-Kun Chu ,  Teng-Chun Tsai ,  Chia-Hsi Chen

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L21/31053

摘要： A method of forming a shallow trench isolation structure includes steps of providing a substrate having a patterned mask layer formed thereon, wherein a trench is located in the substrate and the patterned mask layer exposes the trench. Thereafter, a dielectric layer is formed over the substrate to fill the trench. Then, a main polishing process with a first polishing rate is performed to remove a portion of the dielectric layer. An assisted polishing process is performed to remove the dielectric layer and a portion of the mask layer. The assisted polishing process includes steps of providing a slurry in a first period of time and then providing a solvent and performing a polishing motion of a second polishing rate in a second period of time. The second polishing rate is slower than the first polishing rate. Further, the mask layer is removed.

摘要翻译： 形成浅沟槽隔离结构的方法包括提供其上形成有图案化掩模层的衬底的步骤，其中沟槽位于衬底中，并且图案化掩模层暴露沟槽。 此后，在衬底上形成电介质层以填充沟槽。 然后，执行具有第一抛光速率的主抛光工艺以去除电介质层的一部分。 执行辅助抛光处理以去除介电层和掩模层的一部分。 辅助抛光方法包括以下步骤：在第一时间段内提供浆料，然后提供溶剂并在第二时间段内执行第二抛光速率的抛光运动。 第二抛光速率比第一抛光速度慢。 此外，去除掩模层。

公开(公告)号：US20080045014A1

公开(公告)日：2008-02-21

申请号：US11465457

申请日：2006-08-18

申请人： Yen-Chu Chen ,  Hsin-Kun Chu ,  Teng-Chun Tsai ,  Chia-Hsi Chen

发明人： Yen-Chu Chen ,  Hsin-Kun Chu ,  Teng-Chun Tsai ,  Chia-Hsi Chen

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/31053

摘要： A complex chemical mechanical polishing process for planarizing a structure. The process comprises steps of performing a main polishing process with a first polishing rate, wherein a slurry is provided. An assisted polishing process is then performed to planarizing the structure. The assisted polishing process comprises steps of providing the slurry in a first period of time and then providing a solvent and performing a polishing motion of a second polishing rate in a second period of time. The second polishing rate is slower than the first polishing rate.

摘要翻译： 用于平面化结构的复杂化学机械抛光工艺。 该方法包括以第一抛光速率进行主抛光工艺的步骤，其中提供浆料。 然后进行辅助抛光处理以平坦化结构。 辅助抛光方法包括以下步骤：在第一时间段内提供浆料，然后提供溶剂并在第二时间段内执行第二抛光速率的抛光运动。 第二抛光速率比第一抛光速度慢。

公开(公告)号：US20070269908A1

公开(公告)日：2007-11-22

申请号：US11383761

申请日：2006-05-17

申请人： Hsin-Kun Chu ,  Yen-Chu Chen ,  Teng-Chun Tsai ,  Chia-Hsi Chen

发明人： Hsin-Kun Chu ,  Yen-Chu Chen ,  Teng-Chun Tsai ,  Chia-Hsi Chen

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： H01L22/26 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/76229

摘要： A hybrid CMP system having a first platen and a second platen is provided. Two types of polish pads are mounted on the first platen and second platen. A lot of pattern wafers is prepared. Each pattern wafer has patterned features, and a first dielectric layer is disposed over a second dielectric layer and the patterned features. At least three foregoing pattern wafers of the lot are sequentially polished on the first platen to remove different amount of the first dielectric layer. Removal amount of each said foregoing pattern wafer is in-line measured and calculated to output a linear fitting curve of removal amount vs. polish time thereof. Based on the linear fitting curve, the rest of the pattern wafers of the same lot are sequentially polished on the first platen to reach a target thickness of remaining said first dielectric layer.

摘要翻译： 提供了具有第一压板和第二压板的混合CMP系统。 两种类型的抛光垫安装在第一压板和第二压板上。 准备了许多图案晶圆。 每个图案晶片具有图案化特征，并且第一介电层设置在第二介电层和图案化特征之上。 批次的至少三个前述图案晶片在第一压板上顺序研磨以除去不同量的第一介电层。 每个所述上述图案晶片的去除量被在线测量和计算，以输出去除量对其抛光时间的线性拟合曲线。 基于线性拟合曲线，将相同批次的其余图案晶片在第一压板上顺序抛光，以达到剩余所述第一介电层的目标厚度。

公开(公告)号：US20080261402A1

公开(公告)日：2008-10-23

申请号：US11736006

申请日：2007-04-17

申请人： Chan Lu ,  Teng-Chun Tsai ,  Chih-Yueh Li ,  Kai-Gin Yang ,  Chien-Chung Huang ,  Chia-Hsi Chen ,  Tzu-Hui Wu

发明人： Chan Lu ,  Teng-Chun Tsai ,  Chih-Yueh Li ,  Kai-Gin Yang ,  Chien-Chung Huang ,  Chia-Hsi Chen ,  Tzu-Hui Wu

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/31053 ,  H01L21/02065

摘要： A method of removing an insulating layer on a substrate is described, including a first CMP process and a second CMP process performed in sequence, wherein the polishing slurry used in the first CMP process and that used in the second CMP process have substantially the same pH value that exceeds 7.0. A cleaning step is conducted between the first and the second CMP processes to remove a specific substance which would otherwise cause undesired particles to form in the second CMP process.

摘要翻译： 描述了去除衬底上的绝缘层的方法，包括依次执行的第一CMP工艺和第二CMP工艺，其中在第一CMP工艺中使用的抛光浆料和在第二CMP工艺中使用的抛光浆料具有基本上相同的pH 价值超过7.0。 在第一和第二CMP工艺之间进行清洁步骤以除去否则会在第二CMP工艺中导致不期望的颗粒形成的特定物质。

公开(公告)号：US20080160786A1

公开(公告)日：2008-07-03

申请号：US11616286

申请日：2006-12-27

申请人： Neng-Kuo Chen ,  Teng-Chun Tsai ,  Chien-Chung Huang

发明人： Neng-Kuo Chen ,  Teng-Chun Tsai ,  Chien-Chung Huang

IPC分类号： H01L21/469

CPC分类号： H01L29/7843 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823807

摘要： A method for forming a high stress layer is provided. According to the method, a substrate is put into a reactor of a PECVD machine and a reaction gas is added into the reactor. Then, an assistant reaction gas which has the molecular weight greater than or equal to the molecular weight of nitrogen gas is added into the reactor. Next, a carrier gas which has the molecular weight smaller than the molecular weight of nitrogen gas is added into the reactor to increase the bombarding efficiency in film deposition. Thereby, the high stress layer is formed on the substrate.

摘要翻译： 提供了形成高应力层的方法。 根据该方法，将基板放入PECVD机的反应器中，并将反应气体加入到反应器中。 然后，将分子量大于等于氮分子量的辅助反应气体加入到反应器中。 接下来，将具有小于氮分子量的分子量的载气加入到反应器中，以提高膜沉积中的轰击效率。 由此，在基板上形成高应力层。

公开(公告)号：US20070243686A1

公开(公告)日：2007-10-18

申请号：US11308641

申请日：2006-04-17

申请人： Neng-Kuo Chen ,  Teng-Chun Tsai ,  Chien-Chung Huang

发明人： Neng-Kuo Chen ,  Teng-Chun Tsai ,  Chien-Chung Huang

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/0217 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7845

摘要： A method of forming compressive nitride film is provided. The method includes performing a chemical vapor deposition (CVD) process to form a nitride film on a substrate, and the method is characterized by adding a certain gas, selected from among Ar, N2, Kr, Xe, and mixtures thereof. Due to the addition of the foregoing certain gas, it can reduce the compressive stress, thereby increasing PMOS drive current gain.

摘要翻译： 提供一种形成压缩氮化物膜的方法。 该方法包括进行化学气相沉积（CVD）工艺以在衬底上形成氮化物膜，该方法的特征在于加入选自Ar，N 2，Kr，Xe中的某些气体 ，及其混合物。 由于添加了上述某些气体，可以降低压缩应力，从而增加PMOS驱动电流增益。