公开(公告)号：US07645712B2

公开(公告)日：2010-01-12

申请号：US12345670

申请日：2008-12-30

申请人： Neng-Kuo Chen ,  Teng-Chun Tsai ,  Chien-Chung Huang

发明人： Neng-Kuo Chen ,  Teng-Chun Tsai ,  Chien-Chung Huang

IPC分类号： H01L21/469 ,  H01L21/338

CPC分类号： H01L21/76801 ,  H01L21/76837 ,  H01L29/78

摘要： A substrate having at least two metal oxide semiconductor devices of a same conductive type and a gap formed between the two devices is provided. A first stress layer is formed over the substrate to cover the metal-oxide semiconductor devices and the substrate, filling the gap. An etching back process is then performed to remove a portion of the stress material layer inside the gap. A second stress layer and a dielectric layer are sequentially formed on the first stress layer. The first stress layer and the second stress layer provide a same type of stress. A portion of the second stress layer is removed to form a contact opening. A second conductive layer is filled into the contact opening to form a contact.

摘要翻译： 提供了具有至少两个相同导电类型的金属氧化物半导体器件和在两个器件之间形成的间隙的衬底。 第一应力层形成在衬底上以覆盖金属氧化物半导体器件和衬底，填补间隙。 然后执行回蚀处理以去除间隙内部的应力材料层的一部分。 第一应力层和电介质层依次形成在第一应力层上。 第一应力层和第二应力层提供相同类型的应力。 去除第二应力层的一部分以形成接触开口。 将第二导电层填充到接触开口中以形成接触。

公开(公告)号：US20080142902A1

公开(公告)日：2008-06-19

申请号：US12013482

申请日：2008-01-14

申请人： Neng-Kuo Chen ,  Teng-Chun Tsai ,  Chien-Chung Huang ,  Tsai-Fu Chen ,  Wen-Han Hung

发明人： Neng-Kuo Chen ,  Teng-Chun Tsai ,  Chien-Chung Huang ,  Tsai-Fu Chen ,  Wen-Han Hung

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3185 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

摘要： A metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor device is disclosed. The MOS transistor device comprises a semiconductor substrate; a gate structure on the semiconductor substrate; source/drain regions on the semiconductor substrate adjacent to the gate structure; an ultra-high tensile-stressed nitride film having a hydrogen concentration of less than 1E22 atoms/cm3 covering the gate structure and the source/drain regions; and an inter-layer dielectric (ILD) film over the ultra-high tensile-stressed nitride film.

摘要翻译： 公开了一种金属氧化物半导体（MOS）晶体管器件。 MOS晶体管器件包括半导体衬底; 半导体衬底上的栅极结构; 与栅极结构相邻的半导体衬底上的源/漏区; 具有覆盖栅极结构和源极/漏极区域的小于1E22原子/ cm 3的氢浓度的超高拉伸应力氮化物膜; 和超高拉伸应力氮化物膜上的层间电介质（ILD）膜。

公开(公告)号：US20080099801A1

公开(公告)日：2008-05-01

申请号：US11552532

申请日：2006-10-25

申请人： Kun-Hsien Lee ,  Cheng-Tung Huang ,  Wen-Han Hung ,  Shyh-Fann Ting ,  Li-Shian Jeng ,  Tzyy-Ming Cheng ,  Neng-Kuo Chen ,  Shao-Ta Hsu ,  Teng-Chun Tsai ,  Chien-Chung Huang

发明人： Kun-Hsien Lee ,  Cheng-Tung Huang ,  Wen-Han Hung ,  Shyh-Fann Ting ,  Li-Shian Jeng ,  Tzyy-Ming Cheng ,  Neng-Kuo Chen ,  Shao-Ta Hsu ,  Teng-Chun Tsai ,  Chien-Chung Huang

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/00 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7843

摘要： A method of manufacturing a MOS transistor device. First, a semiconductor substrate having a gate structure is prepared. The gate structure has two sidewalls and a liner on the sidewalls. Subsequently, a stressed cap layer is formed on the semiconductor substrate, and covers the gate structure and the liner. Next, an activating process is performed. Furthermore, the stressed cap layer is etched to be a salicide block. Afterward, a salicide process is performed to form a silicide layer on the regions that are not covered by the stressed cap layer.

摘要翻译： 一种制造MOS晶体管器件的方法。 首先，准备具有栅极结构的半导体衬底。 栅极结构在侧壁上具有两个侧壁和衬垫。 随后，在半导体衬底上形成应力覆盖层，并覆盖栅极结构和衬垫。 接下来，执行激活处理。 此外，将应力覆盖层蚀刻成为自对准硅化物块。 之后，进行自对准处理以在未被应力覆盖层覆盖的区域上形成硅化物层。

公开(公告)号：US20080096331A1

公开(公告)日：2008-04-24

申请号：US11538803

申请日：2006-10-04

申请人： Neng-Kuo Chen ,  Teng-Chun Tsai ,  Chien-Chung Huang

发明人： Neng-Kuo Chen ,  Teng-Chun Tsai ,  Chien-Chung Huang

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/469 ,  H01L21/31 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/31633 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/823807 ,  H01L23/3192 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7843 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method for fabricating strained silicon transistors is disclosed. First, a semiconductor substrate is provided, in which the semiconductor substrate includes a gate, at least a spacer, and a source/drain region formed thereon. Next, a precursor, silane, and ammonia are injected, in which the precursor is reacted with silane and ammonia to form a high compressive stress film on the surface of the gate, the spacer, and the source/drain region. Preferably, the high compressive stress film can be utilized in the fabrication of a poly stressor, a contact etch stop layer, and dual contact etch stop layers.

摘要翻译： 公开了制造应变硅晶体管的方法。 首先，提供半导体衬底，其中半导体衬底包括栅极，至少一个间隔物和形成在其上的源极/漏极区域。 接下来，注入前体，硅烷和氨，其中前体与硅烷和氨反应，以在栅极，间隔物和源极/漏极区的表面上形成高压缩应力膜。 优选地，高压缩应力膜可以用于制造多应力器，接触蚀刻停止层和双接触蚀刻停止层。

公开(公告)号：US20070117375A1

公开(公告)日：2007-05-24

申请号：US11164480

申请日：2005-11-24

申请人： Chao-Lon Yang ,  Neng-Kuo Chen ,  Teng-Chun Tsai ,  Chien-Chung Huang ,  Shao-Ta Hsu

发明人： Chao-Lon Yang ,  Neng-Kuo Chen ,  Teng-Chun Tsai ,  Chien-Chung Huang ,  Shao-Ta Hsu

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76829 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76837

摘要： A method of forming a contact is provided. A substrate having at least two conductive devices is provided. A spacing is located between the two conductive devices. A first dielectric layer is formed over the substrate to cover the two conductive devices and the spacing. A seam is formed in the first dielectric layer within the spacing. Then, a portion of the first dielectric layer is removed to form an opening so that the width of the seam is expanded. A second dielectric layer is formed over the first dielectric layer to fill the opening. A portion of the second dielectric layer and a portion of the first dielectric layer within the spacing are removed until a portion of the surface of the substrate is exposed and a contact opening is formed in the location for forming the contact. Finally, conductive material is deposited to fill the contact opening.

摘要翻译： 提供了形成接触的方法。 提供具有至少两个导电装置的基板。 间隔位于两个导电器件之间。 第一电介质层形成在衬底上以覆盖两个导电器件和间隔。 在间隔内的第一电介质层中形成接缝。 然后，去除第一电介质层的一部分以形成开口，使得接缝的宽度扩大。 在第一介电层上方形成第二电介质层以填充开口。 去除第二电介质层的一部分和间隔内的第一电介质层的一部分，直到基板表面的一部分露出，并且在用于形成接触的位置形成接触开口。 最后，沉积导电材料以填充接触开口。

公开(公告)号：US20080160786A1

公开(公告)日：2008-07-03

申请号：US11616286

申请日：2006-12-27

申请人： Neng-Kuo Chen ,  Teng-Chun Tsai ,  Chien-Chung Huang

发明人： Neng-Kuo Chen ,  Teng-Chun Tsai ,  Chien-Chung Huang

IPC分类号： H01L21/469

CPC分类号： H01L29/7843 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823807

摘要： A method for forming a high stress layer is provided. According to the method, a substrate is put into a reactor of a PECVD machine and a reaction gas is added into the reactor. Then, an assistant reaction gas which has the molecular weight greater than or equal to the molecular weight of nitrogen gas is added into the reactor. Next, a carrier gas which has the molecular weight smaller than the molecular weight of nitrogen gas is added into the reactor to increase the bombarding efficiency in film deposition. Thereby, the high stress layer is formed on the substrate.

摘要翻译： 提供了形成高应力层的方法。 根据该方法，将基板放入PECVD机的反应器中，并将反应气体加入到反应器中。 然后，将分子量大于等于氮分子量的辅助反应气体加入到反应器中。 接下来，将具有小于氮分子量的分子量的载气加入到反应器中，以提高膜沉积中的轰击效率。 由此，在基板上形成高应力层。

公开(公告)号：US20070243686A1

公开(公告)日：2007-10-18

申请号：US11308641

申请日：2006-04-17

申请人： Neng-Kuo Chen ,  Teng-Chun Tsai ,  Chien-Chung Huang

发明人： Neng-Kuo Chen ,  Teng-Chun Tsai ,  Chien-Chung Huang

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/0217 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7845

摘要： A method of forming compressive nitride film is provided. The method includes performing a chemical vapor deposition (CVD) process to form a nitride film on a substrate, and the method is characterized by adding a certain gas, selected from among Ar, N2, Kr, Xe, and mixtures thereof. Due to the addition of the foregoing certain gas, it can reduce the compressive stress, thereby increasing PMOS drive current gain.

摘要翻译： 提供一种形成压缩氮化物膜的方法。 该方法包括进行化学气相沉积（CVD）工艺以在衬底上形成氮化物膜，该方法的特征在于加入选自Ar，N 2，Kr，Xe中的某些气体 ，及其混合物。 由于添加了上述某些气体，可以降低压缩应力，从而增加PMOS驱动电流增益。

公开(公告)号：US20060199305A1

公开(公告)日：2006-09-07

申请号：US11164488

申请日：2005-11-24

申请人： Neng-Kuo Chen ,  Teng-Chun Tsai ,  Chien-Chung Huang ,  Tsai-Fu Chen ,  Wen-Han Hung

发明人： Neng-Kuo Chen ,  Teng-Chun Tsai ,  Chien-Chung Huang ,  Tsai-Fu Chen ,  Wen-Han Hung

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3185 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

摘要： A method for fabricating an ultra-high tensile-stressed nitride film is disclosed. A PECVD process is first performed to deposit a transitional silicon nitride film over a substrate. The transitional silicon nitride film has a first concentration of hydrogen atoms. The transitional silicon nitride film is subjected to UV curing process for reducing the first concentration of hydrogen atoms to a second concentration of hydrogen atoms.

摘要翻译： 公开了一种用于制造超高拉伸应力氮化物膜的方法。 首先执行PECVD处理以在衬底上沉积过渡氮化硅膜。 过渡氮化硅膜具有第一浓度的氢原子。 将过渡氮化硅膜进行UV固化，将氢原子的第一浓度降低至第二浓度的氢原子。

公开(公告)号：US07662730B2

公开(公告)日：2010-02-16

申请号：US11164488

申请日：2005-11-24

申请人： Neng-Kuo Chen ,  Teng-Chun Tsai ,  Chien-Chung Huang ,  Tsai-Fu Chen ,  Wen-Han Hung

发明人： Neng-Kuo Chen ,  Teng-Chun Tsai ,  Chien-Chung Huang ,  Tsai-Fu Chen ,  Wen-Han Hung

IPC分类号： H01L21/471

CPC分类号： H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3185 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

摘要： A method for fabricating an ultra-high tensile-stressed nitride film is disclosed. A PECVD process is first performed to deposit a transitional silicon nitride film over a substrate. The transitional silicon nitride film has a first concentration of hydrogen atoms. The transitional silicon nitride film is subjected to UV curing process for reducing the first concentration of hydrogen atoms to a second concentration of hydrogen atoms.

摘要翻译： 公开了一种用于制造超高拉伸应力氮化物膜的方法。 首先执行PECVD处理以在衬底上沉积过渡氮化硅膜。 过渡氮化硅膜具有第一浓度的氢原子。 将过渡氮化硅膜进行UV固化，将氢原子的第一浓度降低至第二浓度的氢原子。

公开(公告)号：US07655987B2

公开(公告)日：2010-02-02

申请号：US12013482

申请日：2008-01-14

申请人： Neng-Kuo Chen ,  Teng-Chun Tsai ,  Chien-Chung Huang ,  Tsai-Fu Chen ,  Wen-Han Hung

发明人： Neng-Kuo Chen ,  Teng-Chun Tsai ,  Chien-Chung Huang ,  Tsai-Fu Chen ,  Wen-Han Hung

IPC分类号： H01L29/772

CPC分类号： H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3185 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

摘要： A metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor device is disclosed. The MOS transistor device comprises a semiconductor substrate; a gate structure on the semiconductor substrate; source/drain regions on the semiconductor substrate adjacent to the gate structure; an ultra-high tensile-stressed nitride film having a hydrogen concentration of less than 1E22 atoms/cm3 covering the gate structure and the source/drain regions; and an inter-layer dielectric (ILD) film over the ultra-high tensile-stressed nitride film.

摘要翻译： 公开了金属氧化物半导体（MOS）晶体管器件。 MOS晶体管器件包括半导体衬底; 半导体衬底上的栅极结构; 与栅极结构相邻的半导体衬底上的源/漏区; 覆盖栅极结构和源极/漏极区域的具有小于1E22原子/ cm3的氢浓度的超高拉伸应力氮化物膜; 和超高拉伸应力氮化物膜上的层间电介质（ILD）膜。