公开(公告)号：US08154013B2

公开(公告)日：2012-04-10

申请号：US12273585

申请日：2008-11-19

申请人： Yuning Li ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu ,  Paul F. Smith

发明人： Yuning Li ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu ,  Paul F. Smith

IPC分类号： H01L51/30 ,  C08G75/00

CPC分类号： H01L51/0003 ,  C07D493/04 ,  C07D495/04 ,  C07D517/04 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： A thin-film transistor comprises a semiconducting layer comprising a semiconducting material selected from Formula (I) or (II): wherein X, R1, R2, R3, R4, R5 a, b, and n are as described herein. Semiconducting compositions of Formula (I) or (II) are also described.

摘要翻译： 薄膜晶体管包括包含选自式（I）或（II）的半导体材料的半导体层：其中X，R 1，R 2，R 3，R 4，R 5 a，b和n如本文所述。 还描述了式（I）或（II）的半导体组合物。

公开(公告)号：US20100090200A1

公开(公告)日：2010-04-15

申请号：US12250691

申请日：2008-10-14

申请人： Yiliang Wu ,  Ping Liu ,  Yuning Li ,  Paul F. Smith

发明人： Yiliang Wu ,  Ping Liu ,  Yuning Li ,  Paul F. Smith

IPC分类号： H01L51/05

CPC分类号： H01L51/0529 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： Organic thin film transistors with improved mobility are disclosed. The transistor contains two interfacial layers between the dielectric layer and the semiconducting layer. One interfacial layer is formed from a siloxane polymer or silsesquioxane polymer. The other interfacial layer is formed from an alkyl-containing silane of Formula (1): where R′ is alkyl having from about 1 to about 24 carbon atoms; R″ is alkyl having from about 1 to about 24 carbon atoms, halogen, alkoxy, hydroxyl, or amino; L is halogen, oxygen, alkoxy, hydroxyl, or amino; k is 1 or 2; and m is 1 or 2.

摘要翻译： 公开了具有改进的移动性的有机薄膜晶体管。 晶体管在介电层和半导体层之间包含两个界面层。 一个界面层由硅氧烷聚合物或倍半硅氧烷聚合物形成。 另一界面层由式（1）的含烷基的硅烷形成：其中R'为具有约1至约24个碳原子的烷基; R“是具有约1至约24个碳原子的烷基，卤素，烷氧基，羟基或氨基; L是卤素，氧，烷氧基，羟基或氨基; k为1或2; m为1或2。

公开(公告)号：US20090140236A1

公开(公告)日：2009-06-04

申请号：US11946953

申请日：2007-11-29

申请人： Yiliang Wu ,  Yuning Li ,  Ping Liu ,  Paul F. Smith ,  Hadi K. Mahabadi

发明人： Yiliang Wu ,  Yuning Li ,  Ping Liu ,  Paul F. Smith ,  Hadi K. Mahabadi

IPC分类号： H01L51/05 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L51/0049 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： A thin film transistor has a semiconducting layer comprising a semiconductor and surface-modified carbon nanotubes. The semiconducting layer has improved charge carrier mobility.

摘要翻译： 薄膜晶体管具有包含半导体和表面改性的碳纳米管的半导体层。 半导电层具有改善的电荷载流子迁移率。

公开(公告)号：US20120034736A1

公开(公告)日：2012-02-09

申请号：US13277383

申请日：2011-10-20

申请人： Yiliang Wu ,  Hualong Pan ,  Ping Liu ,  Yuning Li ,  Paul F. Smith

发明人： Yiliang Wu ,  Hualong Pan ,  Ping Liu ,  Yuning Li ,  Paul F. Smith

IPC分类号： H01B1/12 ,  H01L51/40

CPC分类号： H01L51/0036 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0566 ,  Y10T428/254 ,  Y10T428/258

摘要： A thin film transistor having a semiconducting layer with improved flexibility and/or mobility is disclosed. The semiconducting layer comprises a semiconducting polymer and insulating polymer. Methods for forming and using such thin-film transistors are also disclosed.

摘要翻译： 公开了一种具有提高柔性和/或迁移率的半导体层的薄膜晶体管。 半导电层包括半导体聚合物和绝缘聚合物。 还公开了形成和使用这种薄膜晶体管的方法。

公开(公告)号：US07875878B2

公开(公告)日：2011-01-25

申请号：US11946991

申请日：2007-11-29

申请人： Yiliang Wu ,  Ping Liu ,  Yuning Li ,  Paul F. Smith ,  Hadi K. Mahabadi

发明人： Yiliang Wu ,  Ping Liu ,  Yuning Li ,  Paul F. Smith ,  Hadi K. Mahabadi

IPC分类号： H01L29/08

CPC分类号： H01L51/0048 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/0049 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558

摘要： A thin film transistor has a semiconducting layer comprising a semiconductor and a mixture enriched in metallic carbon nanotubes. The semiconducting layer has improved charge carrier mobility.

摘要翻译： 薄膜晶体管具有包含半导体的半导体层和富含金属碳纳米管的混合物。 半导电层具有改善的电荷载流子迁移率。

公开(公告)号：US07872258B2

公开(公告)日：2011-01-18

申请号：US12273589

申请日：2008-11-19

申请人： Yuning Li ,  Ping Liu ,  Yiliang Wu ,  Paul F. Smith

发明人： Yuning Li ,  Ping Liu ,  Yiliang Wu ,  Paul F. Smith

IPC分类号： H01L51/00 ,  C07D495/00

CPC分类号： C07D495/00 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0073 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： A thin-film transistor uses a semiconducting layer comprising a semiconducting material of (A): where X, Ar, Ar′, R1, R2, R3, R4, R5, a, b, m, and n are as defined herein. The transistor has improved performance.

摘要翻译： 薄膜晶体管使用包含（A）的半导体材料的半导体层：其中X，Ar，Ar'，R 1，R 2，R 3，R 4，R 5，a，b，m和n如本文所定义。 晶体管性能提高。

公开(公告)号：US08319206B2

公开(公告)日：2012-11-27

申请号：US11946953

申请日：2007-11-29

申请人： Yiliang Wu ,  Yuning Li ,  Ping Liu ,  Paul F. Smith ,  Hadi K. Mahabadi

发明人： Yiliang Wu ,  Yuning Li ,  Ping Liu ,  Paul F. Smith ,  Hadi K. Mahabadi

IPC分类号： H01L51/30

CPC分类号： H01L51/0049 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： A thin film transistor has a semiconducting layer comprising a semiconductor and surface-modified carbon nanotubes. The semiconducting layer has improved charge carrier mobility.

摘要翻译： 薄膜晶体管具有包含半导体和表面改性的碳纳米管的半导体层。 半导电层具有改善的电荷载流子迁移率。

公开(公告)号：US20120178890A1

公开(公告)日：2012-07-12

申请号：US13421993

申请日：2012-03-16

申请人： Yuning Li ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu ,  Paul F. Smith

发明人： Yuning Li ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu ,  Paul F. Smith

IPC分类号： C08G75/00

CPC分类号： H01L51/0003 ,  C07D493/04 ,  C07D495/04 ,  C07D517/04 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： A thin-film transistor comprises a semiconducting layer comprising a semiconducting material selected from Formula (I) or (II): wherein X, R1, R2, R3, R4, R5 a, b, and n are as described herein. Semiconducting compositions of Formula (I) or (II) are also described.

摘要翻译： 薄膜晶体管包括包含选自式（I）或（II）的半导体材料的半导体层：其中X，R 1，R 2，R 3，R 4，R 5 a，b和n如本文所述。 还描述了式（I）或（II）的半导体组合物。

公开(公告)号：US20100123123A1

公开(公告)日：2010-05-20

申请号：US12273585

申请日：2008-11-19

申请人： Yuning Li ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu ,  Paul F. Smith

发明人： Yuning Li ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu ,  Paul F. Smith

IPC分类号： H01L51/05 ,  C07D495/04 ,  C07D517/04 ,  C07D493/04

CPC分类号： H01L51/0003 ,  C07D493/04 ,  C07D495/04 ,  C07D517/04 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： A thin-film transistor comprises a semiconducting layer comprising a semiconducting material selected from Formula (I) or (II): wherein X, R1, R2, R3, R4, R5 a, b, and n are as described herein. Semiconducting compositions of Formula (I) or (II) are also described.

摘要翻译： 薄膜晶体管包括包含选自式（I）或（II）的半导体材料的半导体层：其中X，R 1，R 2，R 3，R 4，R 5 a，b和n如本文所述。 还描述了式（I）或（II）的半导体组合物。

公开(公告)号：US20090256139A1

公开(公告)日：2009-10-15

申请号：US12101945

申请日：2008-04-11

申请人： Yiliang Wu ,  Hualong Pan ,  Ping Liu ,  Yuning Li ,  Paul F. Smith

发明人： Yiliang Wu ,  Hualong Pan ,  Ping Liu ,  Yuning Li ,  Paul F. Smith

IPC分类号： H01L51/05 ,  H01L51/40 ,  H01B1/12

CPC分类号： H01L51/0036 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0566 ,  Y10T428/254 ,  Y10T428/258

摘要： A thin film transistor having a semiconducting layer with improved flexibility and/or mobility is disclosed. The semiconducting layer comprises a semiconducting polymer and insulating polymer. Methods for forming and using such thin-film transistors are also disclosed.

摘要翻译： 公开了一种具有提高柔性和/或迁移率的半导体层的薄膜晶体管。 半导电层包括半导体聚合物和绝缘聚合物。 还公开了形成和使用这种薄膜晶体管的方法。