公开(公告)号：US09590103B2

公开(公告)日：2017-03-07

申请号：US14990863

申请日：2016-01-08

申请人： Yoon Hae Kim ,  Jin Wook Lee ,  Jong Ki Jung ,  Myung II Kang ,  Kwang Yong Yang ,  Kwan Heum Lee ,  Byeong Chan Lee

发明人： Yoon Hae Kim ,  Jin Wook Lee ,  Jong Ki Jung ,  Myung II Kang ,  Kwang Yong Yang ,  Kwan Heum Lee ,  Byeong Chan Lee

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/165 ,  H01L27/088 ,  H01L29/08

CPC分类号： H01L21/823431 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823864 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1104 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

摘要： A semiconductor device includes a substrate having a first region and a second region, a plurality of first gate structures in the first region, the first gate structures being spaced apart from each other by a first distance, a plurality of second gate structures in the second region, the second gate structures being spaced apart from each other by a second distance, a first spacer on sidewalls of the first gate structures, a dielectric layer on the first spacer, a second spacer on sidewalls of the second gate structures, and a third spacer on the second spacer.

摘要翻译： 半导体器件包括具有第一区域和第二区域的衬底，第一区域中的多个第一栅极结构，第一栅极结构彼此间隔第一距离，第二栅极结构在第二区域中形成多个第二栅极结构 所述第二栅极结构彼此间隔开第二距离，所述第一栅极结构的侧壁上的第一间隔物，所述第一间隔物上的介电层，所述第二栅极结构的侧壁上的第二间隔物， 间隔物在第二间隔物上。