公开(公告)号：US20110059801A1

公开(公告)日：2011-03-10

申请号：US12875717

申请日：2010-09-03

申请人： Yoshinori SHIIGI ,  Atsushi MIZUTANI ,  Takeshi MORIZUMI

发明人： Yoshinori SHIIGI ,  Atsushi MIZUTANI ,  Takeshi MORIZUMI

IPC分类号： A63F9/24 ,  A63F13/06

CPC分类号： A63F13/87 ,  A63F13/42 ,  A63F13/812 ,  A63F2300/537 ,  A63F2300/572 ,  A63F2300/6045 ,  A63F2300/8011

摘要： A first game character control section controls the action of a first game character which is an operation target for a user, based on an operation carried out by the user. A second game character control section controls the action of one or more second game characters, based on the action control data. In a case where a chat message is input in any game device, addressed to one or more users of one or more other game devices, an action control data changing section changes the action control data, based on the chat message.

摘要翻译： 第一游戏角色控制部基于用户进行的操作来控制作为用户的操作对象的第一游戏角色的动作。 第二游戏角色控制部分基于动作控制数据来控制一个或多个第二游戏角色的动作。 在任何游戏装置中输入聊天消息的情况下，发送给一个或多个其他游戏装置的一个或多个用户，动作控制数据改变部分基于聊天消息来改变动作控制数据。

公开(公告)号：US20110281436A1

公开(公告)日：2011-11-17

申请号：US13107199

申请日：2011-05-13

申请人： Tadashi INABA ,  Kazutaka TAKAHASHI ,  Tomonori TAKAHASHI ,  Atsushi MIZUTANI

发明人： Tadashi INABA ,  Kazutaka TAKAHASHI ,  Tomonori TAKAHASHI ,  Atsushi MIZUTANI

IPC分类号： H01L21/3065 ,  C11D7/60

CPC分类号： C11D11/0047 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/5004

摘要： Provided are a cleaning composition which is capable of inhibiting the metal of a semiconductor substrate from corrosion, and has an excellent removability of plasma etching residues and/or ashing residues on the semiconductor substrate, a method for producing a semiconductor device, and a cleaning method using the cleaning composition. The cleaning composition for removing plasma etching residues and/or ashing residues formed on a semiconductor substrate, and a preparation method and a cleaning method for a semiconductor device, using the cleaning composition, wherein the cleaning composition includes (Component a) water; (Component b) an amine compound; (Component c) hydroxylamine and/or a salt thereof; (Component d) a quaternary ammonium compound; (Component e) an organic acid; and (Component f) a water-soluble organic solvent; and has a pH of 6 to 9.

摘要翻译： 本发明提供能够抑制半导体衬底的金属腐蚀并且具有优异的半导体衬底上的等离子体蚀刻残留物和/或灰化残留物的可除去性的清洁组合物，半导体器件的制造方法和清洁方法 使用清洁组合物。 用于除去形成在半导体衬底上的等离子体蚀刻残渣和/或灰化残留物的清洁组合物，以及使用该清洁组合物的半导体器件的制备方法和清洁方法，其中所述清洁组合物包含（组分a）水; （组分b）胺化合物; （组分c）羟胺和/或其盐; （组分d）季铵化合物; （组分e）有机酸; 和（组分f）水溶性有机溶剂; pH为6〜9。

公开(公告)号：US20110076852A1

公开(公告)日：2011-03-31

申请号：US12893964

申请日：2010-09-29

申请人： Tomonori TAKAHASHI ,  Kazutaka TAKAHASHI ,  Atsushi MIZUTANI ,  Hiroyuki SEKI ,  Hideo FUSHIMI ,  Tomoo KATO

发明人： Tomonori TAKAHASHI ,  Kazutaka TAKAHASHI ,  Atsushi MIZUTANI ,  Hiroyuki SEKI ,  Hideo FUSHIMI ,  Tomoo KATO

IPC分类号： H01L21/3065 ,  C11D7/32

CPC分类号： G03F7/425 ,  C09K13/00 ,  C09K13/06 ,  C11D7/08 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5013 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/422 ,  G03F7/423 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32138 ,  H01L21/32139

摘要： A cleaning composition for removing plasma etching residue and/or ashing residue formed above a semiconductor substrate is provided that includes (component a) water, (component b) a hydroxylamine and/or a salt thereof, (component c) a basic organic compound, and (component d) an organic acid and has a pH of 7 to 9. There are also provided a cleaning process and a process for producing semiconductor device employing the cleaning composition.

摘要翻译： 提供了用于去除形成在半导体衬底上的等离子体蚀刻残渣和/或灰化残留物的清洁组合物，其包括（组分a）水，（组分b）羟胺和/或其盐，（组分c）碱性有机化合物， 和（组分d）有机酸，并且具有7至9的pH。还提供了一种清洁方法和使用该清洁组合物的半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：US20090246956A1

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：US12404353

申请日：2009-03-16

申请人： Sumi TAKAMIYA ,  Tadashi INABA ,  Atsushi MIZUTANI ,  Tomoo KATO ,  Toshiyuki SAIE

发明人： Sumi TAKAMIYA ,  Tadashi INABA ,  Atsushi MIZUTANI ,  Tomoo KATO ,  Toshiyuki SAIE

IPC分类号： H01L21/306 ,  C09K13/00

CPC分类号： H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409

摘要： The invention provides a metal polishing composition that is used in chemical mechanical polishing in production of a semiconductor device, and includes an oxidizing agent, an abrasive grain, and at least one compound selected from compounds represented by the following formula (I) and the following formula (II). The invention also provides a chemical mechanical polishing method that uses the metal polishing composition. In formula (I), R1 represents a hydrogen atom or an alkyl group, and Ph represents a phenyl ring. In formula (II), R2 represents a hydrogen atom or an alkyl group, and Ph represents a phenyl ring.

摘要翻译： 本发明提供一种用于制造半导体器件的化学机械抛光中的金属抛光组合物，包括氧化剂，磨粒和至少一种选自下式（I）表示的化合物和下述式 式（II）。 本发明还提供了使用金属抛光组合物的化学机械抛光方法。 在式（I）中，R 1表示氢原子或烷基，Ph表示苯基。 式（II）中，R 2表示氢原子或烷基，Ph表示苯基。

公开(公告)号：US20110237480A1

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：US13050666

申请日：2011-03-17

申请人： Atsushi MIZUTANI ,  Hideo Fushimi ,  Tomonori Takahashi ,  Kazutaka Takahashi

发明人： Atsushi MIZUTANI ,  Hideo Fushimi ,  Tomonori Takahashi ,  Kazutaka Takahashi

IPC分类号： C11D7/60

CPC分类号： H01L21/02076 ,  C11D7/261 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3209 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02071

摘要： A cleaning method is provided that includes a step of preparing a cleaning composition containing 57 to 95 wt % of (component a) water, 1 to 40 wt % of (component b) a secondary hydroxy group- and/or tertiary hydroxy group-containing hydroxy compound, (component c) an organic acid, and (component d) a quaternary ammonium compound, the composition having a pH of 5 to 10, and a step of removing plasma etching residue formed above a semiconductor substrate by means of the cleaning composition. There are also provided a process for producing a semiconductor device that includes a step of cleaning plasma etching residue formed above a semiconductor substrate using the cleaning method, and a cleaning composition for removing plasma etching residue formed above a semiconductor substrate that contains 57 to 95 wt % of (component a) water, 1 to 40 wt % of (component b) a secondary hydroxy group- and/or tertiary hydroxy group-containing hydroxy compound, (component c) an organic acid, and (component d) a quaternary ammonium compound, the composition having a pH of 5 to 10.

摘要翻译： 提供一种清洗方法，其包括制备含有57〜95重量％的（a成分）水，1〜40重量％的（成分b）含羟基和/或叔羟基的 羟基化合物，（组分c）有机酸和（组分d）季铵化合物，该组合物的pH为5〜10，以及通过清洗组合物除去在半导体衬底上形成的等离子体蚀刻残渣的步骤 。 还提供了一种半导体器件的制造方法，该半导体器件包括使用该清洁方法清洗形成在半导体衬底上的等离子体蚀刻残渣的步骤，以及用于除去形成在半导体衬底上的等离子体蚀刻残渣的清洁组合物，该清洁组合物含有57〜95重量％ （成分a）的水，1〜40重量％的（成分b）含羟基和/或叔羟基的羟基化合物，（成分c）有机酸和（成分d）季铵 化合物，该组合物的pH为5〜10。