公开(公告)号：US08859383B2

公开(公告)日：2014-10-14

申请号：US13424825

申请日：2012-03-20

申请人： Youn-soo Kim ,  Jae-hyoung Choi ,  Kyu-ho Cho ,  Wan-don Kim ,  Jae-soon Lim ,  Sang-yeol Kang

发明人： Youn-soo Kim ,  Jae-hyoung Choi ,  Kyu-ho Cho ,  Wan-don Kim ,  Jae-soon Lim ,  Sang-yeol Kang

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L49/02 ,  H01L21/02 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L27/108

CPC分类号： H01L28/56 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/318 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/40 ,  H01L28/75

摘要： A semiconductor device having a dielectric layer with improved electrical characteristics and associated methods, the semiconductor device including a lower metal layer, a dielectric layer, and an upper metal layer sequentially disposed on a semiconductor substrate and an insertion layer disposed between the dielectric layer and at least one of the lower metal layer and the upper metal layer, wherein the dielectric layer includes a metal oxide film and the insertion layer includes a metallic material film.

摘要翻译： 一种半导体器件，具有具有改善的电特性和相关方法的电介质层，所述半导体器件包括顺序地设置在半导体衬底上的下金属层，电介质层和上金属层，以及设置在电介质层之间的插入层 下金属层和上金属层中的至少一个，其中电介质层包括金属氧化物膜，并且插入层包括金属材料膜。

公开(公告)号：US20120178254A1

公开(公告)日：2012-07-12

申请号：US13424825

申请日：2012-03-20

申请人： Youn-soo KIM ,  Jae-hyoung Choi ,  Kyu-ho Cho ,  Wan-don Kim ,  Jae-soon Lim ,  Sang-yeol Kang

发明人： Youn-soo KIM ,  Jae-hyoung Choi ,  Kyu-ho Cho ,  Wan-don Kim ,  Jae-soon Lim ,  Sang-yeol Kang

IPC分类号： H01L21/3205

CPC分类号： H01L28/56 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/318 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/40 ,  H01L28/75

摘要： A semiconductor device having a dielectric layer with improved electrical characteristics and associated methods, the semiconductor device including a lower metal layer, a dielectric layer, and an upper metal layer sequentially disposed on a semiconductor substrate and an insertion layer disposed between the dielectric layer and at least one of the lower metal layer and the upper metal layer, wherein the dielectric layer includes a metal oxide film and the insertion layer includes a metallic material film.

摘要翻译： 一种半导体器件，具有具有改善的电特性和相关方法的电介质层，所述半导体器件包括顺序地设置在半导体衬底上的下金属层，电介质层和上金属层，以及设置在电介质层之间的插入层 下金属层和上金属层中的至少一个，其中电介质层包括金属氧化物膜，并且插入层包括金属材料膜。

公开(公告)号：US20100200950A1

公开(公告)日：2010-08-12

申请号：US12585030

申请日：2009-09-01

申请人： Youn-soo Kim ,  Jae-hyoung Choi ,  Kyu-ho Cho ,  Wan-don Kim ,  Jae-soon Lim ,  Sang-yeol Kang

发明人： Youn-soo Kim ,  Jae-hyoung Choi ,  Kyu-ho Cho ,  Wan-don Kim ,  Jae-soon Lim ,  Sang-yeol Kang

IPC分类号： H01L29/92

CPC分类号： H01L28/56 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/318 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/40 ,  H01L28/75

摘要： A semiconductor device having a dielectric layer with improved electrical characteristics and associated methods, the semiconductor device including a lower metal layer, a dielectric layer, and an upper metal layer sequentially disposed on a semiconductor substrate and an insertion layer disposed between the dielectric layer and at least one of the lower metal layer and the upper metal layer, wherein the dielectric layer includes a metal oxide film and the insertion layer includes a metallic material film.

摘要翻译： 一种半导体器件，具有具有改善的电特性和相关方法的电介质层，所述半导体器件包括顺序地设置在半导体衬底上的下金属层，电介质层和上金属层，以及设置在电介质层之间的插入层 下金属层和上金属层中的至少一个，其中电介质层包括金属氧化物膜，并且插入层包括金属材料膜。