公开(公告)号：US08859383B2

公开(公告)日：2014-10-14

申请号：US13424825

申请日：2012-03-20

申请人： Youn-soo Kim ,  Jae-hyoung Choi ,  Kyu-ho Cho ,  Wan-don Kim ,  Jae-soon Lim ,  Sang-yeol Kang

发明人： Youn-soo Kim ,  Jae-hyoung Choi ,  Kyu-ho Cho ,  Wan-don Kim ,  Jae-soon Lim ,  Sang-yeol Kang

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L49/02 ,  H01L21/02 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L27/108

CPC分类号： H01L28/56 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/318 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/40 ,  H01L28/75

摘要： A semiconductor device having a dielectric layer with improved electrical characteristics and associated methods, the semiconductor device including a lower metal layer, a dielectric layer, and an upper metal layer sequentially disposed on a semiconductor substrate and an insertion layer disposed between the dielectric layer and at least one of the lower metal layer and the upper metal layer, wherein the dielectric layer includes a metal oxide film and the insertion layer includes a metallic material film.

摘要翻译： 一种半导体器件，具有具有改善的电特性和相关方法的电介质层，所述半导体器件包括顺序地设置在半导体衬底上的下金属层，电介质层和上金属层，以及设置在电介质层之间的插入层 下金属层和上金属层中的至少一个，其中电介质层包括金属氧化物膜，并且插入层包括金属材料膜。

公开(公告)号：US20100200950A1

公开(公告)日：2010-08-12

申请号：US12585030

申请日：2009-09-01

申请人： Youn-soo Kim ,  Jae-hyoung Choi ,  Kyu-ho Cho ,  Wan-don Kim ,  Jae-soon Lim ,  Sang-yeol Kang

发明人： Youn-soo Kim ,  Jae-hyoung Choi ,  Kyu-ho Cho ,  Wan-don Kim ,  Jae-soon Lim ,  Sang-yeol Kang

IPC分类号： H01L29/92

CPC分类号： H01L28/56 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/318 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/40 ,  H01L28/75

摘要： A semiconductor device having a dielectric layer with improved electrical characteristics and associated methods, the semiconductor device including a lower metal layer, a dielectric layer, and an upper metal layer sequentially disposed on a semiconductor substrate and an insertion layer disposed between the dielectric layer and at least one of the lower metal layer and the upper metal layer, wherein the dielectric layer includes a metal oxide film and the insertion layer includes a metallic material film.

摘要翻译： 一种半导体器件，具有具有改善的电特性和相关方法的电介质层，所述半导体器件包括顺序地设置在半导体衬底上的下金属层，电介质层和上金属层，以及设置在电介质层之间的插入层 下金属层和上金属层中的至少一个，其中电介质层包括金属氧化物膜，并且插入层包括金属材料膜。

公开(公告)号：US20110095397A1

公开(公告)日：2011-04-28

申请号：US12909289

申请日：2010-10-21

申请人： Suk-jin Chung ,  Jae-hyoung Choi ,  Youn-soo Kim ,  Jae-soon Lim ,  Sang-yeol Kang

发明人： Suk-jin Chung ,  Jae-hyoung Choi ,  Youn-soo Kim ,  Jae-soon Lim ,  Sang-yeol Kang

IPC分类号： H01L29/92 ,  H01G4/30

CPC分类号： H01L27/10852 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02362 ,  H01L28/40

摘要： Semiconductor structures including a first conductive layer; a dielectric layer on the first conductive layer; a second conductive layer on the dielectric layer; and a crystallized seed layer in at least one of a first portion between the first conductive layer and the dielectric layer and a second portion between the dielectric layer and the second conductive layer. Related capacitors and methods are also provided herein.

摘要翻译： 包括第一导电层的半导体结构; 第一导电层上的电介质层; 介电层上的第二导电层; 以及在所述第一导电层和所述电介质层之间的第一部分中的至少一个中的结晶晶种层和所述介电层和所述第二导电层之间的第二部分。 本文还提供了相关的电容器和方法。

公开(公告)号：US20120276721A1

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：US13459136

申请日：2012-04-28

申请人： Suk-jin Chung ,  Jong-cheol Lee ,  Youn-soo Kim ,  Cha-young Yoo ,  Sang-yeol Kang

发明人： Suk-jin Chung ,  Jong-cheol Lee ,  Youn-soo Kim ,  Cha-young Yoo ,  Sang-yeol Kang

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02178 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582 ,  H01L28/91 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7926

摘要： A method of forming an oxide layer. The method includes: forming a layer of reaction-inhibiting functional groups on a surface of a substrate; forming a layer of precursors of a metal or a semiconductor on the layer of the reaction-inhibiting functional groups; and oxidizing the precursors of the metal or the semiconductor in order to obtain a layer of a metal oxide or a semiconductor oxide. According to the method, an oxide layer having a high thickness uniformity may be formed and a semiconductor device having excellent electrical characteristics may be manufactured.

摘要翻译： 一种形成氧化物层的方法。 该方法包括：在基板的表面上形成反应抑制性官能团层; 在反应抑制官能团的层上形成金属或半导体的前体层; 以及氧化金属或半导体的前体以获得金属氧化物或半导体氧化物的层。 根据该方法，可以形成具有高厚度均匀性的氧化物层，并且可以制造具有优异电特性的半导体器件。

公开(公告)号：US09076647B2

公开(公告)日：2015-07-07

申请号：US13459136

申请日：2012-04-28

申请人： Suk-jin Chung ,  Youn-soo Kim ,  Cha-young Yoo ,  Jong-cheol Lee ,  Sang-yeol Kang

发明人： Suk-jin Chung ,  Youn-soo Kim ,  Cha-young Yoo ,  Jong-cheol Lee ,  Sang-yeol Kang

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/02 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L49/02 ,  H01L29/66 ,  H01L21/28 ,  H01L29/792

CPC分类号： H01L21/02178 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582 ,  H01L28/91 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7926

摘要： A method of forming an oxide layer. The method includes: forming a layer of reaction-inhibiting functional groups on a surface of a substrate; forming a layer of precursors of a metal or a semiconductor on the layer of the reaction-inhibiting functional groups; and oxidizing the precursors of the metal or the semiconductor in order to obtain a layer of a metal oxide or a semiconductor oxide. According to the method, an oxide layer having a high thickness uniformity may be formed and a semiconductor device having excellent electrical characteristics may be manufactured.

摘要翻译： 一种形成氧化物层的方法。 该方法包括：在基板的表面上形成反应抑制性官能团层; 在反应抑制官能团的层上形成金属或半导体的前体层; 以及氧化金属或半导体的前体以获得金属氧化物或半导体氧化物的层。 根据该方法，可以形成具有高厚度均匀性的氧化物层，并且可以制造具有优异电特性的半导体器件。

公开(公告)号：US08357593B2

公开(公告)日：2013-01-22

申请号：US12688044

申请日：2010-01-15

申请人： Ki-chul Kim ,  Youn-soo Kim ,  Ki-vin Im ,  Cha-young Yoo ,  Jong-cheol Lee ,  Ki-yeon Park ,  Hoon-sang Choi ,  Se-hoon Oh

发明人： Ki-chul Kim ,  Youn-soo Kim ,  Ki-vin Im ,  Cha-young Yoo ,  Jong-cheol Lee ,  Ki-yeon Park ,  Hoon-sang Choi ,  Se-hoon Oh

IPC分类号： H01L21/322

CPC分类号： H01L21/314 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/67034

摘要： Provided are methods of removing water adsorbed or bonded to a surface of a semiconductor substrate, and methods of depositing an atomic layer using the method of removing water described herein. The method of removing water includes applying a chemical solvent to the surface of a semiconductor substrate, and removing the chemical solvent from the surface of the semiconductor substrate.

摘要翻译： 提供了除去吸附或结合到半导体衬底的表面的水的方法，以及使用本文所述除去水的方法沉积原子层的方法。 除去水的方法包括向半导体衬底的表面施加化学溶剂，并从半导体衬底的表面除去化学溶剂。

公开(公告)号：US20100190320A1

公开(公告)日：2010-07-29

申请号：US12688044

申请日：2010-01-15

申请人： Ki-chul Kim ,  Youn-soo Kim ,  Ki-vin Im ,  Cha-young Yoo ,  Jong-cheol Lee ,  Ki-yeon Park ,  Hoon-sang Choi ,  Se-hoon Oh

发明人： Ki-chul Kim ,  Youn-soo Kim ,  Ki-vin Im ,  Cha-young Yoo ,  Jong-cheol Lee ,  Ki-yeon Park ,  Hoon-sang Choi ,  Se-hoon Oh

IPC分类号： H01L21/30 ,  B08B3/00

CPC分类号： H01L21/314 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/67034

摘要： Provided are methods of removing water adsorbed or bonded to a surface of a semiconductor substrate, and methods of depositing an atomic layer using the method of removing water described herein. The method of removing water includes applying a chemical solvent to the surface of a semiconductor substrate, and removing the chemical solvent from the surface of the semiconductor substrate.

摘要翻译： 提供了除去吸附或结合到半导体衬底的表面的水的方法，以及使用本文所述除去水的方法沉积原子层的方法。 除去水的方法包括向半导体衬底的表面施加化学溶剂，并从半导体衬底的表面除去化学溶剂。

公开(公告)号：US08056698B2

公开(公告)日：2011-11-15

申请号：US12440925

申请日：2007-09-12

申请人： Ssang-geun Im ,  Sang-yun Lee ,  Seung-gyu Ko ,  Youn-soo Kim

发明人： Ssang-geun Im ,  Sang-yun Lee ,  Seung-gyu Ko ,  Youn-soo Kim

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/68 ,  H01L21/02

CPC分类号： G01R31/2893 ,  H01L21/673 ,  H01L21/67742

摘要： Disclosed is a tray handling apparatus in which the conveyance and inversion of a tray can be performed simultaneously to thereby achieve a rapid inspecting operation and a simplified apparatus configuration, and a semiconductor device inspecting method using the tray handling apparatus. The tray handling apparatus includes an inverting unit to turn the tray, in which objects are received, upside down, and a transfer device to convey the object receiving tray from one conveyor to another conveyor while being reciprocally moved above a body of the apparatus. The inverting unit is integrally provided at a lower end of the transfer device, to allow the conveyance and inversion of the tray to be performed simultaneously.

摘要翻译： 公开了一种托盘处理装置，其中可以同时执行托盘的输送和倒转，从而实现快速检查操作和简化的装置构造，以及使用托盘处理装置的半导体装置检查方法。 托盘处理装置包括翻转单元，用于转动托盘，其中物体被接收，上下颠倒;以及传送装置，用于将物体接收托盘从一个传送器传送到另一传送器，同时在设备的主体上方往复移动。 翻转单元一体地设置在转印装置的下端，以允许托盘的输送和反转同时进行。

公开(公告)号：US08258064B2

公开(公告)日：2012-09-04

申请号：US12909947

申请日：2010-10-22

申请人： Jong-cheol Lee ,  Ki-yeon Park ,  Se-hoon Oh ,  Youn-soo Kim

发明人： Jong-cheol Lee ,  Ki-yeon Park ,  Se-hoon Oh ,  Youn-soo Kim

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/283

CPC分类号： C23C16/401 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/0228 ,  H01L28/40

摘要： Methods of forming a metal silicate layer and methods of fabricating a semiconductor device including the metal silicate layer are provided, the methods of forming the metal silicate layer include forming the metal silicate using a plurality of silicon precursors. The silicon precursors are homoleptic silicon precursors in which ligands bound to silicon have the same molecular structure.

摘要翻译： 提供形成金属硅酸盐层的方法和制造包括金属硅酸盐层的半导体器件的方法，形成金属硅酸盐层的方法包括使用多个硅前体形成金属硅酸盐。 硅前体是其中与硅结合的配体具有相同分子结构的均质硅前体。

公开(公告)号：US20100032262A1

公开(公告)日：2010-02-11

申请号：US12440925

申请日：2007-09-12

申请人： Ssang-geun Im ,  Sang-yun Lee ,  Seung-gyu Ko ,  Youn-soo Kim

发明人： Ssang-geun Im ,  Sang-yun Lee ,  Seung-gyu Ko ,  Youn-soo Kim

IPC分类号： B65G47/248 ,  G01R31/26 ,  B65G43/08

CPC分类号： G01R31/2893 ,  H01L21/673 ,  H01L21/67742

摘要： Disclosed is a tray handling apparatus in which the conveyance and inversion of a tray can be performed simultaneously to thereby achieve a rapid inspecting operation and a simplified apparatus configuration, and a semiconductor device inspecting method using the tray handling apparatus. The tray handling apparatus includes an inverting unit to turn the tray, in which objects are received, upside down, and a transfer device to convey the object receiving tray from one conveyor to another conveyor while being reciprocally moved above a body of the apparatus. The inverting unit is integrally provided at a lower end of the transfer device, to allow the conveyance and inversion of the tray to be performed simultaneously.

摘要翻译： 公开了一种托盘处理装置，其中可以同时执行托盘的输送和倒转，从而实现快速检查操作和简化的装置构造，以及使用托盘处理装置的半导体装置检查方法。 托盘处理装置包括翻转单元，用于转动托盘，其中物体被接收，上下颠倒;以及传送装置，用于将物体接收托盘从一个传送器传送到另一传送器，同时在设备的主体上方往复移动。 翻转单元一体地设置在转印装置的下端，以允许托盘的输送和反转同时进行。