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1.发明授权Polymers, photoresist compositions and methods of forming photolithographic patterns 有权聚合物，光致抗蚀剂组合物和形成光刻图案的方法公开(公告)号：US09298093B2
公开(公告)日：2016-03-29
申请号：US13341939
申请日：2011-12-31
申请人： Young Cheol Bae , Matthew M. Meyer , Jibin Sun , Seung-Hyun Lee , Jong Keun Park
发明人： Young Cheol Bae , Matthew M. Meyer , Jibin Sun , Seung-Hyun Lee , Jong Keun Park
CPC分类号： G03F7/2041 , C08F220/28 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/325
摘要： Polymers containing a unit having a particular acetal moiety and photoresist compositions containing such a polymer. Substrates coated with the photoresist compositions and methods of forming photolithographic patterns. The polymers, photoresist compositions, methods and coated substrates find particular applicability in the manufacture of semiconductor devices.
摘要翻译： 含有具有特定缩醛部分的单元的聚合物和含有这种聚合物的光致抗蚀剂组合物。 用光致抗蚀剂组合物涂覆的基材和形成光刻图案的方法。 聚合物，光致抗蚀剂组合物，方法和涂覆的基材在半导体器件的制造中具有特别的适用性。
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2.发明申请POLYMERS, PHOTORESIST COMPOSITIONS AND METHODS OF FORMING PHOTOLITHOGRAPHIC PATTERNS 有权聚合物，光电组合物和形成光刻图案的方法公开(公告)号：US20120288794A1
公开(公告)日：2012-11-15
申请号：US13341939
申请日：2011-12-31
申请人： Young Cheol BAE , Matthew M. Meyer , Jibin Sun , Seung-Hyun Lee , Jong Keun Park
发明人： Young Cheol BAE , Matthew M. Meyer , Jibin Sun , Seung-Hyun Lee , Jong Keun Park
IPC分类号： C08F224/00 , G03F7/20 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/2041 , C08F220/28 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/325
摘要： Provided are polymers containing a unit having a particular acetal moiety and photoresist compositions containing such a polymer. Also provided are substrates coated with the photoresist compositions and methods of forming photolithographic patterns. The polymers, photoresist compositions, methods and coated substrates find particular applicability in the manufacture of semiconductor devices.
摘要翻译： 提供的是含有具有特定缩醛部分的单元和含有这种聚合物的光致抗蚀剂组合物的聚合物。 还提供了涂覆有光致抗蚀剂组合物的基材和形成光刻图案的方法。 聚合物，光致抗蚀剂组合物，方法和涂覆的基材在半导体器件的制造中具有特别的适用性。
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3.发明申请公开(公告)号：US20120064456A1
公开(公告)日：2012-03-15
申请号：US13229672
申请日：2011-09-10
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F7/0045 , G03F7/2041 , G03F7/325
摘要： Provided are photoresist compositions useful in forming photolithographic patterns by a negative tone development process. Also provided are methods of forming photolithographic patterns by a negative tone development process and substrates coated with the photoresist compositions. The compositions, methods and coated substrates find particular applicability in the manufacture of semiconductor devices.
摘要翻译： 提供了通过负色调显影方法形成光刻图案的光致抗蚀剂组合物。 还提供了通过负色调显影方法形成光刻图案的方法和涂覆有光致抗蚀剂组合物的基材。 组合物，方法和涂覆的基材在半导体器件的制造中具有特别的适用性。
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4.发明申请POLYMERS, PHOTORESIST COMPOSITIONS AND METHODS OF FORMING PHOTOLITHOGRAHIC PATTERNS 有权聚合物，光电组合物和形成光刻胶图案的方法公开(公告)号：US20120308927A1
公开(公告)日：2012-12-06
申请号：US13309843
申请日：2011-12-02
申请人： Young Cheol Bae , David Richard Wilson , Jibin Sun
发明人： Young Cheol Bae , David Richard Wilson , Jibin Sun
CPC分类号： G03F7/0392 , C08F220/28 , C08F2220/283 , C08F2220/285 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/325
摘要： Provided are polymers and photoresist compositions useful in forming photolithographic patterns. Also provided are substrates coated with the photoresist compositions and methods of forming photolithographic patterns. The compositions, methods and coated substrates find particular applicability in the manufacture of semiconductor devices.
摘要翻译： 提供了可用于形成光刻图案的聚合物和光致抗蚀剂组合物。 还提供了涂覆有光致抗蚀剂组合物的基材和形成光刻图案的方法。 组合物，方法和涂覆的基材在半导体器件的制造中具有特别的适用性。
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5.发明授权Polymers, photoresist compositions and methods of forming photolithographic patterns 有权聚合物，光致抗蚀剂组合物和形成光刻图案的方法公开(公告)号：US08628911B2
公开(公告)日：2014-01-14
申请号：US13309843
申请日：2011-12-02
申请人： Young Cheol Bae , David Richard Wilson , Jibin Sun
发明人： Young Cheol Bae , David Richard Wilson , Jibin Sun
CPC分类号： G03F7/0392 , C08F220/28 , C08F2220/283 , C08F2220/285 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/325
摘要： Provided are polymers and photoresist compositions useful in forming photolithographic patterns. Also provided are substrates coated with the photoresist compositions and methods of forming photolithographic patterns. The compositions, methods and coated substrates find particular applicability in the manufacture of semiconductor devices.
摘要翻译： 提供了可用于形成光刻图案的聚合物和光致抗蚀剂组合物。 还提供了涂覆有光致抗蚀剂组合物的基材和形成光刻图案的方法。 组合物，方法和涂覆的基材在半导体器件的制造中具有特别的适用性。
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