公开(公告)号：US20060163207A1

公开(公告)日：2006-07-27

申请号：US11184357

申请日：2005-07-18

申请人： Young-sig Lee ,  Ki-hyun Kim ,  Hong-je Cho ,  Kwan-Tack Lim ,  Jae-kyeong Lee

发明人： Young-sig Lee ,  Ki-hyun Kim ,  Hong-je Cho ,  Kwan-Tack Lim ,  Jae-kyeong Lee

IPC分类号： B05D7/00 ,  C03C15/00 ,  B05C5/00 ,  C23F1/00 ,  B05D1/02

CPC分类号： H01L21/6708 ,  B05B13/0221

摘要： Disclosed is a substrate treating apparatus including a treatment solution dispenser supplying a treatment solution on a substrate, a transporting unit transporting the substrate, and a controller controlling the transporting unit so that the substrate is transported in an inclined position. The substrate is inclined sideways through a rotation with respect to an axis extending parallel to a transportation direction of the substrate. The rotation may be made in both directions in an alternating manner. The apparatus is useful for treating the substrate uniformly regardless of substrate size.

摘要翻译： 公开了一种基板处理装置，其包括在基板上供给处理溶液的处理液分配器，输送基板的输送单元和控制输送单元的控制器，使得基板在倾斜位置被输送。 基板相对于平行于基板的输送方向延伸的轴线的旋转侧向倾斜。 旋转可以以交替的方式在两个方向上进行。 该设备可用于均匀地处理衬底，而与衬底尺寸无关。

公开(公告)号：US20060043332A1

公开(公告)日：2006-03-02

申请号：US11208545

申请日：2005-08-23

申请人： Hong-Je Cho ,  Seung-Yong Lee ,  Joon-Woo Lee ,  Jae-Yeon Lee ,  Seung-Hwan Chon ,  Yong-Suk Choi ,  Young-Chul Park ,  Jin-Su Kim ,  Kyu-Sang Kim ,  Dong-Uk Choi ,  Kwan-Tack Lim

发明人： Hong-Je Cho ,  Seung-Yong Lee ,  Joon-Woo Lee ,  Jae-Yeon Lee ,  Seung-Hwan Chon ,  Yong-Suk Choi ,  Young-Chul Park ,  Jin-Su Kim ,  Kyu-Sang Kim ,  Dong-Uk Choi ,  Kwan-Tack Lim

IPC分类号： C09K13/06

CPC分类号： C09K13/06

摘要： An etchant for removing an indium oxide layer includes sulfuric acid as a main oxidizer, an auxiliary oxidizer such as H3PO4, HNO3, CH3COOH, HClO4, H2O2, and a Compound A that is obtained by mixing potassium peroxymonosulfate (2KHSO5), potassium bisulfate (KHSO4), and potassium sulfate (K2SO4) together in the ratio of 5:3:2, an etching inhibitor comprising an ammonium-based material, and water. The etchant may remove desired portions of the indium oxide layer without damage to a photoresist pattern or layers underlying the indium oxide layer.

摘要翻译： 用于除去氧化铟层的蚀刻剂包括硫酸作为主要氧化剂，辅助氧化剂如H 3 PO 4，HNO 3， CH 3 COOH，HClO 4，H 2 O 2，以及通过将钾 过硫酸氢盐（2KHSO 5），硫酸氢钾（KHSO 4）和硫酸钾（K 2 SO 4） 一起以5：3：2的比例，包含铵基材料的蚀刻抑制剂和水。 蚀刻剂可以去除铟氧化物层的期望部分，而不损害光致抗蚀剂图案或氧化铟层下面的层。

公开(公告)号：US07329365B2

公开(公告)日：2008-02-12

申请号：US11208545

申请日：2005-08-23

申请人： Hong-Je Cho ,  Seung-Yong Lee ,  Joon-Woo Lee ,  Jae-Yeon Lee ,  Seung-Hwan Chon ,  Yong-Suk Choi ,  Young-Chul Park ,  Jin-Su Kim ,  Kyu-Sang Kim ,  Dong-Uk Choi ,  Kwan-Tack Lim

发明人： Hong-Je Cho ,  Seung-Yong Lee ,  Joon-Woo Lee ,  Jae-Yeon Lee ,  Seung-Hwan Chon ,  Yong-Suk Choi ,  Young-Chul Park ,  Jin-Su Kim ,  Kyu-Sang Kim ,  Dong-Uk Choi ,  Kwan-Tack Lim

IPC分类号： B44C1/22

CPC分类号： C09K13/06

摘要： An etchant for removing an indium oxide layer includes sulfuric acid as a main oxidizer, an auxiliary oxidizer such as H3PO4, HNO3, CH3COOH, HClO4, H2O2, and a Compound A that is obtained by mixing potassium peroxymonosulfate (2KHSO5), potassium bisulfate (KHSO4), and potassium sulfate (K2SO4) together in the ratio of 5:3:2, an etching inhibitor comprising an ammonium-based material, and water. The etchant may remove desired portions of the indium oxide layer without damage to a photoresist pattern or layers underlying the indium oxide layer.

摘要翻译： 用于除去氧化铟层的蚀刻剂包括硫酸作为主要氧化剂，辅助氧化剂如H 3 PO 4，HNO 3， CH 3 COOH，HClO 4，H 2 O 2，以及通过将钾 过硫酸氢盐（2KHSO 5），硫酸氢钾（KHSO 4）和硫酸钾（K 2 SO 4） 一起以5：3：2的比例，包含铵基材料的蚀刻抑制剂和水。 蚀刻剂可以去除铟氧化物层的期望部分，而不损害光致抗蚀剂图案或氧化铟层下面的层。

公开(公告)号：US07582501B2

公开(公告)日：2009-09-01

申请号：US11724982

申请日：2007-03-15

申请人： Jae-Kyeong Lee ,  Kwan-Tack Lim

发明人： Jae-Kyeong Lee ,  Kwan-Tack Lim

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L31/036 ,  H01L31/112

CPC分类号： H01L27/124

摘要： A TFT array panel having signal lines of low resistivity is presented. The TFT array panel includes a substrate; a gate line including a gate electrode formed on the substrate and having a single-layered structure; a gate insulating layer formed on the gate line; a semiconductor layer formed on the gate insulating layer; a barrier layer formed on the semiconductor layer and including nitrogen; a data line including a source electrode formed on the barrier layer and having a single-layered structure; a drain electrode formed on the barrier layer, spaced apart from the source electrode and having a single-layered structure; and a pixel electrode electrically connected to the drain electrode. The TFT array panel may include contact holes extending to the end portions of the gate line, the data line, and the drain electrode, and molybdenum or molybdenum alloy buffer members in the contact holes.

摘要翻译： 提出了具有低电阻率信号线的TFT阵列面板。 TFT阵列面板包括基板; 栅线，包括形成在所述基板上并具有单层结构的栅电极; 栅极绝缘层，形成在栅极线上; 形成在所述栅极绝缘层上的半导体层; 形成在所述半导体层上并包含氮的阻挡层; 数据线，包括形成在所述阻挡层上并具有单层结构的源电极; 漏电极，形成在阻挡层上，与源电极间隔开并具有单层结构; 以及电连接到漏电极的像素电极。 TFT阵列面板可以包括延伸到栅极线，数据线和漏电极的端部的接触孔，以及接触孔中的钼或钼合金缓冲构件。

公开(公告)号：US20070215876A1

公开(公告)日：2007-09-20

申请号：US11724982

申请日：2007-03-15

申请人： Jae-Kyeong Lee ,  Kwan-Tack Lim

发明人： Jae-Kyeong Lee ,  Kwan-Tack Lim

IPC分类号： H01L29/04

CPC分类号： H01L27/124

摘要： A TFT array panel having signal lines of low resistivity is presented. The TFT array panel includes a substrate; a gate line including a gate electrode formed on the substrate and having a single-layered structure; a gate insulating layer formed on the gate line; a semiconductor layer formed on the gate insulating layer; a barrier layer formed on the semiconductor layer and including nitrogen; a data line including a source electrode formed on the barrier layer and having a single-layered structure; a drain electrode formed on the barrier layer, spaced apart from the source electrode and having a single-layered structure; and a pixel electrode electrically connected to the drain electrode. The TFT array panel may include contact holes extending to the end portions of the gate line, the data line, and the drain electrode, and molybdenum or molybdenum alloy buffer members in the contact holes.

摘要翻译： 提出了具有低电阻率信号线的TFT阵列面板。 TFT阵列面板包括基板; 栅线，包括形成在所述基板上并具有单层结构的栅电极; 栅极绝缘层，形成在栅极线上; 形成在所述栅极绝缘层上的半导体层; 形成在所述半导体层上并包含氮的阻挡层; 数据线，包括形成在所述阻挡层上并具有单层结构的源电极; 漏电极，形成在阻挡层上，与源电极间隔开并具有单层结构; 以及电连接到漏电极的像素电极。 TFT阵列面板可以包括延伸到栅极线，数据线和漏电极的端部的接触孔，以及接触孔中的钼或钼合金缓冲构件。

公开(公告)号：US07635436B2

公开(公告)日：2009-12-22

申请号：US11271079

申请日：2005-11-10

申请人： Kyu-Sang Kim ,  Kwan-Tack Lim

发明人： Kyu-Sang Kim ,  Kwan-Tack Lim

IPC分类号： G02F1/1333

CPC分类号： H01L21/76838 ,  C23F1/20 ,  C23F1/26 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76841 ,  H01L23/53223 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The present invention provides an etchant composition containing 60 to 75 wt % of phosphoric acid (H3PO4), 0.5 to 15 wt % of nitric acid (HNO3), 2 to 15 wt % of acetic acid (CH3COOH), and 0.1 to 15 wt % of aluminum nitrate (Al(NO3)3).

摘要翻译： 本发明提供一种含有60〜75重量％的磷酸（H 3 PO 4），0.5〜15重量％的硝酸（HNO 3），2〜15重量％的乙酸（CH 3 COOH）和0.1〜15重量％ 的硝酸铝（Al（NO 3）3）。

公开(公告)号：US20060183338A1

公开(公告)日：2006-08-17

申请号：US11271079

申请日：2005-11-10

申请人： Kyu-Sang Kim ,  Kwan-Tack Lim

发明人： Kyu-Sang Kim ,  Kwan-Tack Lim

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L21/302 ,  H01L21/00 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/76838 ,  C23F1/20 ,  C23F1/26 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76841 ,  H01L23/53223 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The present invention provides an etchant composition containing 60 to 75 wt % of phosphoric acid (H3PO4), 0.5 to 15 wt % of nitric acid (HNO3), 2 to 15 wt % of acetic acid (CH3COOH), and 0.1 to 15 wt % of aluminum nitrate (Al(NO3)3).

摘要翻译： 本发明提供一种含有60〜75重量％的磷酸（H 3 PO 4）的蚀刻剂组合物，0.5〜15重量％的硝酸（HNO 3） 3重量％，2至15重量％的乙酸（CH 3 COOH）和0.1至15重量％的硝酸铝（Al（NO 3 3） 3 ）。