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    SOLAR CELL HAVING IMPROVED REAR CONTACT
    1.
    发明申请
    SOLAR CELL HAVING IMPROVED REAR CONTACT 审中-公开
    具有改进后接触的太阳能电池

    公开(公告)号：US20120145232A1

    公开(公告)日：2012-06-14

    申请号：US13091015

    申请日：2011-04-20

    申请人： Yu Kyung KIM ,  Dong Seop Kim

    发明人： Yu Kyung KIM ,  Dong Seop Kim

    IPC分类号： H01L31/0224

    CPC分类号： H01L31/068 ,  H01L31/022425 ,  Y02E10/547

    摘要： Provided is a solar cell including: a semiconductive base layer having a first conductivity type; a semiconductive emitter layer disposed on top of the base layer and having a second conductivity type opposite to the first conductivity type; a front electrode disposed on top of the emitter layer; a passivation layer disposed under the base layer and including a contact hole exposing the base layer; and a rear electrode disposed under the passivation layer and connected with the base layer through the contact hole, wherein the rear electrode comprises a silicon (Si)-aluminum (Al) eutectic alloy powder.

    摘要翻译： 提供一种太阳能电池，包括：具有第一导电类型的半导体基底层; 设置在所述基底层的顶部并且具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的半导体发射极层; 设置在发射极层顶部的前电极; 钝化层，设置在所述基底层下方，并且包括暴露所述基底层的接触孔; 以及设置在所述钝化层下方并通过所述接触孔与所述基底层连接的后电极，其中所述后电极包括硅（Si） - 铝（Al）共晶合金粉末。

    COMPLEX FLOATING WETLAND EQUIPMENT
    2.
    发明申请
    COMPLEX FLOATING WETLAND EQUIPMENT 有权
    复杂浮动湿地设备

    公开(公告)号：US20140251225A1

    公开(公告)日：2014-09-11

    申请号：US13997803

    申请日：2012-04-06

    申请人： Woo Myung Heo ,  Gil Son Hwang ,  Dong Oug Kim ,  Ho Joon Kim ,  Dong Seop Kim ,  Sun Hee Lee ,  Haeng Seop Song

    发明人： Woo Myung Heo ,  Gil Son Hwang ,  Dong Oug Kim ,  Ho Joon Kim ,  Dong Seop Kim ,  Sun Hee Lee ,  Haeng Seop Song

    IPC分类号： A01K61/00 ,  B63B35/44

    CPC分类号： A01K61/10 ,  A01K1/00 ,  A01K29/00 ,  A01K61/70 ,  B63B35/44 ,  Y02A40/83 ,  Y02P60/642

    摘要： An otter habitation section, an overland section, an inclined-surface section, a first spawning section, a second spawning section and a roost are all provided. Accordingly, otters and birds can sufficiently obtain preys, and fishes secure a spawning ground suitable for spawning characteristics. Therefore, the otters, the fishes and the birds can inhabit together. Further, since frames are made of wood for providing buoyant force or the frames are made of stainless steel for reinforcing strength and wood for providing buoyant force, a small amount of polyethylene foam is required. Accordingly, it is possible to obtain floating wetland equipment with a simple structure. Furthermore, the wooden frames itself provide a spawning ground of fishes.

    摘要翻译： 全部提供水獭居住区，陆上段，倾斜面，第一产卵区，第二产卵区和栖息地。 因此，水獭和鸟类可以充分获得猎物，鱼类可以保护适合产卵特性的产卵场。 因此，水獭，鱼和鸟可以一起居住。 此外，由于框架由用于提供浮力的木材制成，或者框架由用于增强强度的不锈钢和用于提供浮力的木材制成，因此需要少量的聚乙烯泡沫。 因此，可以获得具有简单结构的浮动湿地设备。 此外，木制框架本身也提供了鱼类的产卵场。

    SILICON SOLAR CELLS AND METHODS OF FABRICATION
    3.
    发明申请
    SILICON SOLAR CELLS AND METHODS OF FABRICATION 审中-公开
    硅太阳能电池和制造方法

    公开(公告)号：US20100233840A1

    公开(公告)日：2010-09-16

    申请号：US12758571

    申请日：2010-04-12

    申请人： Ajeet Rohatgi ,  Ji-Weon Jeong ,  Kenta Nakayashiki ,  Vijay Yelundur ,  Dong Seop Kim ,  Mohamed Hilali

    发明人： Ajeet Rohatgi ,  Ji-Weon Jeong ,  Kenta Nakayashiki ,  Vijay Yelundur ,  Dong Seop Kim ,  Mohamed Hilali

    IPC分类号： H01L31/18 ,  F27B9/12

    CPC分类号： H01L31/068 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    摘要： Devices, solar cell structures, and methods of fabrication thereof, are disclosed. Briefly described, one exemplary embodiment of the device, among others, includes: a co-fired p-type silicon substrate, wherein the bulk lifetime is about 20 to 125 μs; an n+ layer formed on the top-side of the p-silicon substrate; a silicon nitride anti-reflective (AR) layer positioned on the top-side of the n+ layer; a plurality of Ag contacts positioned on portions of the silicon nitride AR layer, wherein the Ag contacts are in electronic communication with the n+-type emitter layer; an uniform Al back-surface field (BSF or p+) layer positioned on the back-side of the p-silicon substrate on the opposite side of the p-type silicon substrate as the n+ layer; and an Al contact layer positioned on the back-side of the Al BSF layer. The device has a fill factor (FF) of about 0.75 to 0.85, an open circuit voltage (VOC) of about 600 to 650 mV, and a short circuit current (JSC) of about 28 to 36 mA/cm2.

    摘要翻译： 公开了装置，太阳能电池结构及其制造方法。 简要描述，该装置的一个示例性实施例包括：共烧p型硅衬底，其中体积寿命为约20至125μs; 形成在p型硅衬底的顶侧上的n +层; 位于n +层的顶侧的氮化硅抗反射（AR）层; 位于氮化硅AR层的部分上的多个Ag触点，其中Ag触点与n +型发射极层电子连通; 位于p型硅衬底的与n +层相反的相对侧上的p-硅衬底的背面上的均匀Al背表面场（BSF或p +）层; 以及位于Al BSF层的背面上的Al接触层。 该器件具有约0.75至0.85的填充因子（FF），约600至650mV的开路电压（VOC）和约28至36mA / cm 2的短路电流（JSC）。

    Silicon solar cells and methods of fabrication
    7.
    发明申请
    Silicon solar cells and methods of fabrication 审中-公开
    硅太阳能电池和制造方法

    公开(公告)号：US20050189015A1

    公开(公告)日：2005-09-01

    申请号：US10977751

    申请日：2004-10-29

    申请人： Ajeet Rohatgi ,  Ji-Weon Jeong ,  Kenta Nakayashiki ,  Vijay Yelundur ,  Dong Seop Kim ,  Mohamed Hilali

    发明人： Ajeet Rohatgi ,  Ji-Weon Jeong ,  Kenta Nakayashiki ,  Vijay Yelundur ,  Dong Seop Kim ,  Mohamed Hilali

    IPC分类号： H01L31/00 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

    CPC分类号： H01L31/068 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    摘要： Devices, solar cell structures, and methods of fabrication thereof, are disclosed. Briefly described, one exemplary embodiment of the device, among others, includes: a co-fired p-type silicon substrate, wherein the bulk lifetime is about 20 to 125 μs; an n+ layer formed on the top-side of the p-silicon substrate; a silicon nitride anti-reflective (AR) layer positioned on the top-side of the n+ layer; a plurality of Ag contacts positioned on portions of the silicon nitride AR layer, wherein the Ag contacts are in electronic communication with the n+-type emitter layer; an uniform Al back-surface field (BSF or p+) layer positioned on the back-side of the p-silicon substrate on the opposite side of the p-type silicon substrate as the n+ layer; and an Al contact layer positioned on the back-side of the Al BSF layer. The device has a fill factor (FF) of about 0.75 to 0.85, an open circuit voltage (VOC) of about 600 to 650 mV, and a short circuit current (JSC) of about 28 to 36 mA/cm2.

    摘要翻译： 公开了装置，太阳能电池结构及其制造方法。 简要描述，该装置的一个示例性实施例等等包括：共烧p型硅衬底，其中本体寿命为约20至125微米; 形成在p型硅衬底的顶侧上的n + + +层; 位于n + +层的顶侧的氮化硅抗反射（AR）层; 位于氮化硅AR层的部分上的多个Ag触点，其中Ag触点与n + +型发射极层电子连通; 位于p型硅衬底的相对侧的p硅衬底的背面上的均匀的Al背表面场（BSF或p + SUP）层， + 层; 以及位于Al BSF层的背侧上的Al接触层。 该装置具有约0.75至0.85的填充因子（FF），约600至650mV的开路电压（V SUB OC）和短路电流（J SUB SC） SUB>）为约28至36mA / cm 2。

    Complex floating wetland equipment
    8.
    发明授权
    Complex floating wetland equipment 有权
    复杂的浮动湿地设备

    公开(公告)号：US08950362B2

    公开(公告)日：2015-02-10

    申请号：US13997803

    申请日：2012-04-06

    申请人： Woo Myung Heo ,  Gil Son Hwang ,  Dong Oug Kim ,  Ho Joon Kim ,  Dong Seop Kim ,  Sun Hee Lee ,  Haeng Seop Song

    发明人： Woo Myung Heo ,  Gil Son Hwang ,  Dong Oug Kim ,  Ho Joon Kim ,  Dong Seop Kim ,  Sun Hee Lee ,  Haeng Seop Song

    IPC分类号： A01K29/00 ,  A01K61/00

    CPC分类号： A01K61/10 ,  A01K1/00 ,  A01K29/00 ,  A01K61/70 ,  B63B35/44 ,  Y02A40/83 ,  Y02P60/642

    摘要： An otter habitation section, an overland section, an inclined-surface section, a first spawning section, a second spawning section and a roost are all provided. Accordingly, otters and birds can sufficiently obtain preys, and fishes secure a spawning ground suitable for spawning characteristics. Therefore, the otters, the fishes and the birds can inhabit together. Further, since frames are made of wood for providing buoyant force or the frames are made of stainless steel for reinforcing strength and wood for providing buoyant force, a small amount of polyethylene foam is required. Accordingly, it is possible to obtain floating wetland equipment with a simple structure. Furthermore, the wooden frames itself provide a spawning ground of fishes.

    摘要翻译： 全部提供水獭居住区，陆上段，倾斜面，第一产卵区，第二产卵区和栖息地。 因此，水獭和鸟类可以充分获得猎物，鱼类可以保护适合产卵特性的产卵场。 因此，水獭，鱼和鸟可以一起居住。 此外，由于框架由用于提供浮力的木材制成，或者框架由用于增强强度的不锈钢和用于提供浮力的木材制成，因此需要少量的聚乙烯泡沫。 因此，可以获得具有简单结构的浮动湿地设备。 此外，木制框架本身也提供了鱼类的产卵场。

    Boron diffusion in silicon devices
    9.
    发明授权
    Boron diffusion in silicon devices 有权
    硅器件中的硼扩散

    公开(公告)号：US07790574B2

    公开(公告)日：2010-09-07

    申请号：US11301527

    申请日：2005-12-13

    申请人： Ajeet Rohatgi ,  Dong Seop Kim ,  Kenta Nakayashiki ,  Brian Rounsaville

    发明人： Ajeet Rohatgi ,  Dong Seop Kim ,  Kenta Nakayashiki ,  Brian Rounsaville

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L21/2255 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    摘要： Disclosed are various embodiments that include a process, an arrangement, and an apparatus for boron diffusion in a wafer. In one representative embodiment, a process is provided in which a boric oxide solution is applied to a surface of the wafer. Thereafter, the wafer is subjected to a fast heat ramp-up associated with a first heating cycle that results in a release of an amount of boron for diffusion into the wafer.

    摘要翻译： 公开了包括在晶片中硼扩散的工艺，布置和装置的各种实施例。 在一个代表性实施例中，提供了一种方法，其中将硼氧化物溶液施加到晶片的表面。 此后，晶片经受与第一加热循环相关联的快速加热斜坡，其导致一定量的硼的释放以扩散到晶片中。