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    Reducing Variation by Using Combination Epitaxy Growth
    2.
    发明申请
    Reducing Variation by Using Combination Epitaxy Growth 有权
    通过组合外延生长减少变异

    公开(公告)号：US20110287611A1

    公开(公告)日：2011-11-24

    申请号：US13030850

    申请日：2011-02-18

    申请人： Yu-Hung Cheng ,  Chii-Horng Li ,  Tze-Liang Lee ,  Yi-Hung Lin

    发明人： Yu-Hung Cheng ,  Chii-Horng Li ,  Tze-Liang Lee ,  Yi-Hung Lin

    IPC分类号： H01L21/20

    CPC分类号： H01L29/66636 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/7848

    摘要： A method for forming a semiconductor structure includes forming a gate stack over a semiconductor substrate in a wafer; forming a recess in the semiconductor substrate and adjacent the gate stack; and performing a selective epitaxial growth to grow a semiconductor material in the recess to form an epitaxy region. The step of performing the selective epitaxial growth includes performing a first growth stage with a first growth-to-etching (E/G) ratio of process gases used in the first growth stage; and performing a second growth stage with a second E/G ratio of process gases used in the second growth stage different from the first E/G ratio.

    摘要翻译： 一种用于形成半导体结构的方法包括在晶片上的半导体衬底上形成栅叠层; 在所述半导体衬底中形成凹槽并邻近所述栅叠层; 以及进行选择性外延生长以在所述凹部中生长半导体材料以形成外延区域。 执行选择性外延生长的步骤包括以第一生长阶段中使用的工艺气体的第一生长蚀刻（E / G）比率进行第一生长阶段; 以及在与第一E / G比不同的第二生长阶段中使用的处理气体的第二E / G比进行第二生长阶段。

    Reducing variation by using combination epitaxy growth
    3.
    发明授权
    Reducing variation by using combination epitaxy growth 有权
    通过组合外延生长减少变异

    公开(公告)号：US08828850B2

    公开(公告)日：2014-09-09

    申请号：US13030850

    申请日：2011-02-18

    申请人： Yu-Hung Cheng ,  Chii-Horng Li ,  Tze-Liang Lee ,  Yi-Hung Lin

    发明人： Yu-Hung Cheng ,  Chii-Horng Li ,  Tze-Liang Lee ,  Yi-Hung Lin

    IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/36

    CPC分类号： H01L29/66636 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/7848

    摘要： A method for forming a semiconductor structure includes forming a gate stack over a semiconductor substrate in a wafer; forming a recess in the semiconductor substrate and adjacent the gate stack; and performing a selective epitaxial growth to grow a semiconductor material in the recess to form an epitaxy region. The step of performing the selective epitaxial growth includes performing a first growth stage with a first growth-to-etching (E/G) ratio of process gases used in the first growth stage; and performing a second growth stage with a second E/G ratio of process gases used in the second growth stage different from the first E/G ratio.

    摘要翻译： 一种用于形成半导体结构的方法包括在晶片上的半导体衬底上形成栅叠层; 在所述半导体衬底中形成凹槽并邻近所述栅叠层; 以及进行选择性外延生长以在所述凹部中生长半导体材料以形成外延区域。 执行选择性外延生长的步骤包括以第一生长阶段中使用的工艺气体的第一生长蚀刻（E / G）比率进行第一生长阶段; 以及在与第一E / G比不同的第二生长阶段中使用的处理气体的第二E / G比进行第二生长阶段。

    Honey Cone Heaters for Integrated Circuit Manufacturing
    5.
    发明申请
    Honey Cone Heaters for Integrated Circuit Manufacturing 有权
    蜂窝锥形加热器用于集成电路制造

    公开(公告)号：US20130256292A1

    公开(公告)日：2013-10-03

    申请号：US13436263

    申请日：2012-03-30

    申请人： Yi-Hung Lin ,  Jr-Hung Li ,  Chii-Horng Li ,  Tze-Liang Lee

    发明人： Yi-Hung Lin ,  Jr-Hung Li ,  Chii-Horng Li ,  Tze-Liang Lee

    IPC分类号： H05B3/06 ,  H05B6/00

    CPC分类号： H01L21/67103 ,  H05B3/0047

    摘要： A honey cone heater includes a lamp housing having an outer edge that forms a partial circle. The lamp housing has an opening extending from a top surface to a bottom surface of the lamp housing. The opening further extends from the outer edge into a center region of the lamp housing. A plurality of lamps is distributed throughout the lamp housing, and is configured to emit light out of the top surface of the lamp housing.

    摘要翻译： 蜂蜜锥加热器包括具有形成部分圆的外边缘的灯壳体。 灯壳具有从灯壳的顶表面延伸到底表面的开口。 开口进一步从外缘延伸到灯壳的中心区域。 多个灯分布在整个灯壳体中，并被构造成从灯壳的顶表面发出光。

    Wafer Holder With Varying Surface Property
    7.
    发明申请
    Wafer Holder With Varying Surface Property 有权
    晶圆座具有不同的表面特性

    公开(公告)号：US20130252189A1

    公开(公告)日：2013-09-26

    申请号：US13428749

    申请日：2012-03-23

    申请人： Yi-Hung Lin ,  Li-Ting Wang ,  Tze-Liang Lee

    发明人： Yi-Hung Lin ,  Li-Ting Wang ,  Tze-Liang Lee

    IPC分类号： F27D1/00 ,  F27D5/00

    CPC分类号： H05B1/0233 ,  F27B17/0025 ,  F27D5/0037 ,  H01L21/306 ,  H01L21/477 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67303 ,  H01L21/683 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68757

    摘要： An apparatus, a system and a method are disclosed. An exemplary apparatus includes a first portion configured to hold an overlying wafer. The first portion includes a central region and an edge region circumscribing the central region. The first portion further including an upper surface and a lower surface. The apparatus further includes a second portion extending beyond an outer radius of the wafer. The second portion including an upper surface and a lower surface. The lower surface of the first portion in the central region has a first reflective characteristic. The lower surface of the first portion in the edge region and the second portion have a second reflective characteristic.

    摘要翻译： 公开了一种装置，系统和方法。 示例性装置包括被配置为保持覆盖晶片的第一部分。 第一部分包括中心区域和围绕中心区域的边缘区域。 第一部分还包括上表面和下表面。 该装置还包括延伸超过晶片的外半径的第二部分。 第二部分包括上表面和下表面。 中心区域的第一部分的下表面具有第一反射特性。 边缘区域中的第一部分的下表面和第二部分具有第二反射特性。

    Apparatus and Method for Controlling Wafer Temperature
    8.
    发明申请
    Apparatus and Method for Controlling Wafer Temperature 审中-公开
    用于控制晶片温度的装置和方法

    公开(公告)号：US20130130184A1

    公开(公告)日：2013-05-23

    申请号：US13301501

    申请日：2011-11-21

    申请人： Chang-Shen Lu ,  Tze-Liang Lee ,  Yi-Hung Lin ,  Tai-Chun Huang ,  Pang-Yen Tsai ,  Jr-Hung Li

    发明人： Chang-Shen Lu ,  Tze-Liang Lee ,  Yi-Hung Lin ,  Tai-Chun Huang ,  Pang-Yen Tsai ,  Jr-Hung Li

    IPC分类号： F27D21/00

    CPC分类号： F27D21/00 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248

    摘要： A wafer temperature control apparatus comprises a first temperature sensor and a second temperature sensor. The first temperature sensor is configured to receive a first temperature signal from a center portion of a backside of a susceptor. The second temperature sensor is configured to receive a second temperature signal from an edge portion of the susceptor. A plurality of controllers are configured to adjust each heating source's output based upon the first temperature signal and the second temperature signal.

    摘要翻译： 晶片温度控制装置包括第一温度传感器和第二温度传感器。 第一温度传感器被配置为从基座的背面的中心部分接收第一温度信号。 第二温度传感器构造成从基座的边缘部分接收第二温度信号。 多个控制器被配置为基于第一温度信号和第二温度信号来调节每个加热源的输出。

    Wafer holder with tapered region
    10.
    发明授权
    Wafer holder with tapered region 有权
    晶圆座具有锥形区域

    公开(公告)号：US09099514B2

    公开(公告)日：2015-08-04

    申请号：US13426334

    申请日：2012-03-21

    申请人： Yi-Hung Lin ,  Li-Ting Wang ,  Tze-Liang Lee

    发明人： Yi-Hung Lin ,  Li-Ting Wang ,  Tze-Liang Lee

    IPC分类号： A47G19/08 ,  H01L21/687 ,  H01L21/683 ,  H01L21/477 ,  H01L21/306 ,  H01L21/673

    CPC分类号： H05B1/0233 ,  F27B17/0025 ,  F27D5/0037 ,  H01L21/306 ,  H01L21/477 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67303 ,  H01L21/683 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68757

    摘要： An apparatus, a system and a method are disclosed. An exemplary apparatus includes a wafer holder including a first portion and a second portion. The first and second portions are formed of the same continuous material. The first portion includes a first upper surface and a first lower surface, and the second portion including a second upper surface and a second lower surface. The apparatus further includes an interface between the first and second portions. The interface provides for a transition such that the first upper surface of the first portion tends toward the second upper surface of the second portion. The apparatus further includes a tapered region formed in the first portion. The tapered region starts at a radial distance from a center line of the wafer holder and terminates at the interface. The tapered region has an initial thickness that gradually decreases to a final thickness.

    摘要翻译： 公开了一种装置，系统和方法。 示例性装置包括具有第一部分和第二部分的晶片保持器。 第一和第二部分由相同的连续材料形成。 第一部分包括第一上表面和第一下表面，第二部分包括第二上表面和第二下表面。 该装置还包括第一和第二部分之间的界面。 界面提供了使得第一部分的第一上表面趋向于第二部分的第二上表面的过渡。 该装置还包括形成在第一部分中的锥形区域。 锥形区域从距离晶片保持器的中心线的径向距离开始，并且在界面处终止。 锥形区域具有逐渐减小到最终厚度的初始厚度。