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    METHOD OF MANUFACTURING MAGNETIC MEMORY
    1.
    发明申请
    METHOD OF MANUFACTURING MAGNETIC MEMORY 失效
    制造磁记忆的方法

    公开(公告)号：US20120244639A1

    公开(公告)日：2012-09-27

    申请号：US13226868

    申请日：2011-09-07

    申请人： Yuichi OHSAWA ,  Shigeki Takahashi ,  Junichi Ito ,  Daisuke Saida ,  Kyoichi Suguro ,  Hiroaki Yoda

    发明人： Yuichi OHSAWA ,  Shigeki Takahashi ,  Junichi Ito ,  Daisuke Saida ,  Kyoichi Suguro ,  Hiroaki Yoda

    IPC分类号： H01L43/12

    CPC分类号： H01L43/12 ,  H01L29/82

    摘要： According to one embodiment, a method of manufacturing a magnetic memory, the method includes forming a first magnetic layer having a variable magnetization, forming a tunnel barrier layer on the first magnetic layer, forming a second magnetic layer on the tunnel barrier layer, the second magnetic layer having an invariable magnetization, forming a hard mask layer as a mask on the second magnetic layer, patterning the second magnetic layer by using the mask of the hard mask layer, and executing a GCIB-irradiation by using the mask of the hard mask layer, after the patterning.

    摘要翻译： 根据一个实施例，一种制造磁存储器的方法，该方法包括形成具有可变磁化强度的第一磁性层，在第一磁性层上形成隧道势垒层，在隧道势垒层上形成第二磁性层， 具有不变磁化的磁性层，在第二磁性层上形成硬掩模层作为掩模，通过使用硬掩模层的掩模对第二磁性层进行构图，并使用硬掩模的掩模执行GCIB照射 层，图案后。

    Method of manufacturing magnetic memory
    2.
    发明授权
    Method of manufacturing magnetic memory 失效
    制造磁记忆体的方法

    公开(公告)号：US08716034B2

    公开(公告)日：2014-05-06

    申请号：US13226868

    申请日：2011-09-07

    申请人： Yuichi Ohsawa ,  Shigeki Takahashi ,  Junichi Ito ,  Daisuke Saida ,  Kyoichi Suguro ,  Hiroaki Yoda

    发明人： Yuichi Ohsawa ,  Shigeki Takahashi ,  Junichi Ito ,  Daisuke Saida ,  Kyoichi Suguro ,  Hiroaki Yoda

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L43/12 ,  H01L29/82

    摘要： According to one embodiment, a method of manufacturing a magnetic memory, the method includes forming a first magnetic layer having a variable magnetization, forming a tunnel barrier layer on the first magnetic layer, forming a second magnetic layer on the tunnel barrier layer, the second magnetic layer having an invariable magnetization, forming a hard mask layer as a mask on the second magnetic layer, patterning the second magnetic layer by using the mask of the hard mask layer, and executing a GCIB-irradiation by using the mask of the hard mask layer, after the patterning.

    摘要翻译： 根据一个实施例，一种制造磁存储器的方法，该方法包括形成具有可变磁化强度的第一磁性层，在第一磁性层上形成隧道势垒层，在隧道势垒层上形成第二磁性层， 具有不变磁化的磁性层，在第二磁性层上形成硬掩模层作为掩模，通过使用硬掩模层的掩模对第二磁性层进行构图，并使用硬掩模的掩模执行GCIB照射 层，图案后。

    Method for manufacturing nonvolatile memory device
    5.
    发明授权
    Method for manufacturing nonvolatile memory device 有权
    非易失性存储器件的制造方法

    公开(公告)号：US08981507B2

    公开(公告)日：2015-03-17

    申请号：US13534673

    申请日：2012-06-27

    申请人： Shigeki Takahashi ,  Kyoichi Suguro ,  Junichi Ito ,  Yuichi Ohsawa ,  Hiroaki Yoda

    发明人： Shigeki Takahashi ,  Kyoichi Suguro ,  Junichi Ito ,  Yuichi Ohsawa ,  Hiroaki Yoda

    IPC分类号： H01L43/12

    CPC分类号： H01L43/12

    摘要： According to one embodiment, a method for manufacturing a nonvolatile memory device including a plurality of memory cells is disclosed. Each of the plurality of memory cells includes a base layer including a first electrode, a magnetic tunnel junction device provided on the base layer, and a second electrode provided on the magnetic tunnel junction device. The magnetic tunnel junction device includes a first magnetic layer, a tunneling barrier layer provided on the first magnetic layer, and a second magnetic layer provided on the tunneling barrier layer. The method can include etching a portion of the second magnetic layer and a portion of the first magnetic layer by irradiating gas clusters onto a portion of a surface of the second magnetic layer or a portion of a surface of the first magnetic layer.

    摘要翻译： 根据一个实施例，公开了一种用于制造包括多个存储单元的非易失性存储器件的方法。 多个存储单元中的每一个包括基底层，其包括第一电极，设置在基底层上的磁性隧道结器件和设置在磁性隧道结装置上的第二电极。 磁隧道结装置包括第一磁性层，设置在第一磁性层上的隧道势垒层，以及设置在隧道势垒层上的第二磁性层。 该方法可以包括通过将气体簇照射到第二磁性层的表面的一部分或第一磁性层的表面的一部分上来蚀刻第二磁性层的一部分和第一磁性层的一部分。

    Magnetic recording element and nonvolatile memory device
    6.
    发明授权
    Magnetic recording element and nonvolatile memory device 有权
    磁记录元件和非易失性存储器件

    公开(公告)号：US08488375B2

    公开(公告)日：2013-07-16

    申请号：US13037592

    申请日：2011-03-01

    申请人： Daisuke Saida ,  Minoru Amano ,  Junichi Ito ,  Yuichi Ohsawa ,  Saori Kashiwada ,  Chikayoshi Kamata ,  Shigeki Takahashi

    发明人： Daisuke Saida ,  Minoru Amano ,  Junichi Ito ,  Yuichi Ohsawa ,  Saori Kashiwada ,  Chikayoshi Kamata ,  Shigeki Takahashi

    IPC分类号： G11C11/14

    CPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01L27/228

    摘要： According to one embodiment, a magnetic recording element includes a stacked body including a first stacked unit and a second stacked unit. The first stacked unit includes a first ferromagnetic layer, a second ferromagnetic layer and a first nonmagnetic layer. Magnetization of the first ferromagnetic layer is substantially fixed in a first direction being perpendicular to a first ferromagnetic layer surface. The second stacked unit includes a third ferromagnetic layer, a fourth ferromagnetic layer and a second nonmagnetic layer. Magnetization of the fourth ferromagnetic layer is substantially fixed in a second direction being perpendicular to a fourth ferromagnetic layer surface. The first direction is opposite to the second direction.

    摘要翻译： 根据一个实施例，磁记录元件包括包括第一堆叠单元和第二堆叠单元的堆叠体。 第一堆叠单元包括第一铁磁层，第二铁磁层和第一非磁性层。 第一铁磁层的磁化在垂直于第一铁磁层表面的第一方向上基本固定。 第二堆叠单元包括第三铁磁层，第四铁磁层和第二非磁性层。 第四铁磁层的磁化在垂直于第四铁磁层表面的第二方向上基本固定。 第一方向与第二方向相反。

    Magnetic memory and method of manufacturing the same
    7.
    发明授权
    Magnetic memory and method of manufacturing the same 有权
    磁存储器及其制造方法

    公开(公告)号：US08710605B2

    公开(公告)日：2014-04-29

    申请号：US13231894

    申请日：2011-09-13

    申请人： Shigeki Takahashi ,  Yuichi Ohsawa ,  Junichi Ito ,  Chikayoshi Kamata ,  Saori Kashiwada ,  Minoru Amano ,  Hiroaki Yoda

    发明人： Shigeki Takahashi ,  Yuichi Ohsawa ,  Junichi Ito ,  Chikayoshi Kamata ,  Saori Kashiwada ,  Minoru Amano ,  Hiroaki Yoda

    IPC分类号： H01L29/72

    CPC分类号： H01L43/12 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

    摘要： A magnetic memory according to an embodiment includes: at least one memory cell comprising a magnetoresistive element as a memory element, and first and second electrodes that energize the magnetoresistive element. The magnetoresistive element includes: a first magnetic layer having a variable magnetization direction perpendicular to a film plane; a tunnel barrier layer on the first magnetic layer; and a second magnetic layer on the tunnel barrier layer, and having a fixed magnetization direction perpendicular to the film plane. The first magnetic layer including: a first region; and a second region outside the first region so as to surround the first region, and having a smaller perpendicular magnetic anisotropy energy than that of the first region. The second magnetic layer including: a third region; and a fourth region outside the third region, and having a smaller perpendicular magnetic anisotropy energy than that of the third region.

    摘要翻译： 根据实施例的磁存储器包括：包括作为存储元件的磁阻元件的至少一个存储单元，以及激励磁阻元件的第一和第二电极。 磁阻元件包括：具有与膜平面垂直的可变磁化方向的第一磁性层; 在第一磁性层上的隧道阻挡层; 以及隧道势垒层上的第二磁性层，并且具有与膜平面垂直的固定的磁化方向。 所述第一磁性层包括：第一区域; 以及围绕第一区域的第一区域外的第二区域，并且具有比第一区域小的垂直磁各向异性能量。 第二磁性层包括：第三区域; 以及第三区域外的第四区域，并且具有比第三区域小的垂直磁各向异性能量。

    Magnetic memory
    8.
    发明授权
    Magnetic memory 有权
    磁记忆

    公开(公告)号：US06717845B2

    公开(公告)日：2004-04-06

    申请号：US10345253

    申请日：2003-01-16

    申请人： Yoshiaki Saito ,  Katsuya Nishiyama ,  Shigeki Takahashi ,  Minoru Amano ,  Tomomasa Ueda ,  Hiroaki Yoda ,  Yoshiaki Asao ,  Yoshihisa Iwata ,  Tatsuya Kishi

    发明人： Yoshiaki Saito ,  Katsuya Nishiyama ,  Shigeki Takahashi ,  Minoru Amano ,  Tomomasa Ueda ,  Hiroaki Yoda ,  Yoshiaki Asao ,  Yoshihisa Iwata ,  Tatsuya Kishi

    IPC分类号： G11C1115

    CPC分类号： G11C11/16

    摘要： A magnetic memory includes: a magnetoresistance effect element having a magnetic recording layer; a first wiring extending in a first direction on or below the magnetoresistance effect element; a covering layer provided at least both sides of the first wiring, the covering layer being made of magnetic material, and the covering layer having a uniaxial anisotropy in the first direction along which a magnetization of the covering layer occurs easily; and a writing circuit configured to pass a current through the first wiring in order to record an information in the magnetic recording layer by a magnetic field generated by the current.

    摘要翻译： 磁存储器包括：具有磁记录层的磁阻效应元件; 在所述磁阻效应元件上或第二方向上延伸的第一布线; 所述覆盖层至少设置在所述第一布线的两侧，所述覆盖层由磁性材料制成，所述覆盖层在容易发生所述覆盖层的磁化的第一方向上具有单轴各向异性; 以及写入电路，被配置为使电流通过第一布线，以便通过由电流产生的磁场将信息记录在磁记录层中。

    Magnetic memory
    10.
    发明授权
    Magnetic memory 失效
    磁记忆

    公开(公告)号：US06934184B2

    公开(公告)日：2005-08-23

    申请号：US10893915

    申请日：2004-07-20

    申请人： Minoru Amano ,  Tatsuya Kishi ,  Hiroaki Yoda ,  Yoshiaki Saito ,  Shigeki Takahashi ,  Tomomasa Ueda ,  Katsuya Nishiyama ,  Yoshiaki Asao ,  Yoshihisa Iwata

    发明人： Minoru Amano ,  Tatsuya Kishi ,  Hiroaki Yoda ,  Yoshiaki Saito ,  Shigeki Takahashi ,  Tomomasa Ueda ,  Katsuya Nishiyama ,  Yoshiaki Asao ,  Yoshihisa Iwata

    IPC分类号： H01L27/105 ,  G11C11/15 ,  H01L21/8246 ,  H01L43/08

    CPC分类号： G11C11/15

    摘要： A highly reliable magnetic memory exhibits enhanced data-holding stability at high storage density in a storage layer of a magnetoresistive effect element used for memory cells. A magnetic memory includes a memory cell array having first wirings, second wirings intersecting the first wirings and memory cells each provided at an intersection area of the corresponding first and second wirings. Each memory cell is selected when the corresponding first and second wirings are selected. Each memory cell includes a magnetoresistive effect element having a storage layer in which data is stored by magnetic fields generated when current flows the selected first and second wirings, a first magnetic member, having two ends, provided as partially surrounding each first wiring and the two ends being situated in a direction of easy axis of magnetization, to form a closed-loop magnetic circuitry with the storage layer, and a second magnetic member, having two ends, provided as partially surrounding each second wiring and the two ends being situated in a direction of hard axis of magnetization, to amplify magnetic fields applied to the storage layer in the direction of hard axis of magnetization. Each end of the first magnetic member is situated as closer than each end of the second magnetic member to the storage layer.

    摘要翻译： 在用于存储单元的磁阻效应元件的存储层中，高度可靠的磁存储器在高存储密度下表现出增强的数据保持稳定性。 磁存储器包括具有第一布线的存储单元阵列，与第一布线相交的第二布线和各自设置在相应的第一布线和第二布线的交叉区域的存储单元。 当选择对应的第一和第二布线时，选择每个存储单元。 每个存储单元包括磁阻效应元件，其具有存储层，其中当电流流过所选择的第一和第二布线时，通过产生的磁场来存储数据;第一磁性构件，具有设置为部分地包围每个第一布线的两端， 端部位于容易的磁化轴的方向上，以形成具有存储层的闭环磁路，以及具有两端的第二磁性构件，其设置为部分地包围每个第二布线，并且两端位于 磁化强度轴的方向，放大沿着硬磁化轴的方向施加到存储层的磁场。 第一磁性构件的每个端部被定位成比第二磁性构件的每个端部更靠近存储层。