公开(公告)号：US20130051143A1

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：US13215348

申请日：2011-08-23

申请人： Zhenlei Shen ,  William H. Radke ,  Peter Feeley

发明人： Zhenlei Shen ,  William H. Radke ,  Peter Feeley

IPC分类号： G11C16/06 ,  G11C16/04

CPC分类号： G06F11/1068 ,  G06F11/1004 ,  G06F11/1048 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/06 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26 ,  G11C16/3418 ,  G11C29/04 ,  G11C29/52

摘要： Methods for memory cell coupling compensation and apparatuses configured to perform the same are described. One or more methods for memory cell coupling compensation includes determining a state of a memory cell using a voltage that is changed in accordance with a first memory cell coupling compensation voltage, performing an error check on the state of the memory cell, and determining the state of the memory cell using a voltage that is changed in accordance with a second memory cell coupling compensation voltage in response to the error check failing.

摘要翻译： 描述了用于存储器单元耦合补偿的方法和被配置为执行其的装置。 用于存储单元耦合补偿的一种或多种方法包括使用根据第一存储单元耦合补偿电压而改变的电压来确定存储单元的状态，对存储单元的状态执行错误检查，以及确定状态 使用响应于错误检查失败的根据第二存储器单元耦合补偿电压而改变的电压的存储器单元。

公开(公告)号：US08305809B2

公开(公告)日：2012-11-06

申请号：US13305164

申请日：2011-11-28

申请人： Zhenlei Shen ,  William H. Radke ,  Peter Feeley

发明人： Zhenlei Shen ,  William H. Radke ,  Peter Feeley

IPC分类号： G11C16/06

CPC分类号： G11C16/34 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/26 ,  G11C16/3495

摘要： The present disclosure includes methods, devices, and systems for dealing with threshold voltage change in memory devices. A number of embodiments include an array of memory cells and control circuitry having sense circuitry coupled to the array. The control circuitry is configured to determine changes in threshold voltages (Vts) associated with the memory cells without using a reference cell, and adjust the sense circuitry based on the determined changes and without using a reference cell.

摘要翻译： 本公开包括用于处理存储器件中的阈值电压变化的方法，装置和系统。 多个实施例包括具有耦合到阵列的感测电路的存储器单元阵列和控制电路。 控制电路被配置为确定与存储器单元相关联的阈值电压（Vts）的变化而不使用参考单元，并且基于所确定的变化并且不使用参考单元来调整感测电路。

公开(公告)号：US20120069658A1

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：US13305164

申请日：2011-11-28

申请人： Zhenlei Shen ,  William H. Radke ,  Peter Feeley

发明人： Zhenlei Shen ,  William H. Radke ,  Peter Feeley

IPC分类号： G11C16/26 ,  G11C16/06

CPC分类号： G11C16/34 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/26 ,  G11C16/3495

摘要： The present disclosure includes methods, devices, and systems for dealing with threshold voltage change in memory devices. A number of embodiments include an array of memory cells and control circuitry having sense circuitry coupled to the array. The control circuitry is configured to determine changes in threshold voltages (Vts) associated with the memory cells without using a reference cell, and adjust the sense circuitry based on the determined changes and without using a reference cell.

摘要翻译： 本公开包括用于处理存储器件中的阈值电压变化的方法，装置和系统。 多个实施例包括具有耦合到阵列的感测电路的存储器单元阵列和控制电路。 控制电路被配置为确定与存储器单元相关联的阈值电压（Vts）的变化而不使用参考单元，并且基于所确定的变化并且不使用参考单元来调整感测电路。

公开(公告)号：US08077515B2

公开(公告)日：2011-12-13

申请号：US12547280

申请日：2009-08-25

申请人： Zhenlei Shen ,  William H. Radke ,  Peter Feeley

发明人： Zhenlei Shen ,  William H. Radke ,  Peter Feeley

IPC分类号： G11C16/06

CPC分类号： G11C16/34 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/26 ,  G11C16/3495

摘要： The present disclosure includes methods, devices, and systems for dealing with threshold voltage change in memory devices. A number of embodiments include an array of memory cells and control circuitry having sense circuitry coupled to the array. The control circuitry is configured to determine changes in threshold voltages (Vts) associated with the memory cells without using a reference cell, and adjust the sense circuitry based on the determined changes and without using a reference cell.

摘要翻译： 本公开包括用于处理存储器件中的阈值电压变化的方法，装置和系统。 多个实施例包括具有耦合到阵列的感测电路的存储器单元阵列和控制电路。 控制电路被配置为确定与存储器单元相关联的阈值电压（Vts）的变化而不使用参考单元，并且基于所确定的变化并且不使用参考单元来调整感测电路。

公开(公告)号：US08451664B2

公开(公告)日：2013-05-28

申请号：US12778577

申请日：2010-05-12

申请人： William H. Radke ,  Zhenlei Shen ,  Peter Feeley

发明人： William H. Radke ,  Zhenlei Shen ,  Peter Feeley

IPC分类号： G11C11/34

CPC分类号： G11C16/26 ,  G11C7/14 ,  G11C11/26 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/349 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C29/42 ,  G11C29/50004

摘要： The present disclosure includes methods, devices, and systems for determining and using soft data in memory devices and systems. One or more embodiments include an array of memory cells and control circuitry coupled to the array. The control circuitry is configured to perform a number of sense operations on the memory cells using a number of sensing voltages to determine soft data associated with a target state of the memory cells, and adjust a sensing voltage used to determine the target state based, at least partially, on the determined soft data.

公开(公告)号：US20110051513A1

公开(公告)日：2011-03-03

申请号：US12547280

申请日：2009-08-25

申请人： Zhenlei Shen ,  William H. Radke ,  Peter Feeley

发明人： Zhenlei Shen ,  William H. Radke ,  Peter Feeley

IPC分类号： G11C16/06 ,  G11C16/04

CPC分类号： G11C16/34 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/26 ,  G11C16/3495

摘要： The present disclosure includes methods, devices, and systems for dealing with threshold voltage change in memory devices. A number of embodiments include an array of memory cells and control circuitry having sense circuitry coupled to the array. The control circuitry is configured to determine changes in threshold voltages (Vts) associated with the memory cells without using a reference cell, and adjust the sense circuitry based on the determined changes and without using a reference cell.

摘要翻译： 本公开包括用于处理存储器件中的阈值电压变化的方法，器件和系统。 多个实施例包括具有耦合到阵列的感测电路的存储器单元阵列和控制电路。 控制电路被配置为确定与存储器单元相关联的阈值电压（Vts）的变化而不使用参考单元，并且基于所确定的变化并且不使用参考单元来调整感测电路。

公开(公告)号：US08681547B2

公开(公告)日：2014-03-25

申请号：US13215348

申请日：2011-08-23

申请人： Zhenlei Shen ,  William H. Radke ,  Peter Feeley

发明人： Zhenlei Shen ,  William H. Radke ,  Peter Feeley

IPC分类号： G11C16/06

CPC分类号： G06F11/1068 ,  G06F11/1004 ,  G06F11/1048 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/06 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26 ,  G11C16/3418 ,  G11C29/04 ,  G11C29/52

摘要： Methods for memory cell coupling compensation and apparatuses configured to perform the same are described. One or more methods for memory cell coupling compensation includes determining a state of a memory cell using a voltage that is changed in accordance with a first memory cell coupling compensation voltage, performing an error check on the state of the memory cell, and determining the state of the memory cell using a voltage that is changed in accordance with a second memory cell coupling compensation voltage in response to the error check failing.

摘要翻译： 描述了用于存储器单元耦合补偿的方法和被配置为执行其的装置。 用于存储单元耦合补偿的一种或多种方法包括使用根据第一存储单元耦合补偿电压而改变的电压来确定存储单元的状态，对存储单元的状态执行错误检查，以及确定状态 使用响应于错误检查失败的根据第二存储器单元耦合补偿电压而改变的电压的存储器单元。

公开(公告)号：US08358542B2

公开(公告)日：2013-01-22

申请号：US13007274

申请日：2011-01-14

申请人： William H. Radke ,  Zhenlei Shen ,  Peter Feeley

发明人： William H. Radke ,  Zhenlei Shen ,  Peter Feeley

IPC分类号： G11C16/06

CPC分类号： G11C16/28 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/26

摘要： The present disclosure includes methods, devices, and systems for adjusting sensing voltages in devices. One or more embodiments include memory cells, and a controller configured to perform a sense operation on the memory cells using a sensing voltage to determine a quantity of the memory cells having a threshold voltage (Vt) greater than the sensing voltage and adjust a sensing voltage used to determine a state of the memory cells based, at least partially, on the determined quantity of memory cells.

摘要翻译： 本公开包括用于调整设备中的感测电压的方法，设备和系统。 一个或多个实施例包括存储器单元和被配置为使用感测电压对存储器单元执行感测操作的控制器，以确定具有大于感测电压的阈值电压（Vt）的存储器单元的数量并且调整感测电压 用于至少部分地基于所确定的存储器单元的数量来确定存储器单元的状态。

公开(公告)号：US20120182810A1

公开(公告)日：2012-07-19

申请号：US13007274

申请日：2011-01-14

申请人： William H. Radke ,  Zhenlei Shen ,  Peter Feeley

发明人： William H. Radke ,  Zhenlei Shen ,  Peter Feeley

IPC分类号： G11C16/06

CPC分类号： G11C16/28 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/26

摘要： The present disclosure includes methods, devices, and systems for adjusting sensing voltages in devices. One or more embodiments include memory cells, and a controller configured to perform a sense operation on the memory cells using a sensing voltage to determine a quantity of the memory cells having a threshold voltage (Vt) greater than the sensing voltage and adjust a sensing voltage used to determine a state of the memory cells based, at least partially, on the determined quantity of memory cells.

摘要翻译： 本公开包括用于调整设备中的感测电压的方法，设备和系统。 一个或多个实施例包括存储器单元和被配置为使用感测电压对存储器单元执行感测操作的控制器，以确定具有大于感测电压的阈值电压（Vt）的存储器单元的数量并且调整感测电压 用于至少部分地基于所确定的存储器单元的数量来确定存储器单元的状态。

公开(公告)号：US20110280084A1

公开(公告)日：2011-11-17

申请号：US12778577

申请日：2010-05-12

申请人： William H. Radke ,  Zhenlei Shen ,  Peter Feeley

发明人： William H. Radke ,  Zhenlei Shen ,  Peter Feeley

IPC分类号： G11C16/06

CPC分类号： G11C16/26 ,  G11C7/14 ,  G11C11/26 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/349 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C29/42 ,  G11C29/50004

摘要： The present disclosure includes methods, devices, and systems for determining and using soft data in memory devices and systems. One or more embodiments include an array of memory cells and control circuitry coupled to the array. The control circuitry is configured to perform a number of sense operations on the memory cells using a number of sensing voltages to determine soft data associated with a target state of the memory cells, and adjust a sensing voltage used to determine the target state based, at least partially, on the determined soft data.

摘要翻译： 本公开包括用于在存储器设备和系统中确定和使用软数据的方法，设备和系统。 一个或多个实施例包括耦合到阵列的存储器单元阵列和控制电路。 控制电路被配置为使用多个感测电压对存储器单元执行多个感测操作，以确定与存储器单元的目标状态相关联的软数据，并且基于以下方式调整用于确定目标状态的感测电压： 最少部分地在确定的软数据上。