-
1.发明授权公开(公告)号：US07531679B2
公开(公告)日：2009-05-12
申请号：US10294431
申请日：2002-11-14
申请人： Ziyun Wang , Chongying Xu , Ravi K. Laxman , Thomas H. Baum , Bryan Hendrix , Jeffrey Roeder
发明人： Ziyun Wang , Chongying Xu , Ravi K. Laxman , Thomas H. Baum , Bryan Hendrix , Jeffrey Roeder
CPC分类号： H01L21/0217 , C07F7/025 , C07F7/10 , C07F7/12 , C23C16/308 , C23C16/345 , C23C16/402 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/02219 , H01L21/02222 , H01L21/02271 , H01L21/0228 , H01L21/3144 , H01L21/31612 , H01L21/3185
摘要： Silicon precursors for forming silicon-containing films in the manufacture of semiconductor devices, such as low dielectric constant (k) thin films, high k gate silicates, low temperature silicon epitaxial films, and films containing silicon nitride (Si3N4), siliconoxynitride (SiOxNy) and/or silicon dioxide (SiO2). The precursors of the invention are amenable to use in low temperature (e.g.,
摘要翻译： 半导体器件如低介电常数（k）薄膜，高k栅极硅酸盐，低温硅外延膜和含有氮化硅（Si 3 N 4），硅氧氮化物（SiO x N y）的膜的制造中的含硅膜的硅前体， 和/或二氧化硅（SiO 2）。 本发明的前体适于在低温（例如，<500℃）的化学气相沉积工艺中使用，用于制造ULSI器件和器件结构。
-
2.发明申请公开(公告)号：US20120178267A1
公开(公告)日：2012-07-12
申请号：US13423436
申请日：2012-03-19
申请人： Ziyun Wang , Chongying Xu , Ravi K. Laxman , Thomas H. Baum , Bryan Hendrix , Jeffrey Roeder
发明人： Ziyun Wang , Chongying Xu , Ravi K. Laxman , Thomas H. Baum , Bryan Hendrix , Jeffrey Roeder
IPC分类号： H01L21/318 , C07F7/02 , H01L21/314
CPC分类号： H01L21/0217 , C07F7/025 , C07F7/10 , C07F7/12 , C23C16/308 , C23C16/345 , C23C16/402 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/02219 , H01L21/02222 , H01L21/02271 , H01L21/0228 , H01L21/3144 , H01L21/31612 , H01L21/3185
摘要： Silicon precursors for forming silicon-containing films in the manufacture of semiconductor devices, such as low dielectric constant (k) thin films, high k gate silicates, low temperature silicon epitaxial films, and films containing silicon nitride (Si3N4), siliconoxynitride (SiOxNy) and/or silicon dioxide (SiO2). The precursors of the invention are amenable to use in low temperature (e.g.,
摘要翻译： 半导体器件如低介电常数（k）薄膜，高k栅极硅酸盐，低温硅外延膜和含有氮化硅（Si 3 N 4），硅氧氮化物（SiO x N y）的膜的制造中的含硅膜的硅前体， 和/或二氧化硅（SiO 2）。 本发明的前体适于在低温（例如，<500℃）的化学气相沉积工艺中使用，用于制造ULSI器件和器件结构。
-
3.发明申请公开(公告)号：US20090281344A1
公开(公告)日：2009-11-12
申请号：US12464726
申请日：2009-05-12
申请人： Ziyun Wang , Chongying Xu , Ravi K. Laxman , Thomas H. Baum , Bryan Hendrix , Jeffrey Roeder
发明人： Ziyun Wang , Chongying Xu , Ravi K. Laxman , Thomas H. Baum , Bryan Hendrix , Jeffrey Roeder
IPC分类号： C07F7/02
CPC分类号： H01L21/0217 , C07F7/025 , C07F7/10 , C07F7/12 , C23C16/308 , C23C16/345 , C23C16/402 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/02219 , H01L21/02222 , H01L21/02271 , H01L21/0228 , H01L21/3144 , H01L21/31612 , H01L21/3185
摘要： Silicon precursors for forming silicon-containing films in the manufacture of semiconductor devices, such as low dielectric constant (k) thin films, high k gate silicates, low temperature silicon epitaxial films, and films containing silicon nitride (Si3N4), siliconoxynitride (SiOxNy) and/or silicon dioxide (SiO2). The precursors of the invention are amenable to use in low temperature (e.g.,
摘要翻译： 半导体器件如低介电常数（k）薄膜，高k栅极硅酸盐，低温硅外延膜和含有氮化硅（Si 3 N 4），硅氧氮化物（SiO x N y）的膜的制造中的含硅膜的硅前体， 和/或二氧化硅（SiO 2）。 本发明的前体适于在低温（例如，<500℃）的化学气相沉积工艺中使用，用于制造ULSI器件和器件结构。
-
4.发明申请公开(公告)号：US20100285663A1
公开(公告)日：2010-11-11
申请号：US12838441
申请日：2010-07-17
申请人： Ziyun WANG , Chongying Xu , Ravi K. Laxman , Thomas H. Baum , Bryan Hendrix , Jeffrey Roeder
发明人： Ziyun WANG , Chongying Xu , Ravi K. Laxman , Thomas H. Baum , Bryan Hendrix , Jeffrey Roeder
IPC分类号： H01L21/285 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/0217 , C07F7/025 , C07F7/10 , C07F7/12 , C23C16/308 , C23C16/345 , C23C16/402 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/02219 , H01L21/02222 , H01L21/02271 , H01L21/0228 , H01L21/3144 , H01L21/31612 , H01L21/3185
摘要： Silicon precursors for forming silicon-containing films in the manufacture of semiconductor devices, such as low dielectric constant (k) thin films, high k gate silicates, low temperature silicon epitaxial films, and films containing silicon nitride (Si3N4), siliconoxynitride (SiOxNy) and/or silicon dioxide (SiO2). The precursors of the invention are amenable to use in low temperature (e.g.,
摘要翻译： 半导体器件如低介电常数（k）薄膜，高k栅极硅酸盐，低温硅外延膜和含有氮化硅（Si 3 N 4），硅氧氮化物（SiO x N y）的膜的制造中的含硅膜的硅前体， 和/或二氧化硅（SiO 2）。 本发明的前体适于在低温（例如，<500℃）的化学气相沉积工艺中使用，用于制造ULSI器件和器件结构。
-
5.发明授权公开(公告)号：US07601860B2
公开(公告)日：2009-10-13
申请号：US10870106
申请日：2004-06-17
申请人： Ziyun Wang , Chongying Xu , Bryan Hendrix , Jeffrey Roeder , Tianniu Chen , Thomas H. Baum
发明人： Ziyun Wang , Chongying Xu , Bryan Hendrix , Jeffrey Roeder , Tianniu Chen , Thomas H. Baum
IPC分类号： C07F7/10
CPC分类号： C07F7/10 , H01L21/02271
摘要： Silicon precursors for forming silicon-containing films in the manufacture of semiconductor devices, such as films including silicon carbonitride, silicon oxycarbonitride, and silicon nitride (Si3N4), and a method of depositing the silicon precursors on substrates using low temperature (e.g.,
摘要翻译： 在制造半导体器件（例如包括碳氮化硅，碳氮化硅和氮化硅（Si 3 N 4）的薄膜）的制造中的硅前体，以及使用低温（例如，550℃）将硅前体沉积在衬底上的方法 ℃）化学气相沉积工艺，用于制造ULSI器件和器件结构。
-
6.发明申请公开(公告)号：US20100314590A1
公开(公告)日：2010-12-16
申请号：US12862739
申请日：2010-08-24
申请人： Ziyun WANG , Chongying Xu , Bryan Hendrix , Jeffrey Roeder , Tianniu Chen , Thomas H. Baum
发明人： Ziyun WANG , Chongying Xu , Bryan Hendrix , Jeffrey Roeder , Tianniu Chen , Thomas H. Baum
CPC分类号： C07F7/10 , H01L21/02271
摘要： Silicon precursors for forming silicon-containing films in the manufacture of semiconductor devices, such as films including silicon carbonitride, silicon oxycarbonitride, and silicon nitride (Si3N4), and a method of depositing the silicon precursors on substrates using low temperature (e.g.,
摘要翻译： 在制造半导体器件（例如包括碳氮化硅，碳氮化硅和氮化硅（Si 3 N 4）的薄膜）的制造中的硅前体，以及使用低温（例如，550℃）将硅前体沉积在衬底上的方法 ℃）化学气相沉积工艺，用于制造ULSI器件和器件结构。
-
7.发明授权公开(公告)号：US07786320B2
公开(公告)日：2010-08-31
申请号：US12464726
申请日：2009-05-12
申请人： Ziyun Wang , Chongying Xu , Ravi K. Laxman , Thomas H. Baum , Bryan C. Hendrix , Jeffrey F. Roeder
发明人： Ziyun Wang , Chongying Xu , Ravi K. Laxman , Thomas H. Baum , Bryan C. Hendrix , Jeffrey F. Roeder
IPC分类号： C07F7/02
CPC分类号： H01L21/0217 , C07F7/025 , C07F7/10 , C07F7/12 , C23C16/308 , C23C16/345 , C23C16/402 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/02219 , H01L21/02222 , H01L21/02271 , H01L21/0228 , H01L21/3144 , H01L21/31612 , H01L21/3185
摘要： Silicon precursors for forming silicon-containing films in the manufacture of semiconductor devices, such as low dielectric constant (k) thin films, high k gate silicates, low temperature silicon epitaxial films, and films containing silicon nitride (Si3N4), siliconoxynitride (SiOxNy) and/or silicon dioxide (SiO2). The precursors of the invention are amenable to use in low temperature (e.g.,
摘要翻译： 半导体器件如低介电常数（k）薄膜，高k栅极硅酸盐，低温硅外延膜和含有氮化硅（Si 3 N 4），硅氧氮化物（SiO x N y）的膜的制造中的含硅膜的硅前体， 和/或二氧化硅（SiO 2）。 本发明的前体适于在低温（例如，<500℃）的化学气相沉积工艺中使用，用于制造ULSI器件和器件结构。
-
公开(公告)号：US07108771B2
公开(公告)日：2006-09-19
申请号：US10015326
申请日：2001-12-13
申请人： Chongying Xu , Thomas H. Baum , Alexander S. Borovik , Ziyun Wang , James T. Y. Lin , Scott Battle , Ravi K. Laxman
发明人： Chongying Xu , Thomas H. Baum , Alexander S. Borovik , Ziyun Wang , James T. Y. Lin , Scott Battle , Ravi K. Laxman
CPC分类号： C23C16/4402 , B01D3/36 , C07F7/089 , C07F7/20 , C08G77/34 , C09D4/00 , C23C16/401 , C08G77/04
摘要： A process for reducing the level(s) of water and/or other impurities from cyclosiloxanes by either azeotropic distillation, or by contacting the cyclosiloxane compositions with an adsorbent bed material. The purified cyclosiloxane material is useful for forming low-dielectric constant thin films having dielectric constants of less than 3.0, more preferably 2.8 to 2.0.
-
9.发明申请公开(公告)号：US20110183528A1
公开(公告)日：2011-07-28
申请号：US13069217
申请日：2011-03-22
申请人： Ziyun Wang , Chongying Xu , Ravi K. Laxman , Thomas H. Baum , Bryan C. Hendrix , Jeffrey F. Roeder
发明人： Ziyun Wang , Chongying Xu , Ravi K. Laxman , Thomas H. Baum , Bryan C. Hendrix , Jeffrey F. Roeder
IPC分类号： H01L21/318
CPC分类号： H01L21/0217 , C07F7/025 , C07F7/10 , C07F7/12 , C23C16/308 , C23C16/345 , C23C16/402 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/02219 , H01L21/02222 , H01L21/02271 , H01L21/0228 , H01L21/3144 , H01L21/31612 , H01L21/3185
摘要： Silicon precursors for forming silicon-containing films in the manufacture of semiconductor devices, such as low dielectric constant (k) thin films, high k gate silicates, low temperature silicon epitaxial films, and films containing silicon nitride (Si3N4), siliconoxynitride (SioxNy) and/or silicon dioxide (SiO2). The precursors of the invention are amenable to use in low temperature (e.g.,
摘要翻译： 低介电常数（k）薄膜，高k栅极硅酸盐，低温硅外延膜以及含有氮化硅（Si3N4），硅氧氮化物（SioxNy）等的薄膜的半导体器件的制造中形成含硅膜的硅前驱体， 和/或二氧化硅（SiO 2）。 本发明的前体适于在低温（例如，<500℃）的化学气相沉积工艺中使用，用于制造ULSI器件和器件结构。
-
10.发明授权公开(公告)号：US08153833B2
公开(公告)日：2012-04-10
申请号：US13069217
申请日：2011-03-22
申请人： Ziyun Wang , Chongying Xu , Ravi K. Laxman , Thomas H. Baum , Bryan C. Hendrix , Jeffrey F. Roeder
发明人： Ziyun Wang , Chongying Xu , Ravi K. Laxman , Thomas H. Baum , Bryan C. Hendrix , Jeffrey F. Roeder
IPC分类号： C07C7/10
CPC分类号： H01L21/0217 , C07F7/025 , C07F7/10 , C07F7/12 , C23C16/308 , C23C16/345 , C23C16/402 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/02219 , H01L21/02222 , H01L21/02271 , H01L21/0228 , H01L21/3144 , H01L21/31612 , H01L21/3185
摘要： Silicon precursors for forming silicon-containing films in the manufacture of semiconductor devices, such as low dielectric constant (k) thin films, high k gate silicates, low temperature silicon epitaxial films, and films containing silicon nitride (Si3N4), siliconoxynitride (SiOxNy) and/or silicon dioxide (SiO2). The precursors of the invention are amenable to use in low temperature (e.g.,
摘要翻译： 半导体器件如低介电常数（k）薄膜，高k栅极硅酸盐，低温硅外延膜和含有氮化硅（Si 3 N 4），硅氧氮化物（SiO x N y）的膜的制造中的含硅膜的硅前体， 和/或二氧化硅（SiO 2）。 本发明的前体适于在低温（例如，<500℃）的化学气相沉积工艺中使用，用于制造ULSI器件和器件结构。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
188 条记录 (耗时 0.032 秒)
