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    FinFET-based SRAM cell
    1.
    发明授权
    FinFET-based SRAM cell 有权
    基于FinFET的SRAM单元

    公开(公告)号：US06765303B1

    公开(公告)日：2004-07-20

    申请号：US10429697

    申请日：2003-05-06

    申请人： Zoran Krivokapic ,  Judy Xilin An ,  Matthew S. Buynoski

    发明人： Zoran Krivokapic ,  Judy Xilin An ,  Matthew S. Buynoski

    IPC分类号： H01L2711

    CPC分类号： B82Y10/00 ,  G11C11/412 ,  H01L27/11 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/785 ,  Y10S257/903

    摘要： A SRAM cell includes a single FinFET and two resonant tunnel diodes. The FinFet has multiple channel regions formed from separate fins. The resonant tunnel diodes may be formed from FinFET type fins. In particular, the resonant diodes may includes a thin, undoped silicon region surrounded by a dielectric. The SRAM cell is small and provides fast read/write access times.

    摘要翻译： SRAM单元包括单个FinFET和两个谐振隧道二极管。 FinFet具有由独立翅片形成的多个通道区域。 谐振隧道二极管可以由FinFET型鳍形成。 特别地，谐振二极管可以包括由电介质围绕的薄的未掺杂的硅区域。 SRAM单元很小，并提供快速的读/写访问时间。

    Germanium MOSFET devices and methods for making same
    2.
    发明授权
    Germanium MOSFET devices and methods for making same 有权
    锗MOSFET器件及其制造方法

    公开(公告)号：US07148526B1

    公开(公告)日：2006-12-12

    申请号：US10348758

    申请日：2003-01-23

    申请人： Judy Xilin An ,  Zoran Krivokapic ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

    发明人： Judy Xilin An ,  Zoran Krivokapic ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

    IPC分类号： H01L29/72

    CPC分类号： H01L29/7855 ,  H01L21/823821 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/78684

    摘要： A double gate germanium metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) includes a germanium fin, a first gate formed adjacent a first side of the germanium fin, and a second gate formed adjacent a second side of the germanium fin opposite the first side. A triple gate MOSFET includes a germanium fin, a first gate formed adjacent a first side of the germanium fin, a second gate formed adjacent a second side of the germanium fin opposite the first side, and a top gate formed on top of the germanium fin. An all-around gate MOSFET includes a germanium fin, a first sidewall gate structure formed adjacent a first side of the germanium fin, a second sidewall gate structure formed adjacent a second side of the germanium fin, and additional gate structures formed on and around the germanium fin.

    摘要翻译： 双栅极锗金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）包括锗翅片，邻近锗翅片的第一侧形成的第一栅极和与第一侧相对的锗翅片第二侧附近形成的第二栅极 。 三栅极MOSFET包括锗翅片，与锗翅片的第一侧相邻形成的第一栅极，与第一侧相对的锗翅片的第二侧附近形成的第二栅极和形成在锗翅片顶部上的顶栅极 。 全栅极MOSFET包括锗翅片，邻近锗翅片的第一侧形成的第一侧壁栅极结构，邻近锗翅片的第二侧形成的第二侧壁栅极结构，以及形成在锗翅片上和周围的附近的栅极结构 锗鳍

    Double and triple gate MOSFET devices and methods for making same
    4.
    发明授权
    Double and triple gate MOSFET devices and methods for making same 有权
    双栅极和三栅极MOSFET器件及其制造方法

    公开(公告)号：US08580660B2

    公开(公告)日：2013-11-12

    申请号：US13523603

    申请日：2012-06-14

    申请人： Ming-Ren Lin ,  Judy Xilin An ,  Zoran Krivokapic ,  Cyrus E. Tabery ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

    发明人： Ming-Ren Lin ,  Judy Xilin An ,  Zoran Krivokapic ,  Cyrus E. Tabery ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

    IPC分类号： H01L29/72

    CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66818

    摘要： A double gate metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) includes a fin, a first gate and a second gate. The first gate is formed on top of the fin. The second gate surrounds the fin and the first gate. In another implementation, a triple gate MOSFET includes a fin, a first gate, a second gate, and a third gate. The first gate is formed on top of the fin. The second gate is formed adjacent the fin. The third gate is formed adjacent the fin and opposite the second gate.

    摘要翻译： 双栅极金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）包括鳍状物，第一栅极和第二栅极。 第一个门形成在鳍的顶部。 第二个门围绕翅片和第一个门。 在另一实施方案中，三栅极MOSFET包括鳍片，第一栅极，第二栅极和第三栅极。 第一个门形成在鳍的顶部。 第二个门形成在翅片附近。 第三栅极形成在翅片附近并与第二栅极相对。

    Method for forming tri-gate FinFET with mesa isolation
    6.
    发明授权
    Method for forming tri-gate FinFET with mesa isolation 失效
    用于形成台栅隔离的三栅极FinFET的方法

    公开(公告)号：US06855583B1

    公开(公告)日：2005-02-15

    申请号：US10633503

    申请日：2003-08-05

    申请人： Zoran Krivokapic ,  Judy Xilin An ,  Bin Yu

    发明人： Zoran Krivokapic ,  Judy Xilin An ,  Bin Yu

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00

    CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795

    摘要： A method forming a tri-gate fin field effect transistor includes forming an oxide layer over a silicon-on-insulator wafer comprising a silicon layer, and etching the silicon and oxide layers using a rectangular mask to form a mesa. The method further includes etching a portion of the mesa using a second mask to form a fin, forming a gate dielectric layer over the fin, and forming a tri-gate over the fin and the gate dielectric layer.

    摘要翻译： 形成三栅极鳍场效应晶体管的方法包括在包括硅层的绝缘体上硅晶片上形成氧化物层，并且使用矩形掩模蚀刻硅和氧化物层以形成台面。 该方法还包括使用第二掩模蚀刻台面的一部分以形成翅片，在翅片上形成栅极电介质层，并在鳍状物和栅极介电层上形成三栅极。

    Narrow fin FinFET
    7.
    发明授权
    Narrow fin FinFET 有权
    窄鳍FinFET

    公开(公告)号：US06762483B1

    公开(公告)日：2004-07-13

    申请号：US10348910

    申请日：2003-01-23

    申请人： Zoran Krivokapic ,  Judy Xilin An ,  Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

    发明人： Zoran Krivokapic ,  Judy Xilin An ,  Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

    IPC分类号： H01L2906

    CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/78687

    摘要： A method of forming fins for a double-gate fin field effect transistor (FinFET) includes forming a second layer of semi-conducting material over a first layer of semi-conducting material and forming double caps in the second layer of semi-conducting material. The method further includes forming spacers adjacent sides of each of the double caps and forming double fins in the first semi-conducting material beneath the double caps. The method also includes thinning the double fins to produce narrow double fins.

    摘要翻译： 一种形成双栅极鳍效应晶体管（FinFET）的鳍片的方法包括在第一半导体材料层上形成第二半导电材料层，并在第二半导体材料层中形成双重盖子。 该方法还包括在每个双盖的侧面上形成间隔物，并在双盖下方的第一半导体材料中形成双翅片。 该方法还包括使双翅片变薄以产生窄的双翅片。

    Germanium MOSFET devices and methods for making same
    10.
    发明授权
    Germanium MOSFET devices and methods for making same 有权
    锗MOSFET器件及其制造方法

    公开(公告)号：US08334181B1

    公开(公告)日：2012-12-18

    申请号：US12836378

    申请日：2010-07-14

    申请人： Judy Xilin An ,  Zoran Krivokapic ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

    发明人： Judy Xilin An ,  Zoran Krivokapic ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

    IPC分类号： H01L29/72

    CPC分类号： H01L29/7855 ,  H01L21/823821 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/78684

    摘要： A double gate germanium metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) includes a germanium fin, a first gate formed adjacent a first side of the germanium fin, and a second gate formed adjacent a second side of the germanium fin opposite the first side. A triple gate MOSFET includes a germanium fin, a first gate formed adjacent a first side of the germanium fin, a second gate formed adjacent a second side of the germanium fin opposite the first side, and a top gate formed on top of the germanium fin. An all-around gate MOSFET includes a germanium fin, a first sidewall gate structure formed adjacent a first side of the germanium fin, a second sidewall gate structure formed adjacent a second side of the germanium fin, and additional gate structures formed on and around the germanium fin.

    摘要翻译： 双栅极锗金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）包括锗翅片，邻近锗翅片的第一侧形成的第一栅极和与第一侧相对的锗翅片第二侧附近形成的第二栅极 。 三栅极MOSFET包括锗翅片，与锗翅片的第一侧相邻形成的第一栅极，与第一侧相对的锗翅片的第二侧附近形成的第二栅极和形成在锗翅片顶部上的顶栅极 。 全栅极MOSFET包括锗翅片，邻近锗翅片的第一侧形成的第一侧壁栅极结构，邻近锗翅片的第二侧形成的第二侧壁栅极结构，以及形成在锗翅片上和周围的附近的栅极结构 锗鳍