公开(公告)号：US5667852A

公开(公告)日：1997-09-16

申请号：US619718

申请日：1996-09-03

申请人： Pavel P. Kulik ,  Vladimir V. Ivanov ,  Eugenia N. Zornia ,  John A. Gay

发明人： Pavel P. Kulik ,  Vladimir V. Ivanov ,  Eugenia N. Zornia ,  John A. Gay

IPC分类号： C23C16/26 ,  C23C16/27 ,  C30B25/10 ,  B05D3/06

CPC分类号： C23C16/276 ,  C23C16/26 ,  C30B25/105 ,  Y10S427/106

摘要： The invention relates to electronics and optical industry technology. Deposition of diamond and diamond-like films is performed in a plasma flux at atmospheric pressure at a temperature T=10.sup.4 .degree. K. A mixture of hydrocarbons and hydrogen is fed to a plasma flux formed by the confluence of a plurality of jets. As a result of the processes occurring in the plasma flux, there is deposited on the substrate a diamond or diamond-like film having a high degree of adhesion to the substrate, at a rate of 1 micron/sec, which substantially exceeds the rate of deposition of similar films by known methods.

摘要翻译： PCT No.PCT / EP94 / 03160 Sec。 371日期1996年9月3日 102（e）1996年9月3日PCT PCT 1994年9月21日PCT公布。 公开号WO95 / 08657 1995年3月30日发明涉及电子和光学工业技术。 金刚石和类金刚石膜的沉积在大气压下在T = 104°K的温度下进行。碳氢化合物和氢气的混合物被供给到由多个射流的汇合形成的等离子体通量。 作为在等离子体通量中发生的过程的结果，在衬底上以1微米/秒的速率在衬底上沉积具有高度粘附性的金刚石或类金刚石薄膜，其速度基本上超过了 通过已知方法沉积类似的膜。

公开(公告)号：US5489820A

公开(公告)日：1996-02-06

申请号：US16217

申请日：1993-02-11

申请人： Vladimir Ivanov ,  Pavel P. Kulik ,  Alexis N. Logoshin

发明人： Vladimir Ivanov ,  Pavel P. Kulik ,  Alexis N. Logoshin

IPC分类号： H05H1/26 ,  H05H1/00 ,  H05H1/36 ,  H05H1/40 ,  H05H1/44 ,  H05H1/50 ,  H05H1/16

CPC分类号： H05H1/44 ,  H05H1/0025 ,  H05H1/0081 ,  H05H1/36 ,  H05H1/50

摘要： A plasma stream is formed by plural plasma-forming gas through which electric currents are passed and on which a magnetic field is superposed a physical parameter of the plasma stream is monitored. The magnitude of force acting on one of the jets is varied until a required result is obtained. Plural plasma burners arranged at an angle to each other are connected to a power supply and a plasma-forming gas source. Each burner incudes an open magnetic circuit with a solenoid connected to another power supply. The physical parameters of the plasma stream are recorded. The recorder is connected to a processor having connected to both power supplies and plasma-forming gas source. The burners include a drive also connected to the processing unit.

摘要翻译： 通过多个等离子体形成气体形成等离子体流，通过该等离子体形成气体通过电流，并且在其上重叠磁场，监测等离子体流的物理参数。 作用在一个射流上的力的大小变化，直到获得所需的结果。 将彼此成角度配置的多个等离子体燃烧器连接到电源和等离子体形成气体源。 每个燃烧器包括一个开放的磁路，电磁铁连接到另一个电源。 记录等离子体流的物理参数。 记录器连接到已经连接到电源和等离子体形成气体源的处理器。 燃烧器包括也连接到处理单元的驱动器。

公开(公告)号：US5518450A

公开(公告)日：1996-05-21

申请号：US211216

申请日：1994-02-24

申请人： Anatoly A. Paveliev

发明人： Anatoly A. Paveliev

IPC分类号： F24F3/16 ,  B08B17/00 ,  F24F13/06 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/67017 ,  B08B17/00 ,  F24F3/1607

摘要： A method for protecting an ultraclean surface of an object includes the step of forming, from an ultraclean fluid, a laminar flow moving over the surface. In order to enhance the reliability of protection, the velocity in the layer of the laminar flow from the ultraclean is varied according to the height thereof in a cross-section perpendicular with respect to the direction of the propagation of the flow.

摘要翻译： PCT No.PCT / EP92 / 02207 Sec。 371日期1994年3月24日 102（e）1994年3月24日PCT PCT 1992年9月23日PCT公布。 出版物WO93 / 06617 日本1994年4月1日。一种用于保护物体的超级表面的方法包括从超级流体形成在表面上移动的层流的步骤。 为了提高保护的可靠性，来自超净的层流层中的速度根据其在相对于流动的传播方向垂直的横截面中的高度而变化。

公开(公告)号：US5562841A

公开(公告)日：1996-10-08

申请号：US232063

申请日：1994-04-28

申请人： Pavel Kulik ,  Vladimir Ivanov

发明人： Pavel Kulik ,  Vladimir Ivanov

IPC分类号： H05H1/34 ,  C23C4/12 ,  C23C16/513 ,  H05H1/42 ,  B23K10/00

CPC分类号： H05H1/42 ,  C23C16/513 ,  C23C4/12 ,  C23C4/134

摘要： A work surface, e.g. an integrated circuit, is treated with a plasma jet. The work surface is shielded from an ambient medium by a shielding gas jet directed to create a shielded zone around the work surface, or which is blown over the work surface so it intersects the plasma jet on the work surface.

摘要翻译： PCT No.PCT / EP92 / 02549 371日期1994年04月28日 102（e）日期1994年4月28日PCT提交1992年10月30日PCT公布。 公开号WO93 / 09261 日期：1993年5月13日 集成电路，用等离子体射流处理。 工作表面通过用于在工作表面周围产生屏蔽区域的保护气体射流与环境介质屏蔽，或者在工作表面上吹扫，使其与工作表面上的等离子体射流相交。

公开(公告)号：US5474642A

公开(公告)日：1995-12-12

申请号：US150112

申请日：1994-02-01

申请人： Eugene Zorina ,  Vladimir Ivanov ,  Pavel Kulik ,  Alexis Logoshin ,  Alim Tchabanov ,  George Pavlov ,  Vecleslav Shvetchov

发明人： Eugene Zorina ,  Vladimir Ivanov ,  Pavel Kulik ,  Alexis Logoshin ,  Alim Tchabanov ,  George Pavlov ,  Vecleslav Shvetchov

IPC分类号： H05H1/34 ,  B23K10/00 ,  C23C16/513 ,  H01L21/302 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H05H1/36 ,  H05H1/40 ,  H05H1/00

CPC分类号： H05H1/36 ,  C23C16/513 ,  H05H1/40 ,  H05H2001/3494

摘要： Plasma treatment apparatus includes means to generate a plasma jet at atmospheric pressure, and means to control both the cross-sectional size of the jet and the relative speed of movement between the jet and a body being treated.

摘要翻译： PCT No.PCT / EP92 / 01131 Sec。 371日期1994年2月1日 102（e）1994年2月1日PCT提交1992年5月19日PCT公布。 出版物WO92 / 21220 PCT 日本1992年11月26日。血管治疗装置包括在大气压下产生等离子体射流的装置，以及控制射流的横截面尺寸和射流与被治疗身体之间的相对移动速度的装置。