公开(公告)号：US20080265240A1

公开(公告)日：2008-10-30

申请号：US11796073

申请日：2007-04-26

申请人： Zhida Lan ,  Manuj Rathor ,  Joffre F. Bernard

发明人： Zhida Lan ,  Manuj Rathor ,  Joffre F. Bernard

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L45/145

摘要： The present resistive memory device includes first and second electrodes. An active layer is situated between the first and second electrodes. The active layer with advantage has a thermal conductivity of 0.02 W/Kcm or less, and is surrounded by a body in contact with the layer, the body having a thermal conductivity of 0.01 W/Kcm or less.

摘要翻译： 本电阻性存储器件包括第一和第二电极。 有源层位于第一和第二电极之间。 有源层的导热系数为0.02W / K·cm以下，被与该层接触的主体围绕，该导体的导热率为0.01W / K·cm以下。

公开(公告)号：US20080132068A1

公开(公告)日：2008-06-05

申请号：US11633929

申请日：2006-12-05

申请人： Suzette K. Pangrle ,  Steven Avanzino ,  Sameer Haddad ,  Michael VanBuskirk ,  Manuj Rathor ,  James Xie ,  Kevin Song ,  Christie Marrian ,  Bryan Choo ,  Fei Wang ,  Jeffrey A. Shields

发明人： Suzette K. Pangrle ,  Steven Avanzino ,  Sameer Haddad ,  Michael VanBuskirk ,  Manuj Rathor ,  James Xie ,  Kevin Song ,  Christie Marrian ,  Bryan Choo ,  Fei Wang ,  Jeffrey A. Shields

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1666

摘要： The present method of fabricating a memory device includes the steps of providing a dielectric layer, providing an opening in the dielectric layer, providing a first conductive body in the opening in the dielectric layer, providing a switching body in the opening, and providing a second conductive body in the opening.

摘要翻译： 制造存储器件的本方法包括以下步骤：提供电介质层，在电介质层中提供开口，在电介质层的开口中提供第一导电体，在开口中提供开关体，并提供第二 导电体在开口处。

公开(公告)号：US07102156B1

公开(公告)日：2006-09-05

申请号：US11021681

申请日：2004-12-23

申请人： Richard Kingsborough ,  Igor Sokolik ,  David Gaun ,  Swaroop Kaza ,  Suzette Pangrle ,  Alexander Nickel ,  Stuart Spitzer

发明人： Richard Kingsborough ,  Igor Sokolik ,  David Gaun ,  Swaroop Kaza ,  Suzette Pangrle ,  Alexander Nickel ,  Stuart Spitzer

IPC分类号： H01L35/24 ,  H01L51/00

CPC分类号： G11C13/0014 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0016 ,  H01L27/285 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043

摘要： A memory element includes a first electrode, a passive layer on and in contact with the first electrode, a polyfluorene active layer on and in contact with the active layer, and a second electrode on and in contact with the polyfluorene active layer. The chemical structure of the polyfluorene active layer may be altered to take different forms, each providing a different memory element operating characteristic.

摘要翻译： 存储元件包括第一电极，与第一电极接触并与第一电极接触的钝化层，与活性层接触并与活性层接触的聚芴有源层，以及与聚芴活性层接触并与其接触的第二电极。 可以改变聚芴有源层的化学结构以采取不同的形式，每种形式提供不同的存储元件操作特性。