公开(公告)号：WO2008087516A1

公开(公告)日：2008-07-24

申请号：PCT/IB2008/000050

申请日：2008-01-07

Applicant: S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES ,  HEBRAS, Xavier

Inventor： HEBRAS, Xavier

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: The invention relates to a process for fabricating a hybrid substrate (6) that can be used in the fields of optics, electronics or optoelectronics. This process is noteworthy in that it comprises the following steps consisting in: a) forming or depositing a first insulator layer (2) on a first substrate chosen from two substrates, a donor substrate and a receiver substrate, which are made of semiconductor material; b) carrying out a treatment for increasing the roughness of the free surface of said first insulator layer (2); c) depositing a second insulator layer (3) thereon so as to form, between them, a trapping zone (4); d) bonding the substrate that has not been used in step a) onto said second insulator layer (3) by molecular adhesion (wafer bonding); and e) transferring an active layer (14) formed by the implantation of atomic species into said donor substrate, said trapping zone (4) being able to retain the gaseous species possibly present at the various interfaces of the hybrid substrate and to limit the formation of defects on the surface of the active layer.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造可用于光学，电子或光电领域的混合基板（6）的方法。 该方法值得注意的是，它包括以下步骤：a）在选自由半导体材料制成的两个基板，施主基板和接收器基板的第一基板上形成或沉积第一绝缘体层（2） b）进行用于增加所述第一绝缘体层（2）的自由表面粗糙度的处理; c）在其上沉积第二绝缘体层（3），以在它们之间形成捕获区（4）; d）通过分子粘合（晶片接合）将步骤a）中未使用的衬底粘合到所述第二绝缘体层（3）上; 和e）将通过将原子物质注入形成的活性层（14）转移到所述施主衬底中，所述捕获区（4）能够保留可能存在于混合衬底的各界面处的气态物质并限制形成 的活性层表面的缺陷。

公开(公告)号：WO2008031980A1

公开(公告)日：2008-03-20

申请号：PCT/FR2007/051903

申请日：2007-09-11

Applicant: S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES ,  HEBRAS, Xavier

Inventor： HEBRAS, Xavier

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: L'invention concerne un procédé de transfert d'une couche (4) d'un substrat donneur (1) sur un substrat receveur (6) comprenant: a) une étape (S2) d'implantation ionique d'au moins une espèce dans Ie substrat donneur (1) destinée à former une couche de microcavités ou platelets, b) une étape (S3) de collage de la face (7) du substrat donneur (1) avec une face (8) du substrat receveur (6) par adhésion moléculaire, c) une étape de détachement à haute température pour détacher la couche (4) en contact avec le substrat receveur (6) par clivage au niveau de la couche de microcavités ou platelets formée dans le substrat donneur (1). Le procédé comprend en outre, une étape de traitement (Sl) du substrat donneur (1) pour piéger les atomes de l'espèce implantée lors de l'étape a) jusqu'à une température de libération atteinte lors de l'étape c) de manière à bloquer ou limiter la formation des microcavités ou platelets en dessous de la température de libération.

Abstract translation: 本发明涉及将一层（4）从施主衬底（1）转移到接收器衬底（6）的方法，包括：a）用于将至少一种离子注入到施主衬底（1）中的步骤（S2） ），所述步骤旨在形成微腔或血小板层; b）通过晶片接合（也称为分子粘附）将供体衬底（1）的面（7）与接收衬底（6）的面（8）结合的步骤（S3）; 以及c）高温分离步骤，用于通过在供体衬底（1）中形成的微腔或血小板层中的切割来分离与接收器衬底（6）接触的层（4）。 该方法还包括处理供体底物（1）的步骤（S1），以便捕获在步骤a）期间植入的物种的原子直至步骤c）期间达到的释放温度，以便阻止或限制 微腔或血小板低于释放温度。

公开(公告)号：WO2007104767A1

公开(公告)日：2007-09-20

申请号：PCT/EP2007/052372

申请日：2007-03-13

Applicant: S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES ,  HEBRAS, Xavier

Inventor： HEBRAS, Xavier

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: The present invention relates to a method for making a structure comprising at least one thin layer on a supporting substrate, remarkable in that it includes at least steps for forming from said supporting substrate a so-called intermediate structure comprising an amorphous layer, a first crystalline layer containing point defects and located immediately underneath said amorphous layer, a second crystalline layer located in the lower portion of the intermediate structure; bonding a receiving substrate on the upper face of said intermediate structure; removing the layer of the intermediate structure in which point defects have formed so that amorphous layer forms the upper layer of the intermediate structure. Another object of the invention relates to a substrate comprising at least one thin layer in an amorphous material on a supporting substrate, remarkable in that it comprises a receiving substrate, a central crystalline layer and an amorphous layer, said receiving substrate, the crystalline layer and the amorphous layer not having any EOR type point defect.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造包括至少一个薄层在支撑基底上的结构的方法，其特征在于，其至少包括从所述支撑基底形成所谓的中间结构的步骤，所述中间结构包括非晶层，第一晶体 层位于所述非晶层的正下方，位于所述中间结构的下部的第二晶体层; 在所述中间结构的上表面上接合接收衬底; 去除其中形成点缺陷的中间结构的层，使得非晶层形成中间结构的上层。 本发明的另一个目的涉及一种在支撑衬底上包括非晶材料中的至少一个薄层的衬底，其特征在于它包括接收衬底，中心结晶层和非晶层，所述接收衬底，晶体层和 非晶层不具有任何EOR型点缺陷。

公开(公告)号：WO2009047351A1

公开(公告)日：2009-04-16

申请号：PCT/EP2008/063679

申请日：2008-10-10

Applicant: S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES ,  HEBRAS, Xavier

Inventor： HEBRAS, Xavier

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/265 ,  H01L21/74 ,  H01L21/316 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76256 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78603

Abstract: The invention relates to a method for making a substrate of the semiconductor on insulator (SeOI) type, comprising an integrated ground plane (5) under the insulating layer (3, 4), this substrate being intended to be used in making electronic components. This method is remarkable in that it comprises the steps of : implanting atoms and/or ions of a metal, in at least one portion of a semiconducting receiver substrate (D, carrying out a heat treatment of said receiver substrate (1) in order to obtain an integrated ground plane (5) on or in at least one portion of said receiver substrate (1), transferring an active layer (23) stemming from a semiconducting donor substrate onto said receiver substrate (1), an insulating layer (3, 4) being inserted in between said donor and receiver (1) substrates, so as to obtain said substrate with an integrated ground plane (5).

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造绝缘体上半导体（SeOI）类型的衬底的方法，包括在绝缘层（3,4）下方的集成接地平面（5），该衬底旨在用于制造电子部件。 该方法是显着的，其包括以下步骤：在半导体接收器衬底的至少一部分（D，进行所述接收器衬底（1）的热处理）中注入金属的原子和/或离子，以便 在所述接收器衬底（1）的至少一部分上或之中获得集成接地平面（5），将源自半导电施主衬底的有源层（23）传送到所述接收器衬底（1）上， 4）插入在所述供体和接收器（1）衬底之间，以便获得具有集成接地平面（5）的所述衬底。

公开(公告)号：WO2007028800A1

公开(公告)日：2007-03-15

申请号：PCT/EP2006/066046

申请日：2006-09-06

Applicant: S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES ,  HEBRAS, Xavier

Inventor： HEBRAS, Xavier

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254 ,  Y10S438/974

Abstract: L'invention concerne un de fabrication d'une hétérostructure du type "semi-conducteur sur isolant", comprenant au moins une couche d'isolant (3, 6) intercalée entre un substrat receveur (2) et une couche active (14), issue d'un substrat donneur (1), au moins l'une desdites couches d'isolant comprenant une couche de piégeage (61), apte à retenir les espèces gazeuses présentes au niveau des différentes interfaces de l'hétérostructure et à limiter la formation de défauts à la surface de ladite couche active (14), ce procédé comprenant des étapes de collage et de transfert de couche. Conformément à l'invention, avant le collage, on procède à la formation de ladite couche de piégeage (61) par une l'implantation d'au moins une catégorie d'espèces atomiques à l'intérieur d'au moins l'une des couches d'isolant (3, 6), ces espèces atomiques étant choisies de façon à être soit identiques à l'une de celles constituant ladite couche d'isolant (3, 6), soit à appartenir à la même colonne du tableau de la classification périodique que l'une de celles-ci.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造SOI异质结构的方法，该方法包括至少一个绝缘层（3-6），该绝缘层介于接收器基底（2）和有源层（14）之间，源自施主衬底（1），至少一个 的所述绝缘层包括用于保留存在于所述异质结构的不同界面处的气体物质的捕获层（61），并用于限制所述有源层（14）的表面处的缺陷的形成，所述方法包括层结合和转移 。 本发明的特征在于，在接合之前，它包括通过在绝缘层（3,6）中的至少一个中注入至少一类原子物质来形成所述捕获层（61），所述原子种类被选择为 与构成所述绝缘层（3,6）的那些相同，或者属于与其中之一相同的周期表的同一列。

公开(公告)号：WO2009036950A2

公开(公告)日：2009-03-26

申请号：PCT/EP2008/007727

申请日：2008-09-16

Applicant: S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES ,  HEBRAS, Xavier ,  LALLEMENT, Fabrice ,  LANDRU, Didier

Inventor： HEBRAS, Xavier ,  LALLEMENT, Fabrice ,  LANDRU, Didier

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/762 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/26506

Abstract: The invention relates to a method for fabricating a mixed orientation substrate comprising the steps of providing a donor substrate with a first crystalline orientation, forming a predetermined splitting area in the donor substrate, providing a handle substrate, in particular of a second crystalline orientation, attaching the donor substrate to the handle substrate and detaching the donor substrate at the predetermined splitting area thereby transferring a layer of the donor substrate onto the handle substrate to form a mixed orientation substrate. In order to cope with stress introduced during ion implantation, a stiffening layer is provided on the donor substrate prior to forming the predetermined splitting area.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造混合取向衬底的方法，包括以下步骤：向施主衬底提供第一晶体取向，在施主衬底中形成预定的分裂区域，提供处理衬底，特别是第二结晶取向，附着 施主衬底到处理衬底并且在预定的分割区域分离施主衬底，从而将施主衬底的一层转移到手柄衬底上以形成混合取向衬底。 为了应对在离子注入期间引入的应力，在形成预定的分割区域之前，在施主衬底上提供加强层。