公开(公告)号：WO2010091972A1

公开(公告)日：2010-08-19

申请号：PCT/EP2010/051197

申请日：2010-02-01

Applicant: S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES ,  LANDRU, Didier

Inventor： LANDRU, Didier

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76243

Abstract: A method of producing a layer of cavities in a structure (100) comprises at least one substrate (101) formed from a material that can be oxidized or nitrided, the method comprising the following steps: implanting ions (10) into said substrate (101) in order to form an implanted ion concentration zone (102) at a predetermined mean depth; heat treating the implanted substrate to form a layer of cavities (103) at the implanted ion concentration zone (102); and forming an insulating layer (105) in said substrate by thermochemical treatment from one surface of said substrate, said insulating layer that is formed extending at least partially into the layer of cavities (103).

Abstract translation: 一种在结构（100）中制造空腔层的方法包括由可被氧化或氮化的材料形成的至少一个基底（101），所述方法包括以下步骤：将离子（10）注入所述基底（101） ）以形成预定平均深度的注入离子浓度区（102）; 在植入的离子浓度区（102）处热处理植入的基底以形成一层空腔（103）; 以及通过从所述衬底的一个表面热化学处理在所述衬底中形成绝缘层（105），所述绝缘层形成为至少部分延伸到所述空腔（103）层中。

公开(公告)号：WO2010049250A1

公开(公告)日：2010-05-06

申请号：PCT/EP2009/063152

申请日：2009-10-09

Applicant: S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES ,  KONONCHUK, Oleg ,  GUIOT, Eric ,  GRITTI, Fabrice ,  LANDRU, Didier ,  VEYTIZOU, Christelle

Inventor： KONONCHUK, Oleg ,  GUIOT, Eric ,  GRITTI, Fabrice ,  LANDRU, Didier ,  VEYTIZOU, Christelle

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/76251

Abstract: The present invention notably concerns a method to fabricate and treat a structure of semiconductor-on-insulator type, successively comprising a carrier substrate (1), an oxide layer (3) and a thin layer (2) of semiconducting material, according to which: 1) a mask is formed on said thin layer (2) so as to define exposed regions (20), on the surface of said layer, which are not covered by the mask; 2) heat treatment is applied so as to urge at least part of the oxygen of the oxide layer (3) to diffuse through the thin layer (2), leading to controlled removal of the oxide in the regions (30) of the oxide layer (3) corresponding to the desired pattern; characterized in that said carrier substrate (1) and thin layer (2) are arranged relative to each other so that their crystal lattices, in a plane parallel to their interface (I), together form an angle called a "twist angle" of no more than 1°, and in a plane perpendicular to their interface (I) an angle called a "tilt angle" of no more than 1°, and in that a thin layer (2) is used whose thickness is less than 1100 Å.

Abstract translation: 本发明特别涉及制造和处理绝缘体上半导体型结构的方法，该方法依次包括载体衬底（1），氧化物层（3）和半导体材料薄层（2），根据该方法 ：1）在所述薄层（2）上形成掩模，以在所述层的表面上限定未被掩模覆盖的暴露区域（20）; 2）施加热处理以促使氧化物层（3）的氧气的至少一部分扩散通过薄层（2），导致受控地去除氧化物层（30）中的氧化物 （3）对应于所需图案; 其特征在于，所述载体基板（1）和薄层（2）相对于彼此布置，使得它们的晶格在与其界面（I）平行的平面中一起形成称为“扭转角”的角度 大于1°，并且在垂直于它们的界面（I）的平面中称为“倾斜角”不超过1°的角度，并且使用其厚度小于1100的薄层（2）。

公开(公告)号：WO2010015467A1

公开(公告)日：2010-02-11

申请号：PCT/EP2009/058434

申请日：2009-07-03

Applicant: S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES ,  BOURDELLE, Konstantin ,  LANDRU, Didier ,  LANDRY, Karine

Inventor： BOURDELLE, Konstantin ,  LANDRU, Didier ,  LANDRY, Karine

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: The present invention relates to a method for making a structure notably intended for applications in the fields of electronics, optics or optoelectronics, which comprises a thin layer (1) of semiconducting material on a supporting substrate (3), according to which: a) said thin layer (1) is adhesively bonded on said supporting substrate (3) by molecular adhesion; b) said thereby obtained structure is heat-treated in order to stabilize the adhesive bonding interface (2), characterized by the fact that prior to step b), it is proceeded with an implantation of ions at said interface (2), so as to transfer atoms from the thin layer (1) to the supporting substrate (3), and/or from the supporting substrate (3) to the thin layer (1).

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造特别用于电子，光学或光电子学领域的结构的方法，该方法包括在支撑衬底（3）上的半导体材料薄层（1），其中：a） 所述薄层（1）通过分子粘合剂粘合在所述支撑基材（3）上; b）由此获得的结构被热处理以使粘合界面（2）稳定，其特征在于在步骤b）之前，在所述界面（2）处进行离子注入，因此 将原子从薄层（1）转移到支撑衬底（3），和/或从支撑衬底（3）转移到薄层（1）。

公开(公告)号：WO2009036950A2

公开(公告)日：2009-03-26

申请号：PCT/EP2008/007727

申请日：2008-09-16

Applicant: S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES ,  HEBRAS, Xavier ,  LALLEMENT, Fabrice ,  LANDRU, Didier

Inventor： HEBRAS, Xavier ,  LALLEMENT, Fabrice ,  LANDRU, Didier

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/762 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/26506

Abstract: The invention relates to a method for fabricating a mixed orientation substrate comprising the steps of providing a donor substrate with a first crystalline orientation, forming a predetermined splitting area in the donor substrate, providing a handle substrate, in particular of a second crystalline orientation, attaching the donor substrate to the handle substrate and detaching the donor substrate at the predetermined splitting area thereby transferring a layer of the donor substrate onto the handle substrate to form a mixed orientation substrate. In order to cope with stress introduced during ion implantation, a stiffening layer is provided on the donor substrate prior to forming the predetermined splitting area.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造混合取向衬底的方法，包括以下步骤：向施主衬底提供第一晶体取向，在施主衬底中形成预定的分裂区域，提供处理衬底，特别是第二结晶取向，附着 施主衬底到处理衬底并且在预定的分割区域分离施主衬底，从而将施主衬底的一层转移到手柄衬底上以形成混合取向衬底。 为了应对在离子注入期间引入的应力，在形成预定的分割区域之前，在施主衬底上提供加强层。

公开(公告)号：WO2010083933A1

公开(公告)日：2010-07-29

申请号：PCT/EP2009/068014

申请日：2009-12-30

Applicant: S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES ,  LANDRU, Didier ,  GRITTI, Fabrice ,  GUIOT, Eric ,  KONONCHUK, Oleg ,  VEYTIZOU, Christelle

Inventor： LANDRU, Didier ,  GRITTI, Fabrice ,  GUIOT, Eric ,  KONONCHUK, Oleg ,  VEYTIZOU, Christelle

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/3247 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/7624

Abstract: The invention concerns a process to treat a structure of semiconductor-on-insulator type, successively comprising a carrier substrate, an oxide layer (2) and a thin layer of a semiconductor material (3), said structure having a peripheral ring in which the oxide layer (2) is exposed, said process comprising application of a main thermal treatment in a neutral or controlled reducing atmosphere. It comprises a step to cover at least an exposed peripheral part of the oxide layer (2), prior to said main thermal treatment, this latter treatment being conducted under controlled time and temperature conditions so as to urge at least part of the oxygen in the oxide layer (2) to diffuse through the thin semiconductor layer (3), leading to controlled reduction of the thickness of the oxide layer (2).

Abstract translation: 本发明涉及一种处理绝缘体上绝缘体类型的结构的方法，其连续包括载体衬底，氧化物层（2）和半导体材料（3）的薄层，所述结构具有外围环，其中， 氧化物层（2）暴露，所述方法包括在中性或受控还原气氛中进行主要热处理。 其包括在所述主热处理之前至少覆盖氧化物层（2）的暴露的周边部分的步骤，后一种处理在受控的时间和温度条件下进行，以促进氧化物层（2）中的至少一部分氧 氧化物层（2）通过薄的半导体层（3）扩散，导致氧化物层（2）的厚度受到控制的减小。

公开(公告)号：WO2010049496A1

公开(公告)日：2010-05-06

申请号：PCT/EP2009/064307

申请日：2009-10-29

Applicant: S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES ,  LANDRU, Didier

Inventor： LANDRU, Didier

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: Method for producing stacked UTBOX-like semi-conductor structures, said method comprising: a) the formation of an electrical insulator layer on a donor substrate, b) the introduction of elements into the donor substrate through the insulator layer, c) the formation of an electrical insulator layer, on a second substrate known as final substrate, d) the bonding of the two substrates, the two insulator layers limiting the diffusion of water and forming an insulator layer buried between the two substrates, of thickness less than 50 nm, the donor oxide layer having, during the bonding, a thickness at least equal to that of the bonding oxide layer.

Abstract translation: 用于生产堆叠的UTBOX样半导体结构的方法，所述方法包括：a）在施主衬底上形成电绝缘体层，b）通过绝缘体层将元件引入施主衬底中，c）形成 电绝缘层，在称为最终基板的第二基板上，d）两个基板的接合，两个绝缘体层限制水的扩散并形成厚度小于50nm的两个基板之间的绝缘体层， 所述施主氧化物层在所述接合期间具有至少等于所述键合氧化物层的厚度的厚度。

公开(公告)号：WO2010000596A1

公开(公告)日：2010-01-07

申请号：PCT/EP2009/057293

申请日：2009-06-12

Applicant: S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES ,  DAVAL, Nicolas ,  KONONCHUK, Oleg ,  GUIOT, Eric ,  AULNETTE, Cécile ,  LALLEMENT, Fabrice ,  FIGUET, Christophe ,  LANDRU, Didier

Inventor： DAVAL, Nicolas ,  KONONCHUK, Oleg ,  GUIOT, Eric ,  AULNETTE, Cécile ,  LALLEMENT, Fabrice ,  FIGUET, Christophe ,  LANDRU, Didier

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76256

Abstract: The present invention relates to a process for manufacturing a structure comprising a germanium layer (3) on a support substrate (1), characterised in that it comprises the following steps: (a) formation of an intermediate structure (10) comprising said support substrate (1), a silicon oxide layer (20) and said germanium layer (3), the silicon oxide layer (20) being in direct contact with the germanium layer (3), (b) application to said intermediate structure (10) of a heat treatment, in a neutral or reducing atmosphere, at a defined temperature and for a defined time, to diffuse at least part of the oxygen from the silicon oxide layer (20) through the germanium layer (3).

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造包括在支撑衬底（1）上的锗层（3）的结构的方法，其特征在于包括以下步骤：（a）形成包含所述支撑衬底的中间结构（10） （1），氧化硅层（20）和所述锗层（3），氧化硅层（20）与锗层（3）直接接触，（b）施​​加到所述中间结构（10） 在中性或还原性气氛中，在限定的温度下和在一定时间内进行热处理，以使至少部分氧从氧化硅层（20）扩散通过锗层（3）。

公开(公告)号：WO2022129726A1

公开(公告)日：2022-06-23

申请号：PCT/FR2021/052124

申请日：2021-11-29

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  SOITEC

Inventor： GAUDIN, Gweltaz ,  RADU, Ionut ,  FOURNEL, Franck ,  WIDIEZ, Julie ,  LANDRU, Didier

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/02 ,  H01L21/322

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure semi-conductrice comprenant les étapes suivantes : a) la fourniture d'une couche utile en un matériau semi- conducteur, b) la fourniture d'un substrat support en un matériau semi- conducteur, c) le dépôt d'un film composé d'un matériau semi-conducteur différent de celui ou ceux de la couche utile et du substrat support, présentant une épaisseur inférieure à 50 nm, sur la face libre à assembler de la couche utile et/ou sur la face libre à assembler du substrat support, d) la formation d'une structure intermédiaire, comprenant un assemblage direct, le long d'une interface de collage s'étendant selon un plan principal, des faces libres à assembler respectivement de la couche utile et du substrat support, la structure intermédiaire comprenant un film encapsulé issu du ou des film(s) déposés lors de l'étape c), e) le recuit de la structure intermédiaire à une température supérieure ou égale à une température critique, de manière à provoquer la segmentation du film encapsulé et à former la structure semi-conductrice comprenant une zone d'interface entre la couche utile et le substrat support, ladite zone d'interface comportant : - des régions de contact direct entre la couche utile et le substrat support, et - des agglomérats comprenant le matériau semi-conducteur du film, et présentant une épaisseur, selon un axe normal au plan principal, inférieure ou égale à 250 nm; les régions de contact direct et les agglomérats étant adjacents dans le plan principal.

公开(公告)号：WO2021105575A1

公开(公告)日：2021-06-03

申请号：PCT/FR2020/051928

申请日：2020-10-26

Applicant: SOITEC

Inventor： RADU, Ionut ,  BIARD, Hugo ,  MALEVILLE, Christophe ,  GUIOT, Eric ,  LANDRU, Didier

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/04 ,  H01L21/762

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure composite (1) comprenant une couche mince (10) en carbure de silicium monocristallin disposée sur un substrat support (20) en carbure de silicium. Le procédé comprend : a) une étape de fourniture d'un substrat initial (11) en carbure de silicium monocristallin, b) une étape de croissance par épitaxie d'une couche donneuse (110) en carbure de silicium monocristallin sur le substrat initial (11), pour former un substrat donneur (111), c) une étape d'implantation ionique d'espèces légères dans la couche donneuse (110), pour former un plan fragile enterré (12) délimitant la couche mince (10), d) une étape de formation d'un substrat support (20) en carbure de silicium sur la surface libre de la couche donneuse (110), comprenant un dépôt à une température comprise entre 400°C et 1100°C, e) une étape de séparation le long du plan fragile enterré (12), pour former d'une part la structure composite (1) et d'autre part le reste du substrat donneur (111'), f) une étape de traitement(s) mécano-chimique(s) de la structure composite (1).

公开(公告)号：WO2014037784A1

公开(公告)日：2014-03-13

申请号：PCT/IB2013/001906

申请日：2013-09-03

Applicant: SOITEC

Inventor： LANDRU, Didier

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76251 ,  H01L21/76254 ,  Y10T29/49822

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure (S) par assemblage d'au moins deux substrats (S1, S2), I'un au moins de ces deux substrats étant destiné à être utilisé dans I'électronique, I'optique, I'optoélectronique et/ou le photovoltaïque, la structure comprenant au moins deux interfaces de séparation (11, I2) s'étendant parallèlement aux faces principales de ladite structure, en vue d'une séparation de ladite structure (S) le long d'une interface (11) choisie parmi lesdites interfaces, ladite séparation étant réalisée par I'insertion d'une lame (B) entre lesdits substrats (S1, S2) et l'application par ladite lame d'un effort d'écartement des deux substrats, caractérise en ce qu'il comprend la formation de I'interface (11) choisie pour la séparation de sorte a ce qu'elle soit plus sensible que la(les) autre(s) interface(s) (12) a la corrosion sous contrainte, c'est-à-dire à l'action combinée dudit effort d'écartement et d'un fluide susceptible de rompre des liaisons siloxane (Si-O-Si) présentes à ladite interface (l1). L'invention concerne également un procédé de séparation d'une structure (S) susceptible d'être obtenue par ledit procédé.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于通过组装至少两个基板（S1，S2）来制造结构（S）的方法，所述两个基板中的至少一个旨在用于电子，光学，光电子学和/或光伏，结构 包括平行于所述结构的主表面延伸的至少两个分离界面（I1，I2），以便沿着从所述界面中选择的界面（I1）分离所述结构（S），所述分离是通过插入 在所述基板（S1，S2）之间的叶片（B）上并施加用于将两个基板分离到所述叶片的力，其特征在于，所述方法包括形成选择用于分离的界面（I1），以使其比 另一个界面（I2）在应力下腐蚀，换句话说，涉及所述分离力和能够破坏设置在所述界面（I1）处的硅氧烷连接（Si-O-Si）的流体的组合作用， 。 本发明还涉及一种用于分离能够通过所述方法获得的结构（S）的方法。