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    ANLAGE ZUR HERSTELLUNG VON MONOSILAN
    12.
    发明申请
    ANLAGE ZUR HERSTELLUNG VON MONOSILAN 审中-公开
    植物甲硅烷生产

    公开(公告)号：WO2012017053A1

    公开(公告)日：2012-02-09

    申请号：PCT/EP2011/063484

    申请日：2011-08-04

    Applicant: SCHMID SILICON TECHNOLOGY GMBH ,  PETRIK, Adolf ,  SCHMID, Christian

    Inventor： PETRIK, Adolf ,  SCHMID, Christian

    IPC: B01D3/00 ,  C01B33/04

    CPC classification number: B01D3/009 ,  C01B33/043 ,  C01B33/10773 ,  Y02P20/127

    Abstract: Beschrieben wird eine Anlage zur Herstellung von Monosilan (SiH 4 ) durch katalytische Disproportionierung von Trichlorsilan (SiHCI 3 ) mit einer säulenförmigen Reaktionskolonne (101) mit einem Zulauf (102) für Trichlorsilan, einem Ablauf (103) für anfallendes Siliziumtetrachlorid (SiCI 4 ) und einem Heizbereich (104), vorzugsweise am unteren Kolonnenende, sowie einem Kondensator (105), über den hergestelltes Monosilan aus der Kolonne (101) abgeführt werden kann, wobei die Kolonne (101) ein Segment (106; 107; 108) umfasst, in dem ein katalytisch wirkender Feststoff enthalten ist und wobei das Kolonnensegment (106; 107; 108) ein Rohr oder ein Rohrbündel aus zwei oder mehr Rohren (109; 110; 111) umfasst, das oder die mit dem katalytisch wirkenden Feststoff befüllt sind.

    Abstract translation: 描述了一种植物用于通过三氯硅烷（SiHCI3）的催化歧化生产甲硅烷（的SiH 4）的具有具有用于三氯硅烷的入口（102），用于累积四氯化硅的柱状反应塔（101），出口（103）硅烷（SiCl 4）和加热区（ 104），优选地可在列，和一个电容器（105），（通过从柱101）所产生的甲硅烷的下端被排出，其中，所述塔（101）的区段（106; 107;包括108），其中，催化 作用的固体被包含，并且其中所述柱段（106; 107; 108）包括管或两个或多个管道（109; 110; 111）的管束，将填充有催化活性的固体的一种或多种。

    METHOD AND APPARATUS FOR SILICON REFINEMENT
    16.
    发明申请
    METHOD AND APPARATUS FOR SILICON REFINEMENT 审中-公开
    硅精炼方法与装置

    公开(公告)号：WO2010078643A3

    公开(公告)日：2010-09-16

    申请号：PCT/CA2009001877

    申请日：2009-12-23

    Applicant: ARISE TECHNOLOGIES CORP ,  DODD PETER ,  BALKOS ATHANASIOS TOM ,  DAWKINS JEFFREY

    Inventor： DODD PETER ,  BALKOS ATHANASIOS TOM ,  DAWKINS JEFFREY

    IPC: C01B33/039 ,  C01B33/037

    CPC classification number: C01B33/035 ,  C01B33/107 ,  C01B33/1071 ,  C01B33/10715 ,  C01B33/10721 ,  C01B33/10742 ,  C01B33/10747 ,  C01B33/10757 ,  C01B33/10773

    Abstract: A method and respect material for the production of chlorosilanes (primarily: trichlorosilane) and the deposition of high purity poly-silicon from these chlorosilanes. The source for the chlorosilane production consists of eutectic or hypo-eutectic copper-silicon, the concentration range of said copper-silicon is between 10 and 16 wt% silicon. The eutectic or hypo-eutectic copper-silicon is cast in a shape suitable for a chlorination reactor, where it is exposed to a process gas, which consists, at least partially, of HCI. The gas reacts at the surface of the eutectic or hypo-eutectic copper-silicon and extracts silicon in the form of volatile chlorosilane. The depleted eutectic or hypo-eutectic material might be afterwards recycled in such a way that the amount of extracted silicon is replenished and the material is re-cast into the material shape desired.

    Abstract translation: 用于生产氯硅烷（主要是三氯硅烷）的方法和材料以及从这些氯硅烷沉积高纯度多晶硅。 氯硅烷生产的来源由共晶或低共晶铜硅组成，所述铜 - 硅的浓度范围为10至16重量％的硅。 共晶或低共晶铜 - 硅铸造成适合于氯化反应器的形状，其中它暴露于至少部分由HCl组成的工艺气体。 气体在共晶或低共晶铜硅的表面反应，并以挥发性氯硅烷的形式提取硅。 耗尽的共晶或低共晶材料可以随后再循环，使得提取的硅的量被补充并且材料被重铸成所需的材料形状。

    KOLONNE UND VERFAHREN ZUR DISPROPORTIONIERUNG VON CHLORSILANEN ZU MONOSILAN UND TETRACHLORSILAN SOWIE ANLAGE ZUR GEWINNUNG VON MONOSILAN
    19.
    发明申请
    KOLONNE UND VERFAHREN ZUR DISPROPORTIONIERUNG VON CHLORSILANEN ZU MONOSILAN UND TETRACHLORSILAN SOWIE ANLAGE ZUR GEWINNUNG VON MONOSILAN 审中-公开
    氯硅烷的歧化柱和方法，给甲硅烷和四氯化硅和系统用于获得甲硅烷

    公开(公告)号：WO2016135159A1

    公开(公告)日：2016-09-01

    申请号：PCT/EP2016/053800

    申请日：2016-02-23

    Applicant: SCHMID SILICON TECHNOLOGY GMBH

    Inventor： SCHMID, Christian ,  HAHN, Jochem ,  FUHRMANN, Christian Andreas

    IPC: B01D3/00 ,  B01D3/20 ,  C01B33/04 ,  C01B33/107

    CPC classification number: B01J8/0449 ,  B01D3/009 ,  B01D3/20 ,  B01J8/065 ,  B01J2208/06 ,  C01B33/043 ,  C01B33/046 ,  C01B33/1071 ,  C01B33/10773 ,  C01B33/10778 ,  Y02P20/127

    Abstract: Beschrieben werden eine Kolonne und ein Verfahren zur Disproportionierung von Chlorsilanen zu Monosilan und Tetrachlorsilan bei gleichzeitiger rektifikativer Auftrennung dabei erhaltener Silane. Weiterhin wird eine Anlage mit einer solchen Kolonne beschrieben. Die Kolonne umfasst einen Kolonnenkopf, einen Kolonnensumpf und einen dazwischen angeordneten rohrförmigen Kolonnenmantel. Innerhalb des Kolonnenmantels und entlang der Kolonnenachse befinden sich mindestens zwei übereinander liegende Reaktionszonen und mindestens zwei der rektifikativen Auftrennung dienende Trennzonen in einer alternierenden Anordnung. In den Reaktionszonen ist jeweils ein Katalysatorbett angeordnet, in dem Chlorsilane zu leichtsiedenden Silanen, die innerhalb der Kolonne einen aufsteigenden Gasstrom ausbilden, sowie zu (vergleichsweise) schwersiedenden Silanen, die (nach Kondensation) innerhalb der Kolonne einen nach unten gerichteten Flüssigkeitsstrom ausbilden, disproportioniert werden. Die Trennzonen und die Reaktionszonen sind dabei derart ausgebildet, dass sich der Gasstrom und der Flüssigkeitsstrom in den Trennzonen begegnen, während in den Reaktionszonen der Flüssigkeitsstrom durch die Katalysatorbettengeführt wird und der Gasstrom räumlich getrennt vom Flüssigkeitsstrom die Katalysatorbetten passiert.

    Abstract translation: 描述了一列和氯硅烷的歧化，以甲硅烷和四氯硅烷，而精馏分离由此获得的硅烷的方法。 此外，一个系统与这样的列进行说明。 所述塔包括塔，塔底和插入的管状柱护套。 内的列护套和沿列轴是至少两个叠置的反应区和至少两个以交替布置服务分离区的精馏分离。 在反应区的催化剂床布置在每个情况下，在氯硅烷沸腾到沸腾，其形成在塔内上升的气体流的硅烷，以及（相对）硅烷（缩合后）形成的液体在塔内向下流动的歧化 ， 分离区和反应区被设计为使得在所述分离区的气体流和液体流相遇，而在液体流的反应区是通过催化剂床专业和气体流通过在空间上从液体流中分离的催化剂床。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HYDRIDOSILANEN
    20.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HYDRIDOSILANEN 审中-公开
    用于生产的氢化硅烷

    公开(公告)号：WO2012084897A1

    公开(公告)日：2012-06-28

    申请号：PCT/EP2011/073337

    申请日：2011-12-20

    Applicant: EVONIK DEGUSSA GMBH ,  BRAUSCH, Nicole ,  HAUBROCK, Jens ,  KNIPPENBERG, Udo ,  SCHWÄRTZKE, Thorsten ,  ZÖLLNER, Jörg ,  WIEBER, Stephan

    Inventor： BRAUSCH, Nicole ,  HAUBROCK, Jens ,  KNIPPENBERG, Udo ,  SCHWÄRTZKE, Thorsten ,  ZÖLLNER, Jörg ,  WIEBER, Stephan

    IPC: C01B33/04 ,  C01B33/107

    CPC classification number: C01B33/107 ,  C01B33/04 ,  C01B33/10705 ,  C01B33/1071 ,  C01B33/10768 ,  C01B33/10773

    Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Hydridosilanen aus Halogensilanen, bei dem a) i) mindestens ein Halogensilan der generischen Formel Si n X2 n+2 (mit n ≥ 3 und X = F, Cl, Br und/oder I) und ii) mindestens ein Katalysator unter Bildung eines Gemisches umfassend mindestens ein Halogensilan der generischen Formel Si m X 2m+2 (mit m > n und X = F, Cl, Br und/oder I) und SiX 4 (mit X = F, Cl, Br und/oder I) umgesetzt werden, und b) das mindestens eine Halogensilan der generischen Formel Si m X 2m+2 unter Bildung eines Hydridosilans der generischen Formel Si m H 2m+2 hydriert wird, das Hydridosilan der generischen Formel Si m H 2m+2 von partiell halogenierten Hydridosilanen der allgemeinen Formel Si m H (2m+2-y) X y (mit 1 m H (2m+2-y) X y (mit 1

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于卤代硅烷的氢化硅烷的制备方法，其中a）ⅰ）通式SinX2n + 2（其中n = 3和X = F，Cl，Br和/或I的至少至少一种卤代硅烷）和ii） 包括在形成所述通式中的至少一种卤代硅烷的混合物的催化剂SimX2m + 2（其中m> n和X = F，Cl，Br和/或I）和SiX4（其中X = F，Cl，Br和/或I） 进行反应，和b）通式SimX2m + 2的至少一个卤代硅烷，以形成通式的氢硅烷SimH2m + 2被氢化时，通式SimH2m（的+ 2式SIMH 2M + 2的部分卤化的氢化硅烷的氢化硅烷 y）的XY（由1

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