公开(公告)号：WO2021215115A1

公开(公告)日：2021-10-28

申请号：PCT/JP2021/007736

申请日：2021-03-01

Applicant: ＡＧＣ株式会社

Inventor： 百瀬　徹 ,  佐藤　修 ,  山本　浩史 ,  竹下　暢彦

IPC: C03C19/00 ,  B24B37/08 ,  B24B37/28 ,  B24B49/12

Abstract: ガラス物品の製造方法であって、円形のガラス基板が保持された円形のキャリアを、上定盤と下定盤で挟み、前記キャリアを上定盤および下定盤に対して回転させることにより、前記ガラス基板を研磨し、ガラス物品を得る工程を有し、前記ガラス基板は、上面視、前記キャリアの中心Ｏｃが前記ガラス基板の領域に含まれ、前記ガラス基板の中心Ｏｇが前記キャリアの中心Ｏｃに対してずれるように、前記キャリア内に配置される、製造方法。

公开(公告)号：WO2019110385A1

公开(公告)日：2019-06-13

申请号：PCT/EP2018/082816

申请日：2018-11-28

Applicant: SILTRONIC AG

Inventor： OLBRICH, Torsten ,  FECHNER, Martha

IPC: B24B37/28

Abstract: Läuferscheibe zum Führen von Halbleiterscheiben während einer beidseitigen materialabtragenden Bearbeitung der Halbleiterscheiben, wobei die Läuferscheibe mit einer Schicht aus diamantähnlichem Kohlenstoff beschichtet ist, und die Schicht Wasserstoff mit einem Anteil von nicht weniger als 10 Atom-% und nicht mehr als 30 Atom-% und mindestens ein weiteres Fremdelement enthält, wobei das weitere Fremdelement Sauerstoff, Stickstoff, Chrom oder Titan ist, und eine Oberfläche der Schicht eine Rauheit Ra von nicht weniger als 5 nm und nicht mehr als 40 nm aufweist und einen Grad an Hydrophilie hat, dass der Benetzungswinkel eines Wassertropfens kleiner als 25° ist. Verfahren zur beidseitigen Politur von Halbleiterscheiben, bei dem eine solche Läuferscheibe eingesetzt wird.

公开(公告)号：WO2017110262A1

公开(公告)日：2017-06-29

申请号：PCT/JP2016/082764

申请日：2016-11-04

Applicant: 株式会社SUMCO

Inventor： 木戸　亮介

IPC: B24B37/28 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/28 ,  H01L21/304

Abstract: 【課題】ウェーハの両面研磨時に所望のエッジロールオフを意図的に作り込むことが可能な両面研磨用キャリアおよびこれを用いたウェーハ研磨方法、並びに、そのような両面研磨加工が施されたウェーハを用いて裏面の平坦度が高められたエピタキシャルウェーハを製造することが可能なエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 【解決手段】両面研磨用キャリア１０は、研磨布４，５がそれぞれ貼り付けられた上定盤２と下定盤３との間に配設され、上定盤２と下定盤３に挟み込まれたウェーハＷを保持するための保持孔１０ａを有するものであって、保持孔１０ａの上側コーナーおよび下側コーナーの少なくとも一方に面取り部１２ｃが形成されている。そしてこの両面研磨用キャリア１０を用いて製造されたシリコンウェーハを用いてエピタキシャルシリコンウェーハを製造する。

Abstract translation:

晶片的双面抛光期间使用双面研磨载体和能够制造的边缘滚降故意期望的晶片抛光方法，并且这样的双面 抛光过程提供了用于产生的外延晶片，其能够通过使用已经进行的晶片制造后表面的外延晶片升高平整度的方法。 甲双面研磨载体10，抛光布4和5设置在表面片2和在其上分别粘附，下表面板3，夹在上压板2和下压板3之间 是一个具有用于保持晶片W的保持孔10a中，在上转角中的至少一个倒角部12c与保持孔10a的下角处。 以及利用通过使用双面研磨载体10制造的硅晶片的外延硅晶片。

公开(公告)号：WO2015194092A1

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：PCT/JP2015/002425

申请日：2015-05-13

Applicant: 信越半導体株式会社

Inventor： 安田　太一 ,  榎本　辰男

IPC: B24B41/06 ,  B24B37/28 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/27 ,  B24B37/28 ,  B24B41/005 ,  B25J9/042 ,  B25J9/102 ,  B25J15/0616 ,  H01L21/02 ,  H01L21/68 ,  H01L21/6838

Abstract: 　本発明は、ワークを吸着保持する吸着ヘッド、該吸着ヘッドに接続され、当該吸着ヘッドを移動させるアーム、キャリアのワーク保持孔に搬送されるワークを載置しておくステージを具備し、吸着ヘッドが、該吸着ヘッドの本体に対して水平面内で移動が可能な可動部を有し、該可動部は前記ワークを吸着保持でき、かつ鉛直下方向に延伸された複数の位置決めピンを有するものであり、複数の位置決めピンが、可動部で保持したワークをキャリアのワーク保持孔に仕込む際に、キャリアの外周におけるギアの歯底に密着して、可動部が水平面内で移動することで、キャリアを前記サンギア側に押しつけて、キャリアの位置及び向きを固定し、保持したワークをキャリアの保持孔内に搬入するものであることを特徴とする自動ハンドリング装置である。これにより、安価で正確に、キャリアのワーク保持孔にワークを仕込むことができる自動ハンドリング装置が提供される。

Abstract translation: 该自动处理装置的特征在于具有：用于对工件进行抽吸并保持工件的吸头; 连接到吸头的臂，并移动吸头; 以及载置工件被搬运到载体的工件保持孔的阶段。 所述自动处理装置的特征还在于，所述吸头设置有能够相对于所述吸头的主体在水平面内移动的可动部; 可移动部件能够对工件进行抽吸并保持工件，并且设置有多个垂直向下延伸的定位销; 并且当由可动部保持的工件被插入到承载件的工件保持孔中时，多个定位销装配到位于托架的外周的齿轮的底部，并且 可移动部分在水平面内移动，结果，承载件朝着太阳齿轮侧按压，承载件的位置和定位被固定，并且保持的工件被运送到 载体。 因此，提供了一种自动处理装置，通过该自动处理装置可以将工件廉价且精确地插入到载体的工件保持孔中。

公开(公告)号：WO2014189038A1

公开(公告)日：2014-11-27

申请号：PCT/JP2014/063325

申请日：2014-05-20

Applicant: 有限会社サクセス

Inventor： 酒井　慎介

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/28 ,  B24B37/30

CPC classification number: B24B37/28 ,  B24B37/32

Abstract: 半導体ウエハ保持用冶具（４４）は、半導体ウエハ（Ｗ）を収容する貫通孔（４４ａ）を有し、カーボングラファイト等の炭素繊維で形成されている。半導体ウエハ保持用冶具はテンプレートであり、バックパッド（４３）を介して支持プレート（４２）上に積層される。バックパッドは、吸水性を有する弾性体層を含む。半導体ウエハ研磨装置（１０）は、テンプレートと、テンプレートに保持された半導体ウエハの一方の面又は両面を研磨する研磨手段を備える。研磨手段は定盤（２０）と研磨布（３０）とにより構成されている。

Abstract translation: 该半导体晶片保持夹具（44）由碳石墨或其他碳纤维制成，并且具有包含半导体晶片（W）的通孔（44a）。 所述半导体晶片保持夹具用作模板，并且被夹在支撑板（42）之间并具有背垫（43）。 所述背垫包含吸水弹性体层。 该半导体晶片抛光装置（10）具有上述模板和抛光装置，其对由所述模板保持的半导体晶片的一侧或两侧进行抛光。 所述抛光装置包括表面板（20）和磨料（30）。

公开(公告)号：WO2014156798A1

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：PCT/JP2014/057234

申请日：2014-03-18

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 小松　隆史

IPC: G11B5/84 ,  B24B1/00 ,  B24B7/24 ,  B24B37/24 ,  B24B37/28 ,  C03C19/00

CPC classification number: G11B5/8404 ,  B24B7/24 ,  B24B37/28

Abstract: 　ガラス基板の板厚のバラツキを低減できる、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を提供する。複数の発泡孔を含む部材からなる研磨パッドを用いてキャリア（５００）に保持されたガラス基板を研磨する研磨装置を用いる、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法である。キャリア（５００）は、自転可能に設けられている。キャリア（５００）には、ガラス基板を収容するための複数の保持孔（５２０）が形成されている。複数の保持孔（５２０）は、キャリア（５００）の回転中心（Ｃ）と保持孔（５２０）の中心との間の距離が略等しい、同一径孔群を構成している。同一径孔群に属し回転中心（Ｃ）まわりの周方向に隣接する二つの保持孔（５２０，５２０）の中心同士を結ぶ線分上の、該二つの保持孔間の距離ｄが、０．５ｍｍ以上３．０ｍｍ以下である。

Abstract translation: 提供了一种制造用于信息记录介质的玻璃基板的方法，能够降低玻璃基板的厚度的波动。 制造信息记录介质用玻璃基板的方法使用通过使用包括具有多个泡孔的部件的研磨垫来研磨由载体（500）保持的玻璃基板的研磨装置。 载体（500）设置成可旋转。 在载体（500）中形成有用于容纳玻璃基板的多个保持孔（520）。 载体（500）的旋转中心（C）与保持孔（520）的中心之间的距离基本相等，并且保持孔（520）形成孔直径相同的组。 在两个保持孔（520,520）之间的距离（d），并且在连接两个保持孔的中心的线段上，所述两个保持孔的属于孔直径相同并且相邻的组的中心 围绕旋转中心（C）的圆周方向为0.5mm-3.0mm。

公开(公告)号：WO2014125759A1

公开(公告)日：2014-08-21

申请号：PCT/JP2014/000134

申请日：2014-01-15

Applicant: 信越半導体株式会社

Inventor： 佐藤　一弥 ,  田中　佑宜 ,  小林　修一 ,  伊波　健路 ,  金城　俊成

IPC: B24B37/28

CPC classification number: B24B37/28 ,  B24B7/17 ,  B24B7/228 ,  B24B7/241 ,  B24B37/08 ,  H01L21/304 ,  H01L21/673

Abstract: 　本発明は、両面研磨装置の研磨布が貼付された上下定盤の間に配設されるキャリア本体に形成され、研磨の際にウエーハを保持するための保持孔に、保持するウェーハの周縁部と接するインサート材を嵌合し接着して製造する両面研磨装置用キャリアの製造方法であって、前記インサート材にラップ加工および研磨加工を施し、その後、該インサート材をキャリア本体の保持孔に嵌合し、キャリア本体の主面に垂直な方向に沿って、嵌合したインサート材に荷重をかけながら接着および乾燥を行うことにより両面研磨装置用キャリアを製造する両面研磨装置用キャリアの製造方法を提供する。これにより、バッチ内での研磨ウエーハのフラットネスのバラツキを抑制することができる両面研磨装置用キャリアを製造する方法およびウエーハの両面研磨方法が提供される。

Abstract translation: 本发明提供一种双面抛光装置载体的制造方法，所述双面抛光装置载体通过将在抛光期间保持的与晶片的边缘接触的插入材料装配并胶合在形成于载体主体中的保持孔中而制造， 设置在其上固定有抛光布的双面抛光装置的上表面板和下表面板之间，并用于保持晶片。 制造双面抛光装置载体的方法通过对插入材料进行研磨和抛光来制造双面抛光装置载体，然后将插入材料装配到载体主体的保持孔中，并且在施加 沿垂直于载体主体表面的方向对装配的插入材料进行负载。 由此提供了能够限制批次内的抛光晶片平坦度的变化的双面抛光装置载体和双面晶片抛光方法的制造方法。

公开(公告)号：WO2014103985A1

公开(公告)日：2014-07-03

申请号：PCT/JP2013/084419

申请日：2013-12-24

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 小松　隆史

IPC: B24B37/28 ,  B24B37/08 ,  C03C19/00 ,  G11B5/84

CPC classification number: B24B37/08 ,  B24B37/28 ,  G11B5/8404

Abstract: 　研磨工程は、ガラス基板およびキャリアをサンギア（４０）およびインターナルギア（５０）の間に配置する工程と、キャリアの外周を歯面（４２，５２）に噛合させた状態でキャリアを回転させてガラス基板の表面を研磨する工程とを含む。全ての歯面（４２）およびまたは全ての歯面（５２）は、歯先から凹む形状を有する凹部（４１，５１）を含み、凹部（４１，５１）にはキャリアが回転する時にキャリアの外周が噛合する。キャリアのピッチ円直径をＤＣ（単位：ｍ）とし、凹部（４１，５１）の歯先からの凹み深さをｄ（単位：ｍｍ）とすると、０．２４≦ｄ／ＤＣ≦１．８９の関係が成立している。

Abstract translation: 抛光工艺涉及一种在太阳齿轮（40）和内齿轮（50）之间布置玻璃基板和载体的工艺，以及通过在载体的旋转中抛光玻璃基板的表面的工艺，其中 载体的外周与齿面（42,52）啮合。 所有的齿表面（42）和/或所有的齿面（52）包括具有从齿尖凹入的形状的凹槽（41,51），并且当载体与凹槽（41,51）啮合时，载体的外周与凹槽 旋转。 将DC（单位：m）定义为载体的节圆直径，d（单位：mm）作为凹部（41,51）从齿尖的凹陷深度，关系为0.24＆ d / DC＆nlE; 1.89。

公开(公告)号：WO99059776A1

公开(公告)日：1999-11-25

申请号：PCT/US1999/009569

申请日：1999-04-30

IPC: B24B37/28 ,  H01L21/304 ,  B24B37/04 ,  B24B41/06

CPC classification number: B24B37/32 ,  B24B37/28

Abstract: A retainer (52) is used with an apparatus for polishing a substrate. The substrate has upper and lower surfaces and a lateral, substantially circular, perimeter. The apparatus has a polishing pad with an upper polishing surface for contacting and polishing the lower face of the substrate. The retainer (52) has an inward facing retaining face (54) for engaging and retaining the substrate against lateral movement during polishing of the substrate. The retaining face (54) engages a substrate perimeter at more than substantially a single discrete circumferential location along the perimeter.

Abstract translation: 保持器（52）用于抛光衬底的装置。 衬底具有上表面和下表面以及侧面，基本上圆形的周边。 该装置具有抛光垫，该抛光垫具有用于接触和抛光基底的下表面的上抛光表面。 保持器（52）具有向内的保持面（54），用于在衬底的抛光期间接合和保持衬底以防止横向移动。 保持面（54）沿着周边在多于基本上单独的离散圆周位置处接合基底周边。

公开(公告)号：WO2022256221A1

公开(公告)日：2022-12-08

申请号：PCT/US2022/031093

申请日：2022-05-26

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： ZHANG, Jimin ,  BROWN, Brian J. ,  LAU, Eric ,  MIKHAYLICHENKO, Ekaterina ,  OH, Jeonghoon ,  ALONZO, Gerald J.

IPC: B24B37/04 ,  B24B37/10 ,  B24B37/28 ,  H01L21/67

Abstract: Certain aspects of the present disclosure provide techniques for a method of removing material on a substrate. An exemplary method includes rotating a substrate about a first axis in a first direction and urging a surface of the substrate against a polishing surface of a polishing pad while rotating the substrate, wherein rotating the substrate about the first axis includes rotating the substrate a first angle at a first rotation rate, and then rotating the substrate a second angle at a second rotation rate, and the first rotation rate is different from the second rotation rate.