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    HALBLEITERBAUELEMENT
    22.
    发明申请
    HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
    半导体部件

    公开(公告)号：WO2012022342A1

    公开(公告)日：2012-02-23

    申请号：PCT/DE2011/075172

    申请日：2011-07-21

    Applicant: NOVALED AG ,  DOROK, Sascha ,  LESSMANN, Rudolf ,  CANZLER, Tobias ,  HUANG, Qiang ,  KÖHN, Christiane

    Inventor： DOROK, Sascha ,  LESSMANN, Rudolf ,  CANZLER, Tobias ,  HUANG, Qiang ,  KÖHN, Christiane

    IPC: H01L51/10 ,  H01L51/05

    CPC classification number: H01L51/05 ,  H01L51/002 ,  H01L51/0562 ,  H01L51/105

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einer Schichtanordnung mit einer Elektrode (20a, 20b) aus einem Elektrodenmaterial, einer organischen Halbleiterschicht (22) auss organischem Material, einer Injektionsschicht (21), welche zwischen der Elektrode und der organischen Halbleiterschicht angeordnet ist und aus einem molekularen Dotierungsmaterial besteht, das ein elektrischer Dotand für das organische Material der organischen Halbleiterschicht ist, und einer Zusatzschicht (25), welche auf der der Elektrode zugewandten Seite der Injektionsschicht an der Injektionsschicht angeordnet ist und aus einem Zusatzmaterial besteht, welches bei Kontakt mit dem molekularen Dotierungsmaterial dessen Dotierungsaffinität bezüglich des organischen Materials der organischen Halbleiterschicht verändert, wobei in der Injektionsschicht ein Schichtbereich mit einer ersten Dotierungsaffinität des molekularen Dotierungsmaterials bezüglich des organischen Materials und ein weiterer Schichtbereich mit einer zweiten, im Vergleich zur ersten Dotierungsaffinität kleineren Dotierungsaffinität des molekularen Dotierungsmaterials bezüglich des organischen Materials gebildet sind. Des Weiteren betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes sowie die Verwendung eines Halbleiterelementes.

    Abstract translation: 本发明涉及一种具有层结构的半导体元件与电极（20A，20B）的电极材料的auss有机材料，有机半导体层（22），注射布置在电极与有机半导体层之间，并且从一个分子层（21） 掺杂材料，该材料为被布置在面向在注入层的注入层的电极侧的侧面和由添加剂材料的有机半导体层的有机材料和附加层（25）的电掺杂剂，其在与分子掺杂材料接触 其掺杂改变了有机半导体层的有机材料，其中，所述注入层中具有相对于所述有机材料和另外的层B中的分子掺杂材料的第一掺杂亲和力的层区域的相对亲和力 REA与第二形成，相对于分子掺杂材料的相对于所述有机材料的第一掺杂剂的亲和性较小的掺杂亲和力。 此外，本发明涉及一种用于制造半导体器件以及使用的半导体元件的方法。

    有機半導体装置およびその製造方法
    23.
    发明申请
    有機半導体装置およびその製造方法 审中-公开
    有机半导体器件及其生产工艺

    公开(公告)号：WO2011148699A1

    公开(公告)日：2011-12-01

    申请号：PCT/JP2011/055824

    申请日：2011-03-11

    Applicant: シャープ株式会社 ,  香村 勝一 ,  葛本 恭崇 ,  青森 繁

    Inventor： 香村　勝一 ,  葛本　恭崇 ,  青森　繁

    IPC: H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

    CPC classification number: H01L51/105 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0562

    Abstract: 　本発明に係る有機トランジスタ（１）は、ゲート電極（１２）、ゲート絶縁層（１３）、ソース電極（１４）、ドレイン電極（１５）および有機半導体層（１６）を有しており、ソース電極（１４）と有機半導体層（１６）との間に電荷の移動を促進する第１の改善層（４０）が設けられており、ドレイン電極（１５）と有機半導体層（１６）との間に電荷の移動を促進する第２の改善層（５０）が設けられており、チャネル部におけるゲート絶縁層（１３）の表面に第３の改善層（３０）が設けられている。

    Abstract translation: 一种有机晶体管（1），包括栅电极（12），栅极绝缘层（13），源电极（14），漏电极（15）和有机半导体层（16），其中第一修饰层 在源电极（14）和有机半导体层（16）之间设置能够加速电荷移动的能量（40），能够加速电荷移动的第二改质层（50） 电极（15）和有机半导体层（16），并且在沟道部分中的栅极绝缘层（13）的表面上设置第三改性层（30）。

    전하 주입성을 향상시킨 유기박막트랜지스터 및 이의 제조방법
    24.
    发明申请
    전하 주입성을 향상시킨 유기박막트랜지스터 및 이의 제조방법 审中-公开
    具有改进的充电注入性的有机薄膜晶体管及其制造方法

    公开(公告)号：WO2011139006A1

    公开(公告)日：2011-11-10

    申请号：PCT/KR2010/005917

    申请日：2010-09-01

    Applicant: 한밭대학교산학협력단 ,  노용영

    Inventor： 노용영

    IPC: H01L29/786

    CPC classification number: H01L51/105 ,  H01L51/0545

    Abstract: 본 발명은 기판상의 소스/드레인 전극 중 한쪽 전극에만 CS 2 C0 3 등의 용액을 도포하여 전자주입성을 향상시킨 유기박막트랜지스터 및 그를 이용한 금속산화막반도체(CMOS) 디지털 회로에 관한 것으로 기판; 상기 기판 상에 위치한 게이트 전극; 상기 게이트 전극을 포함하는 기판 전면에 걸쳐 위치한 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상의 일부 영역에 서로 이격되어 위치하는 소스/드레인 전극; 상기 소스/드레인 전극 중 어느 하나에만 도포된 전자주입층; 상기 전자주입층을 포함하는 기판 상에 위치하는 유기반도체층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터로 구성된다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种有机薄膜晶体管，其中CS2CO3溶液仅施加于基板上的一个源/漏电极，从而提高电子注入能力，以及使用互补金属氧化物半导体（CMOS）数字电路 相同。 有机薄膜晶体管包括：基板; 设置在所述基板上的栅电极; 设置在包括所述栅电极的所述基板上的栅极电介质; 源极/漏极电极分别设置在栅极电介质的部分上; 施加到源/漏电极之一的电子注入层; 以及设置在包括电子注入层的基板上的有机半导体层。

    LOGIC ELEMENTS COMPRISING CARBON NANOTUBE FIELD EFFECT TRANSISTOR (CNTFET) DEVICES AND METHODS OF MAKING SAME
    25.
    发明申请
    LOGIC ELEMENTS COMPRISING CARBON NANOTUBE FIELD EFFECT TRANSISTOR (CNTFET) DEVICES AND METHODS OF MAKING SAME 审中-公开
    包含碳纳米管场效应晶体管（CNTFET）器件的逻辑元件及其制造方法

    公开(公告)号：WO2011103558A1

    公开(公告)日：2011-08-25

    申请号：PCT/US2011/025694

    申请日：2011-02-22

    Applicant: NANTERO, INC. ,  BERTIN, Claude, L.

    Inventor： BERTIN, Claude, L.

    IPC: H03K19/20

    CPC classification number: H01L27/283 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G06F17/5045 ,  H01L21/02376 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/0566 ,  H01L51/105 ,  H03K19/20 ,  Y10S977/742

    Abstract: Inverter circuits and NAND circuits comprising nanotube based FETs and methods of making the same are described. Such circuits can be fabricating using field effect transistors comprising a source, a drain, a channel region, and a gate, wherein the first channel region includes a fabric of semiconducting nanotubes of a given conductivity type. Such FETs can be arranged to provide inverter circuits in either two-dimension or three-dimensional (stacked) layouts. Design equations based upon consideration of the electrical characteristics of the nanotubes are described which permit optimization of circuit design layout based upon constants that are indicative of the current carrying capacity of the nanotube fabrics of different FETs.

    Abstract translation: 描述了包括基于纳米管的FET的逆变器电路和NAND电路及其制造方法。 这样的电路可以使用包括源极，漏极，沟道区和栅极的场效应晶体管来制造，其中第一沟道区包括具有给定导电类型的半导体纳米管的织物。 这样的FET可以被布置成以二维或三维（堆叠）布局提供逆变器电路。 描述了基于对纳米管的电特性的考虑的设计方程，其基于指示不同FET的纳米管织物的载流能力的常数来优化电路设计布局。

    TECHNIQUES TO ENHANCE SELECTIVITY OF ELECTRICAL BREAKDOWN OF CARBON NANOTUBES
    26.
    发明申请
    TECHNIQUES TO ENHANCE SELECTIVITY OF ELECTRICAL BREAKDOWN OF CARBON NANOTUBES 审中-公开
    提高碳纳米管电气选择性的技术

    公开(公告)号：WO2010144856A2

    公开(公告)日：2010-12-16

    申请号：PCT/US2010/038396

    申请日：2010-06-11

    Applicant: ETAMOTA CORPORATION ,  WONG, Eric, W ,  HUNT, Brian, D. ,  KUMAR, Rajay ,  LI, Chao

    Inventor： WONG, Eric, W ,  HUNT, Brian, D. ,  KUMAR, Rajay ,  LI, Chao

    IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

    CPC classification number: H01L51/0048 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/105

    Abstract: Techniques are used to fabricate carbon nanotube devices. These techniques improve the selective removal of undesirable nanotubes such as metallic carbon nanotubes while leaving desirable nanotubes such as semiconducting carbon nanotubes. In a first technique, slot patterning is used to slice or break carbon nanotubes have a greater length than desired. By altering the width and spacing of the slotting, nanotubes have a certain length or greater can be removed. Once the lengths of nanotubes are confined to a certain or expected range, the electrical breakdown approach of removing nanotubes is more effective. In a second technique, a Schottky barrier is created at one electrode (e.g., drain or source). This Schottky barrier helps prevent the inadvertent removal the desirable nanotubes when using the electrical breakdown approach. The first and second techniques can be used individually or in combination with each other.

    Abstract translation: 技术用于制造碳纳米管器件。 这些技术改进了不需要的纳米管的选择性去除，例如金属碳纳米管，同时留下了期望的纳米管，如半导体碳纳米管。 在第一种技术中，狭缝图案化用于切割或断裂碳纳米管具有比期望更长的长度。 通过改变开槽的宽度和间距，可以去除纳米管的一定长度或更大。 一旦纳米管的长度被限制在一定或预期的范围内，去除纳米管的电击穿方法更有效。 在第二种技术中，在一个电极（例如漏极或源极）处产生肖特基势垒。 这种肖特基势垒有助于防止在使用电击穿方法时无意中去除所需的纳米管。 第一和第二技术可以单独使用或者彼此组合使用。

    METHOD AND APPARATUS FOR THE FORMATION OF AN ELECTRONIC DEVICE
    28.
    发明申请
    METHOD AND APPARATUS FOR THE FORMATION OF AN ELECTRONIC DEVICE 审中-公开
    用于形成电子设备的方法和装置

    公开(公告)号：WO2010046678A1

    公开(公告)日：2010-04-29

    申请号：PCT/GB2009/051266

    申请日：2009-09-28

    Applicant: PLASTIC LOGIC LIMITED ,  BAKER, Dean

    Inventor： BAKER, Dean

    IPC: H01L51/00 ,  G03F7/42

    CPC classification number: H01L51/0018 ,  G03F7/165 ,  G03F7/42 ,  G03F7/425 ,  H01L51/105

    Abstract: A process of forming an electronic device, by forming the source and drain contacts using photolithography, incorporating a self-assembled monolayer (SAM) over the electrical contacts to form an increased work function of the source and drain electrodes and further forming more favourable charge injection properties or within the channel region to improve film morphology and therefore improve charge transport. The SAM material is added to the photoresist stripper during a step of the photolithography process of forming electrical contacts.

    Abstract translation: 一种形成电子器件的工艺，通过使用光刻法形成源极和漏极触点，在电触头上并入自组装单层（SAM）以形成增加的源电极和漏电极的功函数并进一步形成更有利的电荷注入 性质或通道区域内，以改善膜形态，从而改善电荷传输。 在形成电接触的光刻工艺的步骤期间，将SAM材料添加到光致抗蚀剂剥离器中。

    PATTERNING METHOD
    29.
    发明申请
    PATTERNING METHOD 审中-公开
    绘图方法

    公开(公告)号：WO2009074765A1

    公开(公告)日：2009-06-18

    申请号：PCT/GB2008/003827

    申请日：2008-11-13

    Applicant: EASTMAN KODAK COMPANY ,  RIDER, Christopher ,  BOWER, Christopher

    Inventor： RIDER, Christopher ,  BOWER, Christopher

    IPC: H01L51/05

    CPC classification number: H01L51/105 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0508 ,  H05K1/0272 ,  H05K3/1258 ,  H05K2201/09036 ,  H05K2201/09045 ,  H05K2201/09063 ,  H05K2201/09827

    Abstract: A method of patterning a flowable material on a surface, the method comprising providing the surface with at least one channel and at least one through- hole with at least two openings, wherein at least one of the openings is located in the surface adjacent to the at least one channel, such that when flowable material is deposited adjacent to another of the at least two openings, the material is directed into the at least one through-hole by the action of capillary forces and emerges at the opening adjacent to the at least one channel whereupon it is further directed along said channel.

    Abstract translation: 一种在表面上图案化可流动材料的方法，所述方法包括向所述表面提供至少一个通道和至少一个具有至少两个开口的通孔，其中所述开口中的至少一个位于邻近所述表面的表面中 至少一个通道，使得当可流动材料相邻于所述至少两个开口中的另一个开口被沉积时，所述材料通过毛细管力的作用被引导到所述至少一个通孔中，并且在与所述至少两个开口相邻的开口处出现 一个通道，因此它进一步沿着所述通道引导。

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